【技术实现步骤摘要】
一种超纯水深度除硼系统
[0001]本技术涉及一种水处理系统，特别涉及一种超纯水深度除硼系统。
技术介绍
[0002]现有技术中，在半导体、液晶面板等电子设备制造领域中，为了清洗产品，需要使用大量含有极少量杂质、离子和有机物的超纯水。其中，在半导体的制造工序中，伴随着半导体的制成的减小、晶圆尺寸的扩大，对所使用的超纯水提出了越来越高的要求。随着水质要求的逐渐提升，对超纯水中的硼的要求逐渐提高，硼是一种p型杂质，它大部分会使n型硅发生反转，并对载流子浓度产生影响，从而影响半导体制造过程中的产品的良率。
[0003]硼(B)是元素周期表第三主族唯一的非金属元素，B原子的价电子结构是2s22p1，B原子的价电子少于价轨道数，所以存在缺电子情况，但硼与同周期的金属元素锂，铍相比原子半径小，电离能高，电负性大，以形成共价键分子为特征。超纯水的制造系统中，除硼主要依赖反渗透单元和离子交换树脂单元，但是在pH较低的情况下，以硼酸形式存在的B，反渗透的去除效率低(普通反渗透膜，pH＝9时，去除率为80％左右)，化学清洗会导致脱硼效率...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超纯水深度除硼系统，其特征在于，依次包括原水池、原水池换热器、过滤单元、pH调节水池、UV杀菌器、保安过滤器、反渗透单元、TOC
‑
UV装置、EDI装置、一级脱气膜装置和超纯水箱，还包括设置于pH调节水池和UV杀菌器之间的除硼装置；其中除硼装置上包括二氧化硅层和除硼功能层，除硼功能层位于二氧化硅层上；所述除硼功能层为氨基磷酸钙硅烷偶联剂。2.根据权利要求1所述的除硼系统，其特征在于，所述反渗透单元包括依次串联的一级反渗透装置、一级RO产水池、二级反渗透装置和二级RO产水池。3.根据权利要求1所述的除硼系统，其特征在于，所述过滤单元包括依次串联的多介质过滤器、脱...
【专利技术属性】
技术研发人员：戎宇舟，高康，陈炜彧，张浩，陈琳媛，赵浩竹，
申请(专利权)人：江苏中电创新环境科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。