【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构
[0001]本公开涉及半导体
,具体涉及半导体封装结构。
技术介绍
[0002]现行的功率集成(power integration)电感产品是在电感组件的基础上,再进行加工输入/输出单元(I/O)与切割线圈(Loops)等步骤。然而,如图1所示,由于是以机器缠绕导线31制成电感结构30,使得电感结构内的导线31垂直性不佳与距离差异过大,造成激光(laser)成孔对位错位,进一步影响电性导接。此外,现行电感产品因为内有圆形导线,成形后为上下皆不平整之结构物,在信号电性导接的工艺不易取得稳定且平整之平面。上述状况皆不利于后续加工钻孔与对位等工艺,造成良率损失。
技术实现思路
[0003]本申请提供了一种半导体封装结构,包括:
[0004]基板;
[0005]电感组件,内埋于所述基板中,所述电感组件包含多段相互隔开且平行的导电线段。
[0006]在一些可选的实施方式中,所述电感组件还包括:
[0007]导磁材料,包覆多个所述导电线段。
[0008]在一些可选 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构,包括:基板;电感组件,内埋于所述基板中,所述电感组件包含多段相互隔开且平行的导电线段。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中,所述电感组件还包括:导磁材料,包覆多个所述导电线段。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其中,多个所述导电线段沿单一方向延伸。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构,其中,每个所述导电线段具有两个从所述导磁材料中露出的输入/输出衬垫。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构,其中,所述两个输入/输出衬垫分别自导磁材料的不同侧露出。6.根据权利要求4所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:许武州,黄家城,庄弘毅,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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