基板处理方法、基板处理装置以及处理液制造方法及图纸

一种基板处理方法，包括：处理膜形成工序，对基板的表面供给处理液并使前述基板的表面上的处理液固化或者硬化，由此于前述基板的表面形成处理膜；蚀刻成分形成工序，对前述处理膜进行蚀刻成分形成处理，由此在前述处理膜中形成蚀刻成分；蚀刻工序，通过在前述蚀刻成分形成工序中形成的蚀刻成分来蚀刻前述基板的表层部；以及处理膜去除工序，对前述处理膜的表面供给剥离液，由此将前述处理膜从前述基板的表面剥离从而将前述处理膜从前述基板的表面去除。面去除。面去除。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法、基板处理装置以及处理液


[0001]本专利技术涉及一种用以处理基板的基板处理方法、基板处理装置以及使用于基板处理方法与基板处理装置的处理液。成为处理对象的基板例如包括半导体晶片、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板以及液晶显示设备、等离子体显示器、有机EL(electroluminescence；电致发光)显示设备等平板显示器(FPD；flat panel display)用的基板等基板。

技术介绍

[0002]使用氢氟酸(hydrofluoric acid)作为用以蚀刻基板的表面的蚀刻液(参照下述专利文献1)。在以蚀刻液处理基板后，通过DIW(deionized water；去离子水)等清洗(rinse)液清洗基板的表面。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：美国专利申请公开第2012/260949号公报。

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]在此种蚀刻处理中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理方法，其中，包括：处理膜形成工序，对基板的表面供给处理液并使所述基板的表面上的处理液固化或者硬化，由此于所述基板的表面形成处理膜；蚀刻成分形成工序，对所述处理膜进行蚀刻成分形成处理，由此在所述处理膜中形成蚀刻成分；蚀刻工序，通过在所述蚀刻成分形成工序中形成的蚀刻成分来蚀刻所述基板的表层部；以及处理膜去除工序，对所述处理膜的表面供给剥离液，由此将所述处理膜从所述基板的表面剥离从而将所述处理膜从所述基板的表面去除。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述蚀刻成分形成处理为包括所述处理膜的加热、向所述处理膜供给水以及对所述处理膜的光线照射中的至少任一者的处理。3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，进一步包括：高溶解性成分形成工序，在所述蚀刻成分形成工序之后且在所述处理膜去除工序之前，对所述处理膜进行高溶解性成分形成处理，由此于所述处理膜中形成第一高溶解性成分，所述第一高溶解性成分与所述处理膜中的其他成分相比在所述剥离液中的溶解性高，在所述处理膜去除工序中，对所述基板的表面供给所述剥离液，由此使所述处理膜中的所述第一高溶解性成分溶解。4.如权利要求3所述的基板处理方法，其中，所述高溶解性成分形成处理为对所述处理膜的光线照射。5.如权利要求3或4所述的基板处理方法，其中，所述第一高溶解性成分被所述剥离液溶解，由此于所述处理膜形成贯通孔。6.如权利要求3～5中任一项所述的基板处理方法，其中，在所述处理膜形成工序中，形成含有第一低溶解性成分的所述处理膜，所述第一低溶解性成分在所述剥离液中的溶解性比所述第一高溶解性成分低。7.如权利要求3～6中任一项所述的基板处理方法，其中，在所述处理膜形成工序中形成含有第一反应成分的所述处理膜，在所述蚀刻成分形成工序中，通过所述蚀刻成分形成处理使所述第一反应成分分解，由此于所述处理膜中形成第二反应成分以及所述蚀刻成分，在所述高溶解性成分形成工序中，通过所述高溶解性成分形成处理使所述第二反应成分分解，由此于所述处理膜中形成所述第一高溶解性成分。8.如权利要求7所述的基板处理方法，其中，进一步包括：分解促进液供给工序，将分解促进液供给至所述基板的表面，所述分解促进液促进所述蚀刻成分形成工序中的所述第一反应成分的分解。9.如权利要求8所述的基板处理方法，其中，通过在所述分解促进液供给工序中被供给至所述基板的表面的所述分解促进液来促进所述第二反应成分的分解。10.如权利要求1～6中任一项所述的基板处理方法，其中，在所述处理膜形成工序中形成含有第一反应成分的所述处理膜，在所述蚀刻成分形成工序中，通过对所述处理膜进行所述蚀刻成分形成处理，所述处理膜中的所述第一反应成分被分解从而形成蚀刻成分。
11.如权利要求10所述的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田幸史，田原香奈，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：