一种扩散炉管及采用其提升硅片方阻均匀性的方法技术

本发明专利技术提供一种扩散炉管及采用其提升硅片方阻均匀性的方法，所述扩散炉管包括炉体(1)和进气管(2)，所述炉体包括进气口(3)和出气口(4)，所述进气管(2)通过所述进气口(3)延伸至所述炉体(1)内部，所述进气管(2)位于所述炉体(1)的底部；所述炉体内部的进气管(2)上设置有至少两个出气孔(5)。本发明专利技术在进气管上设置有至少两个出气孔，提高了进气的均匀性，且扩散炉管在运行时，石英舟顶部的磷源量明显提升，解决了石英舟顶部电池片磷源量偏低的问题，避免了烧结污染，同时有效提升了硅片方阻的均匀性。在此基础上，采用阶梯式通磷源气体的方式进行磷源沉积扩散，得到了均匀性较好的高方阻电池片，其转换效率也得到了改善。其转换效率也得到了改善。其转换效率也得到了改善。

【技术实现步骤摘要】
一种扩散炉管及采用其提升硅片方阻均匀性的方法


[0001]本专利技术属于太阳能单晶PERC领域，具体涉及一种扩散炉管及采用其提升硅片方阻均匀性的方法。

技术介绍

[0002]预计到2030年，可再生能源在总绿色环保节能太阳能能源结构中将占到30％以上，而太阳能光伏发电在世界总电力供应中的占比也将达到10％以上。因此，提升太阳能发电效率及提升太阳能电池品质是发展的方向。
[0003]太阳能电池核心是制备P
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N结，扩散工序是关键。目前扩散工艺采用的是管式扩散炉，通过液态磷源的挥发，在硅片表面的沉积然后进行向硅片体内扩散，制成P
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N结，但是由于受到硅片表面绒面形貌、扩散进出舟、温差、气流等因素的影响，扩散结很难做到均匀，最早通过进气方式的变更，通源管路从一端进气变为全段多孔进气的设备改进，方阻可以控制到90Ω以上，但是随着更高效率的要求，及硅片尺寸的增大，扩散方阻越做越高，这就需要在保证提升方阻的前提下，方阻均匀性更需要保证。
[0004]为此，研究者们进行了一系列的改进，CN114664643本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扩散炉管，其特征在于，所述扩散炉管包括炉体(1)和进气管(2)，所述炉体包括进气口(3)和出气口(4)，所述进气管(2)通过所述进气口(3)延伸至所述炉体(1)内部，所述进气管(2)位于所述炉体(1)的底部；所述炉体内部的进气管(2)上设置有至少两个出气孔(5)。2.根据权利要求1所述的扩散炉管，其特征在于，所述出气孔(5)在所述进气管(2)上均匀分布；优选地，所述出气孔(5)的孔径为4
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8mm；优选地，所述出气孔(5)的出气方向与硅片的表面垂直；优选地，所述进气口(3)位于所述炉体(1)的炉口(8)底部，所述出气口(4)位于所述炉体(1)的炉尾(9)；优选地，所述炉体(1)的炉口(8)中部开设有补气口(6)，所述补气口(6)与补气管(7)的出气口连接，所述补气管(7)的进气口与气源连接，所述补气管(7)位于所述炉体(1)的中部；优选地，所述扩散炉管还包括设置在所述炉尾(9)且位于所述炉体(1)中部的抽排系统(10)。3.一种提升硅片方阻均匀性的方法，其特征在于，所述方法采用权利要求1或2所述的扩散炉管提升硅片方阻均匀性，所述方法包括以下步骤：(1)将制绒后的硅片置于扩散炉管的炉体(1)中，抽真空并升温；(2)氧化：将氧化性气体通入进气管(2)，对所述制绒后的硅片进行氧化；(3)一次通源：向进气管(2)中通入磷源气体和氧化性气体，磷源气体的流量记为L1；(4)二次通源：增大步骤(3)所述通入磷源气体的流量，记为L2；(5)升温：升高炉体(1)内的温度，并将氧化性气体和惰性气体通入进气管(2)；(6)降温：降低炉体(1)内的温度，并向进气管(2)通入惰性气体；(7)三次通源：将氧化性气体和磷源气体通入进气管(2)；(8)氧化：将氧化性气体通入进气管(2)；(9)将惰性气体通入进气管(2)，出舟。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述升温的时间为50
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500s；优选地，步骤(1)所述升温后的温度为700
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800℃；优选地，步骤(1)所述抽真空后，炉体(1)内的压力为10
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1000mbar；优选地，步骤(1)所述升温后进行恒温检漏；优选地，所述恒温检漏的时间为50
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500s；优选地，所述恒温检漏的过程中，炉体(1)内的压力为10
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100mbar。5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述氧化性气体包括氧气；优选地，步骤(2)所述氧化性气体的流量为500
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2000sccm；优选地，步骤(2)所述氧化的时间为100
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1000s；优选地，步骤(2)所述氧化的温度为700
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800℃；优选地，步骤(2)所述氧化的过程中，炉体(1)内的压力为10
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100mbar。6.根据权利要求3
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5任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述一次通源的时间为200
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1200s；
优选地，步骤(3)所述一次通源的温度为700
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800℃；优选地，步骤(3)中，L1为500
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1000sccm；优选地，步骤(3)所述一次通源的过程中，炉体(1)内的压力为10
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100mbar；优选地，步骤(3)所述磷源气体包括三氯氧磷；优选地，步骤(3)所述氧化性气体的流量为500
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2000sccm；优选地，步骤(3)所...

【专利技术属性】
技术研发人员：石兆春，赵颖，齐利娜，任勇，何悦，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：