【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性膜、粒子状物质、浆料和导电性膜的制造方法
[0001]本专利技术涉及导电性膜、粒子状物质、浆料和使用该浆料的导电性膜的制造方法。
技术介绍
[0002]近年来,作为具有导电性的新材料,MXene受到注目。MXene是所谓的二维材料的一种,如后述,是具有1个或多个层的形态的层状材料。一般来说,MXene具有这样的层状材料的粒子(可包括粉末、薄片、纳米片等)的形态。
[0003]可知MXene的粒子,能够以浆料的状态,通过吸滤附着,或通过喷涂,在基材上成膜。有报告含MXene粒子的薄膜(导电性膜)显示电磁屏蔽效果。更详细地说,在作为MXene之一的Ti
3 C2T
x
(无填料)薄膜中,能够得到4665S/cm的电导率,可以认为,具有这样的电导率,能够获得优异的电磁屏蔽效果(参照非专利文献1的Fig.3B)。
[0004]现有技术文献
[0005]非专利文献
[0006]非专利文献1:Faisal Shahzad,et al.,"Electromagnetic int ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种导电性膜,是包含具有1个或多个层的层状材料的粒子的导电性膜,其中,所述层包括:由下式:M
m
X
n
表示的层主体,式中,M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属,X是碳原子、氮原子或碳原子和氮原子的组合,n为1以上且4以下,m大于n并在5以下;存在于该层主体的表面的修饰或末端T,T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种,对于所述导电性膜进行X射线衍射测量所得到的(00I)面的峰相关的χ轴方向摇摆曲线半峰全宽为10.3
°
以下,其中,I是2的自然数倍的数。2.根据权利要求1所述的导电性膜,其中,所述χ轴方向摇摆曲线半峰全宽为8.8
°
以下。3.根据权利要求1或2所述的导电性膜,其中,所述导电性膜具有12000S/cm以上的电导率。4.根据权利要求1~3中任一项所述的导电性膜,其中,所述导电性膜具有3.00g/cm3以上的密度。5.根据权利要求1~4中任一项所述的导电性膜,其中,所述导电性膜具有120nm以下的算术平均粗糙度。6.根据权利要求1~5中任一项所述的导电性膜,其中,作为电磁屏蔽使用。7.一种粒子状物质,是包含具有1个或多个层的层状材料的粒子的粒子状物质,其中,所述层包括:由下式:M
m
X
n
表示的层主体,式中,M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属,X是碳原子、氮原子或碳原子和氮原子的组合,n为1以上且4以下,m大于n并在5以下;存在于该层主体的表面的修饰或末端T,T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种,A相对于所述M的比例为0.30摩尔%以下,所述A是至少一种的第12、13、14、15、16族元素。8.一种粒子状物质,是包含具有1个或多个层的层状材料的粒子的粒子状物质,其中,所述层包括:由下式:M
m
X
n
表...
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