一种离子束刻蚀挡板装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种离子束刻蚀挡板装置，属于半导体技术领域，包括反应腔体、载台片、挡板、挡板驱动件、离子源和固定罩，所述反应腔体的内部一端设有挡板，且挡板通过挡板驱动件进行控制；所述挡板设置于所述离子源的栅网口与所述载台片之间；所述挡板驱动件是由外接马达与转轴构成的；所述反应腔体的一端固定连接有用于用于保护离子源的固定罩，且固定罩的内部设有离子源；本实用能够极大程度的减少被离子束溅射出来的挡板材料进入到离子源内部的数量，降低对离子源的绝缘筒及离子源栅网的损坏，提高设备的稳定性及可靠性。提高设备的稳定性及可靠性。提高设备的稳定性及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种离子束刻蚀挡板装置


[0001]本技术涉及半导体
，具体为一种离子束刻蚀挡板装置。

技术介绍

[0002]随着集成技术的发展，半导体制备技术有湿法工艺逐渐过渡到干法工艺中；基于等离子体的半导体工艺处理技术大量的在芯片制备中使用。其中典型的如等离子体反应离子刻蚀工艺。该技术基于等离子技术，采用特定的工艺气体，与需要图形的衬底材料进行反应，实现对材料的去除。
[0003]经检索，现有技术中，中国专利申请号：CN109935513B，公开了一种离子束刻蚀系统，涉及半导体
，尤其为一种离子束刻蚀系统，该技术：包括反应腔体，载片台，离子源，挡板及挡板驱动装置，所述挡板包括连接部和遮挡部，所述连接部与所述挡板驱动装置相连接，所述挡板在所述挡板驱动装置的作用下绕着驱动轴线在上下两个极限位置间进行旋转，所述驱动轴线与第一方向大致平行，所述遮挡部设置于所述离子源的栅网与所述载片台之间，当所述挡板位于上极限位置，离子束从离子源的栅网发射至遮挡部的表面，所述遮挡部将被离子束溅射出来的挡板材料反射到离子源的栅网以外的区域。本专利技术极大程度的减本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子束刻蚀挡板装置，包括反应腔体(1)、载台片(2)、挡板(4)、挡板驱动件(5)、离子源(6)和固定罩(9)，其特征在于：所述反应腔体(1)的内部一端设有挡板(4)，且挡板(4)通过挡板驱动件(5)进行控制；所述挡板(4)设置于所述离子源(6)的栅网口(8)与所述载台片(2)之间；所述挡板驱动件(5)是由外接马达与转轴构成的；所述反应腔体(1)的一端固定连接有用于用于保护离子源(6)的固定罩(9)，且固定罩(9)的内部设有离子源(6)。2.根据权利要求1所述的一种离子束刻蚀挡板装置，其特征在于：所述反应腔体(1)的内部另一端固定安装有载台片(2)，且载台片(2)的一侧安装有晶圆(3)。3.根据权利要求1所述的一种离子束刻蚀挡板装置，其特征在于：所述离子源(6)的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪明刚，张学飞，瞿鑫，贾中华，
申请(专利权)人：拙明半导体苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：