一种Ｓｎ晶须的制备方法技术

本发明专利技术涉及新材料制备领域，具体说是提供一种新的金属晶须制备材料与方法，制造金属Ｓｎ晶须材料，解决现有技术中生产晶须的设备要求高、晶须制备工艺复杂，晶须价格居高不下等问题。该方法先将Ｓｎ与稀土元素（Ｎｄ，Ｃｅ，Ｌａ）冶炼成Ｓｎ－ＲＥ化合物，然后将其粉碎成粉末状态，将这些Ｓｎ－ＲＥ化合物粉末作为生长Ｓｎ晶须的母体原料，在室温大气条件下自然储存一定时间后，通过Ｓｎ－ＲＥ化合物在大气条件下自动分解的化学反应，触发Ｓｎ晶须在母体原料上自发生长，获得Ｓｎ晶须材料。本发明专利技术主要通过生长时间对晶须生长过程进行控制，即晶须生长条件可以适用于各地自然环境，而无须增加相应的生产设备和温、湿控制条件，因此可有效地控制晶须的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新材料制备领域，具体说是提供一种新的金属晶须制备材料与方法， 制造金属Sn晶须材料。
技术介绍
晶须是一种在人工控制条件下以单晶形式生长出来的细纤维材料。由于晶须的横 向尺寸很小(一般只有1-10微米)，又以单晶形式存在，因此晶须被认为是一种晶格结构完 美的晶体材料。由于晶须中晶体缺陷很少，所以材料科学家认为，理论上晶须本身可以达到 很高的晶体理论强度。上世纪六十年代，美国Bell实验室的材料科学家Herring和Galt 用Sn晶须的弯曲试验成功地证明，只要晶体中没有位错缺陷，其晶体理论强度可以比实际 观察到的大块金属强度高几个数量级以上。这一实验工作奠定了材料科学中晶体强度的物 理基础，并成为金属强度中有关位错理论的经典实验证据之一。由于晶须本身的高强度性能，作为一种新材料，它特别适用于作为增强相，与基体 材料复合，制备高强度的复合材料。从上世纪六十年代以来，人们已经制备成功了多种晶须 材料，包括金属晶须、氧化物陶瓷晶须和碳化物晶须等，采用这些晶须作为原材料，目前材 料工业界已成功地制备了多种高性能的纤维增强复合材料。目前，现有技术制备晶须的主要工艺路线为气相法。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｓｎ晶须的制备方法，其特征在于：生长Ｓｎ晶须的母体原料为ＲＥＳｎ↓［３］金属间化合物，其中ＲＥ为稀土元素；将ＲＥＳｎ↓［３］粉末置于室温大气环境下贮藏，使Ｓｎ晶须在母体原料上自发生长，获得Ｓｎ晶须材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冼爱平，刘萌，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]