发光装置和包括其的电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光装置和包括其的电子设备。在发光装置中，第一掺杂剂和第二掺杂剂中具有小的HOMO能级的绝对值的掺杂剂的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值和第一主体的HOMO能级的绝对值之间的差为0.3eV或更小。能级的绝对值之间的差为0.3eV或更小。能级的绝对值之间的差为0.3eV或更小。

【技术实现步骤摘要】
发光装置和包括其的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0156050号的优先权和权益，其公开通过引用以其整体并入本文。


[0003]一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置为自发射装置，其与相关领域的装置相比，具有宽的视角，高的对比度，短的响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面更卓越的或适当的特点。
[0005]在发光装置中，第一电极放置在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可穿过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子可穿过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合而产生光。

技术实现思路

[0006]根据本公开的实施方式的方面涉及具有改善的寿命的发光装置。
[0007]另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
[0008]根据一个或多个实施方式，发光装置包括：
[0009]第一电极，
[0010]面向第一电极的第二电极，以及
[0011]在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，
[0012]其中发射层包括第一主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且
[0013]其中：
[0014]第一掺杂剂的最高占据分子轨道(HOMO)能级(HOMO_D1)的绝对值小于第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值，并且第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值和第一掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D1)的绝对值之间的差为0.3eV或更小；或第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值小于第一掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D1)的绝对值，并且第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值和第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值之间的差为0.3eV或更小。
[0015]根据一个或多个实施方式，
[0016]电子设备包括发光装置。
附图说明
[0017]结合所附附图，本公开的某些实施方式的上面的和其他的方面、特征和增强将从
下述的描述中更显而易见，其中：
[0018]图1为根据实施方式的发光装置的示意图；
[0019]图2为根据实施方式的电子设备的横截面图；并且
[0020]图3为根据另一实施方式的电子设备的横截面图。
具体实施方式
[0021]现将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复的描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考附图描述实施方式，以解释本描述的方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者(例如，同时a和b)，a和c二者(例如，同时a和c)，b和c二者(例如，同时b和c)，所有的a、b和c，或其变型。
[0022]根据本公开的一个或多个实施方式，发光装置包括：
[0023]第一电极；
[0024]面向第一电极的第二电极；以及
[0025]放置在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，
[0026]其中发射层可包括第一主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且
[0027]其中：
[0028]第一掺杂剂的最高占据分子轨道(HOMO)能级(HOMO_D1)的绝对值可小于第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值，并且第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值和第一掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D1)的绝对值之间的差可为0.3eV或更小；或第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值可小于第一掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D1)的绝对值，并且第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值和第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值之间的差可为0.3eV或更小。
[0029]例如，在根据本公开的实施方式的发光装置的发射层中，第一掺杂剂和第二掺杂剂中具有小的HOMO能级的绝对值的掺杂剂的HOMO能级的绝对值和第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值之间的差可为0.3eV或更小。
[0030]由于许多重复的实验和理解，本公开的专利技术人已发现在包括第一主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂的发光装置的发射层中，随着第一掺杂剂和第二掺杂剂中具有小的HOMO能级的绝对值的掺杂剂的HOMO能级的绝对值和第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值之间的差变小，可增加发光装置的寿命，并且当差为0.3eV或更小时，发光装置的寿命增加的程度可显著且实质性不同。
[0031]此外，专利技术人已发现，同样地，随着第一掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D1)的绝对值和第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值之间的差变小，可增加发光装置的寿命，并且当差为0.3eV或更小时，发光装置的寿命增加的程度可显著地且实质性地不同。
[0032]在实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括放置在第一电极和发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合的空穴传输区。
[0033]在实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括放置在第二电极和发射层之间并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合的电子传输区。
[0034]在实施方式中，发射层可发射红光、绿光、蓝光或白光。例如，发射层可发射蓝光。
[0035]在实施方式中，第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一种可为磷光掺杂剂，并且第一掺杂剂和第二掺杂剂中的另一种可为荧光掺杂剂。例如，第一掺杂剂可为磷光掺杂剂，并且第二掺杂剂可为荧光掺杂剂。例如，第一掺杂剂可为荧光掺杂剂，并且第二掺杂剂可为磷光掺杂剂。
[0036]在实施方式中，在第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一种中，能量转移的发生可比光的发射更活跃。能量转移可为例如福斯特转移或德克斯特转移。术语“福斯特转移”或“德克斯特转移”的含义对于本领域技术人员而言应该是已知的，并且因此，未提供其详细描述。
[0037]在实施方式中，选自第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一种可为磷光掺杂剂，并且选自第一掺杂剂和第二掺杂剂中的另一种可为荧光掺杂剂，其中，在磷光掺杂剂中，能量转移(福斯特转移或德克斯特转移)的发生可比光的发射更活跃。
[0038]例如，第一掺杂剂可为磷光掺杂剂，其中能量转移(福斯特转移或德克斯特转移)的发生可比光的发射更活跃。主体中生成的单重态激子可通过能量转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中所述发射层包括第一主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且其中：所述第一掺杂剂的最高占据分子轨道能级的绝对值小于所述第二掺杂剂的最高占据分子轨道能级的绝对值，并且所述第一主体的最高占据分子轨道能级的绝对值和所述第一掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值之间的差为0.3eV或更小；或所述第二掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值小于所述第一掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值，并且所述第一主体的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值和所述第二掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值之间的差为0.3eV或更小。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值和所述第二掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值之间的差为0.3eV或更小。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，并且所述夹层进一步包括在所述第一电极和所述发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合的空穴传输区。4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，并且所述夹层进一步包括在所述第二电极和所述发射层之间并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合的电子传输区。5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射蓝光。6.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一种为磷光掺杂剂，并且所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的另一种为荧光掺杂剂。7.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述荧光掺杂剂为热激活延迟荧光掺杂剂。8.根据权利要求1所述的发光装置，其中在所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一种中，能量转移的发生比光的发射更活跃。9.根据权利要求1所述的发光装置，其中选自所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一种为磷光掺杂剂，并且选自所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的另一种为荧光掺杂剂，并且在所述磷光掺杂剂中，能量转移的发生比光的发射更活跃。10.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂的重量比为1:9至9:1。11.根据权利要求1所述的发光装置，其中
所述第一主体包括由式301表示的化合物、式301
‑
1表示的化合物、式301
‑
2表示的化合物或其任何组合，并且所述第一主体为用于传输空穴和电子二者的主体：式301[Ar
301
]
xb11
‑
[(L
301
)
xb1
‑
R
301
]
xb21
，其中，在式301中，Ar
301
和L
301
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，xb11为1、2或3，xb1为选自0至5的整数，R
301
为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、
‑
Si(Q
301
)(Q
302
)(Q
303
)、
‑
N(Q
301
)(Q
302
)、
‑
B(Q
301
)(Q
302
)、
‑
C(＝O)(Q
301
)、
‑
S(＝O)2(Q
301
)或
‑
P(＝O)(Q
301
)(Q
302
)，xb21为选自1至5的整数，并且Q
301
至Q
303
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C3‑
C
60
碳环基；未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C1‑
C
60
杂环基；未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C7‑
C
60
芳烷基；或者未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C2‑
C
60
杂芳烷基，式301
‑
1式301
‑
2其中，在式301
‑
1和式301
‑
2中，
环A
301
至环A
304
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，X
301
为O、S、N[(L
304
)
xb4
‑
R
304
]、C(R
304
)(R
305
)或Si(R
304
)(R
305
)，xb22和xb23各自独立地为0、1或2，L
301
至L
304
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，xb1至xb4各自独立地为选自0至5的整数，R
301
至R
305
和R
311
至R
314
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、
‑
Si(Q
301
)(Q
302
)(Q
303
)、
‑
N(Q
301
)(Q
302
)、
‑
B(Q
301
)(Q
302
)、
‑
C(＝O)(Q
301
)、
‑
S(＝O)2(Q
301
)或
‑
P(＝O)(Q
301
)(Q
302
)，Q
301
至Q
303
与参考式301描述的相同，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未取代的或被下述取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合；各自未取代的或被下述取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基或C2‑
C
60
杂芳烷基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且其中Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C3‑
C
60
碳环基；未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C1‑
C
60
杂环基；未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C7‑
C
60
芳烷基；或者未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C2‑
C
60
杂芳烷基。12.根据权利要求1所述的发光装置，进一步包括第二主体，其中所述第一主体和所述第二主体各自独立地包括由式301表示的化合物、式301
‑
1表示的化合物、式301
‑
2表示的化合物或其任何组合，并且所述第一主体为空穴传输主体，并且所述第二主体为电子传输主体：式301
[Ar
301
]
xb11
‑
[(L
301
)
xb1
‑
R
301
]
xb21
，其中，在式301中，Ar
301
和L
301
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，xb11为1、2或3，xb1为选自0至5的整数，R
301
为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、
‑
Si(Q
301
)(Q
302
)(Q
303
)、
‑
N(Q
301
)(Q
302
)、
‑
B(Q
301
)(Q
302
)、
‑
C(＝O)(Q
301
)、
‑
S(＝O)2(Q
301
)或
‑
P(＝O)(Q
301
)(Q
302
)，xb21为选自1至5的整数，并且Q
301
至Q
303
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C3‑
C
60
碳环基；未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C1‑
C
60
杂环基；未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C7‑
C
60
芳烷基；或者未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C2‑
C
60
杂芳烷基，式301
‑
1式301
‑
2其中，在式301
‑
1和式301
‑
2中，环A
301
至环A
304
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，X
301
为O、S、N[(L
304
)
xb4
‑
R
304
]、C(R
304
)(R
305
)或Si(R

【专利技术属性】
技术研发人员：金应道，秋昌雄，朴俊河，田美恩，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：