一种等价Cd制造技术

本发明专利技术提供一种等价Cd

【技术实现步骤摘要】
一种等价Cd
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替位Zn
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掺杂ZnIn2S4纳米片光阳极的制备方法


[0001]本专利技术属于无机光电化学
，具体涉及一种等价Cd
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替位Zn
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掺杂ZnIn2S4纳米片光阳极的制备方法。

技术介绍

[0002]环境能源，诸如石油、天然气、煤矿等是现代社会发展所不能缺少的主要能源，但是此类能源都有着污染环境和不能再生的问题，所以寻求新型的清洁可再生能源是当今社会严峻的挑战之一。氢气是一种绿色的、无污染的、可再生的能源、其有着非常高的能量密度。光电化学水分解制氢技术实现了太阳能到氢能的转换，是缓解能源危机和环境污染的有效策略之一。专利CN 114481192 A公开了一种Cd掺杂的TiO2/ZnIn2S4异质结光阳极，该专利技术的步骤较为复杂，其光生电子和空穴的复合率较高，光电转换效率有待提高。
[0003]二维三元硫化物ZnIn2S4纳米片光阳极,其直接带隙为2.2
‑
2.7eV，是理想的窄带隙光阳极半导体，具有良好的可见光吸收能力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等价Cd
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替位Zn
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掺杂ZnIn2S4纳米片光阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)准备洁净的导电玻璃FTO；(2)按预设比例称取ZnCl2、InCl3·
4H2O和CH4N2S放入烧杯中，加入去离子水和无水乙醇，得到溶液一；配制0.01mol/L的CdCl2水溶液作为溶液二；以预设比例将溶液二与溶液一均匀混合作为前体溶液；(3)将步骤(1)中所述导电玻璃FTO的导电面朝上，置于等离子体清洗机中处理并在有效时间内给FTO导电面的一端贴上耐高温胶带，再将两片FTO呈V字型放入聚四氟乙烯内胆中，并加入步骤(2)中制备的前体溶液，放入鼓风干燥箱中进行鼓风干燥处理，反应结束取出样品，用去离子水和无水乙醇反复冲洗表面杂质，得到等价Cd
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替位Zn
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掺杂ZnIn2S4纳米片光阳极。2.如权利要求1所述的一种等价Cd
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替位Zn
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掺杂ZnIn2S4纳米片光阳极的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述洁净的导电玻璃FTO是通过如下方式清洗得到的：用丙酮、无水乙醇、去离子水、无水乙醇依次进行超声清洗，清洗完毕后将导电玻璃FTO置于空气中自然晾干。3.如权利要求1所述的一种等价Cd
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替位Zn
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掺杂ZnIn2S4纳米片光阳极的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述溶液一的制备方法为：按质量份数称取34.8份ZnCl2、146.6份InCl3·
4H2O和152.2份CH4N2S，与质量份数为7.3
‑
8.8份去离子水和7.2份无水乙醇混合均匀，得到所述溶液一；所述前体溶液中，所述溶液二与溶液一...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙丽媛，李镇宇，潘丰，吕罡阳，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：