阵列基板和包括阵列基板的显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了阵列基板和包括阵列基板的显示装置。阵列基板包括基板、基板上方的屏蔽金属和薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在屏蔽金属上方的具有沟道区域的有源层、以及在屏蔽金属、有源层和阵列基板中的至少一个中的热梯度部分，以使沟道区域的第一区域的温度低于沟道区域的第二区域的温度。在沟道区域与屏蔽金属之间的冷却带由热梯度部分限定。包括限定薄膜晶体管与屏蔽金属之间的冷却带的热梯度部分的阵列基板和包括该阵列基板的显示装置可以改善扭结效应、维持高驱动电压、增加导通电流和/或改善开关特性。和/或改善开关特性。和/或改善开关特性。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和包括阵列基板的显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月12日提交于大韩民国的韩国专利申请第 10
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2021
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0155320号的优先权权益，其全部内容在此通过引用整体明确地 并入本申请。


[0003]本公开内容涉及阵列基板，并且更具体地涉及可以生成高驱动电流的 阵列基板和包括该阵列基板的显示装置。

技术介绍

[0004]随着信息技术的进步，已经开发了各种显示装置。在显示装置中，在 显示面板中具有自发光元件而不具有形成在显示面板外侧的背光单元的 显示装置吸引了聚光灯。在显示面板中具有自发光元件的显示装置包括具 有薄膜晶体管的阵列基板，该阵列基板在显示区域中限定了多个像素区 域，并且薄膜晶体管中的每一个对应于多个像素区域中的每一个子像素区 域。
[0005]作为示例，阵列基板包括：驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管向在 每个子像素区域处的电致发光(EL)二极管供应驱动电流；以及开关薄膜 晶体管，该开关薄膜晶体管向驱动薄膜晶体管供应栅极信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：基板；设置在所述基板上方的屏蔽金属；以及设置在所述屏蔽金属上方的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括在所述屏蔽金属上方的有源层，所述薄膜晶体管还包括源电极、漏电极和栅电极，其中，所述有源层包括沟道区域、定位在所述沟道区域的一侧处的源极区域和定位在所述沟道区域的相反侧处的漏极区域，并且其中，所述屏蔽金属、所述沟道区域和所述阵列基板中的至少一个包括热梯度部分，所述热梯度部分使所述沟道区域中的第一区域的温度不同于所述沟道区域中的第二区域的温度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述热梯度部分使所述沟道区域中的中心区域的温度低于所述沟道区域中的外围区域的温度。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述热梯度部分的宽度比所述沟道区域的宽度窄。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述热梯度部分包括形成在所述屏蔽金属和所述沟道区域中的一个上的突起，并且其中，所述突起朝向所述屏蔽金属和所述沟道区域中的另一个突出。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述屏蔽金属包括指向所述沟道区域的突起。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述屏蔽金属的突起被定位成与所述源极区域相比更靠近于所述漏极区域。7.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述沟道区域包括指向所述屏蔽金属的突起。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述沟道区域的突起被定位成与所述源极区域相比更靠近于所述漏极区域。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述热梯度部分包括设置在所述沟道区域上的外围区域上的热盖。10.一种阵列基板，包括：对应于多个子像素的多个薄膜晶体管；以及设置在所述多个薄膜晶体管中的每一个薄膜晶体管下方的屏蔽金属，其中，所述多个薄膜晶体管中的每一个薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层包括沟道区域、定位在所述沟道区域的一侧处的源极区域和定位在所述沟道区域的相反侧处的漏极区域；覆盖所述沟道区域的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的栅电极；覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅电极的层间绝缘层；源电极，所述源电极设置在所述层间绝缘层上并连接至所述源极区域；以及漏电极，所述漏电极设置在所述层间绝缘层上并连接至所述漏极区域，并且
其中，所述屏蔽金属、所述沟道区域和所述阵列基板中的至少一个包括热梯度部分，所述热梯度部分使所述沟道区域中的第一区域的温度不同于所述沟道...

【专利技术属性】
技术研发人员：延得豪，吴锦美，高宣煜，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：