一种IGBT功率单元及对插式结构制造技术

技术编号:37600205 阅读:57 留言:0更新日期:2023-05-18 11:50
本发明专利技术公开了一种IGBT功率单元及对插式结构,属于IGBT功率器件技术领域,用于解决目前IGBT功率组件方案拆装不便、规格不统一、杂感较大的技术问题,IGBT功率单元的结构具体包括IGBT模块和多个电容,所述IGBT模块与电容之间,以及相邻电容之间均采用对插式结构进行连接;所述对插式结构包括位于IGBT模块端部或电容端部的极片组件和卡固组件,所述极片组件伸入至所述卡固组件内以实现对插连接。本发明专利技术具有拆装简便、体积小、杂感小、功率密度大、可靠性高、规格统一便于批量生产、成本低等优点。成本低等优点。成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT功率单元及对插式结构


[0001]本专利技术主要涉及IGBT功率单元
,具体涉及一种IGBT功率单元及对插式结构。

技术介绍

[0002]IGBT功率单元是一种用于广泛应用于变频器和变流器的功率单元。在变频器、变流器不断发展创新的过程中,功率单元作为其核心部件,也同样向着更高功率密度、更低成本、更高可靠性、生产维护效率更高等趋势发展。所有IGBT功率单元都需要一个IGBT和电容组成电连接结构。电容负责供应直流网,储存能量,稳定电流波形,通过控制电路和驱动电路驱动并控制IGBT开关实现大功率变流。基本每个变频器、变流器都会有其功率单元,每个功率单元均有IGBT和电容,但现有IGBT功率单元中的IGBT模块和电容之间的结构形式有如下几个缺点:
[0003]1、现有IGBT模块和电容之间彼此器件分散独立,或者间隔较大距离,采用复合母排或者普通母排搭接,此种连接形式占用空间体积很大,整体不利于整机布局,整机不管是水冷还是风冷散热,难以提升功率密度,且这种功率单元结构平台受机组限制较大,无法面对多行业的平台化开发应用;
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT功率单元,包括IGBT模块(1)和多个电容(2),其特征在于,所述IGBT模块(1)与电容(2)之间,以及相邻电容(2)之间均采用对插式结构(3)进行连接;所述对插式结构(3)包括位于IGBT模块(1)端部或电容(2)端部的极片组件(31)和卡固组件(32),所述极片组件(31)伸入至所述卡固组件(32)内以实现对插连接。2.根据权利要求1所述的IGBT功率单元,其特征在于,所述极片组件(31)包括环状电极(311),所述卡固组件(32)包括环状簧片(321),每个环状电极(311)对应有两个环状簧片(321),两片环状簧片(321)用于夹设对应的环状电极(311)。3.根据权利要求2所述的IGBT功率单元,其特征在于,所述环状簧片(321)的纵截面呈波浪形或蛇形或折线形。4.根据权利要求2或3所述的IGBT功率单元,其特征在于,所述环状电极(311)包括正环状电极(3111)和负环状电极(3112),所述正环状电极(3111)和负环状电极(3112)之间设置有绝缘片(313),所述绝缘片(313)呈环状。5.根据权利要求2或3所述的IGBT功率单元,其特征在于,所述环状电极(311)和环状簧片(321)均为导电金属制成。6.根据权利要求5所述的IGBT...

【专利技术属性】
技术研发人员:王婷周晓云张洪浩曹强郭世慧范俊杰
申请(专利权)人:株洲变流技术国家工程研究中心有限公司
类型:发明
国别省市:

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