本发明专利技术涉及一种电路板、显示面板、显示装置和制作方法。电路板沿厚度方向包括相对设置的第一端部和第二端部；电路板还包括：金属走线层和连接层；金属走线层的数量至少为三层，分别为第一走线层、第二走线层和第三走线层。连接层包括电性连接的横向延伸部和竖向延伸部，横向延伸部的至少部分结构位于第一走线层中，竖向延伸部的一端连接横向延伸部，另一端延伸至靠近第二走线层的第三走线层。在上述结构中，避免第一走线层和连接层形成坡度较大的阶梯面，从而避免坡度较大的阶梯面刺破位于第一走线层和连接层的远离第二走线层的一侧的膜层，进而保证电路板的结构的完整性。进而保证电路板的结构的完整性。进而保证电路板的结构的完整性。
【技术实现步骤摘要】
电路板、显示面板、显示装置和制作方法
[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种电路板、显示面板、显示装置和制作方法。
技术介绍
[0002]现有电子设备通常包括电路板和显示模组，电路板和显示模组通过邦定的工艺实现电性连接，以实现电路板对显示模组的控制。然而，电路板中位于外侧的屏蔽层容易出现破损漏铜的现象。同时，一旦屏蔽层出现破损，则会严重影响电路板的抗ESD能力和抗EMI能力。
技术实现思路
[0003]本申请的目的在于提供一种电路板、显示面板、显示装置和制作方法，其可提升电路板中结构的完整性。
[0004]根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种电路板，所述电路板沿厚度方向包括相对设置的第一端部和第二端部；所述电路板还包括：
[0005]金属走线层，数量至少为三层，将靠近所述第一端部的金属走线层作为第一走线层，将靠近所述第二端部的金属走线层作为第二走线层，将位于所述第一走线层和所述第二走线层之间的金属走线层位于第三走线层；
[0006]连接层，包括电性连接的横向延伸部和竖向延伸部，所述横向延伸部的至少部分结构位于所述第一走线层中，所述竖向延伸部的一端连接所述横向延伸部，另一端延伸至所述第三走线层。
[0007]可选地，所述第一走线层的远离所述第三走线层的端面向下凹陷形成接地沉槽，所述横向延伸部的至少部分结构位于所述接地沉槽。
[0008]可选地，所述接地沉槽包括底面，所述底面向下凹陷形成竖向沉槽，所述竖向沉槽和所述接地沉槽连通，并且，沿厚度方向，所述竖向沉槽在所述第二走线层上的投影面积小于所述接地沉槽在所述第二走线层上的投影面积。
[0009]可选地，所述接地沉槽的厚度与所述第一走线层的厚度的比值大于等于1/5，并且，小于等于4/5。
[0010]可选地，将所述连接层的远离所述第二走线层的端面作为第一端面，将所述第一走线层的远离所述第二走线层的端面作为第二端面；
[0011]所述第一端面相较于所述第二端面远离所述第二走线层，并且，所述第一端面至所述第二端面的距离小于等于50微米。
[0012]可选地，所述第一端面沿自所述第一走线层指向所述第二走线层的方向凹陷形成凹槽。
[0013]可选地，所述凹槽的深度小于所述第一端面至所述第二端面的距离。
[0014]可选地，所述电路板包括封装模组，所述第一走线层的远离所述第二走线层的一
侧设置有所述封装模组；
[0015]所述第一走线层在所述第二走线层上的投影面积小于所述第三走线层在所述第二走线层上的投影的面积，所述第一走线层以及位于所述第一走线层上方的封装模组形成凸起的凸岛；
[0016]所述凸岛在所述第二走线层上的投影覆盖所述连接层在所述第二走线层上的投影。
[0017]可选地，所述电路板包括弯折区，所述电路板可在所述弯折区弯折并形成折痕；所述凸岛位于所述弯折区，并且，所述折痕至所述凸岛的最小距离大于等于0.1mm；和/或，
[0018]将所述横向延伸部在所述第二走线层上的投影面积作为第一面积，将位于上述凸岛中的第一走线层在所述第二走线层上的投影面积作为第二面积，所述第一面积和所述第二面积的比值大于等于1/4，并且，小于等于1/2。
[0019]可选地，沿厚度方向，所述横向延伸部在所述第二走线层的投影的面积大于等于0.001平方毫米，并且，小于等于0.1平方毫米。
[0020]可选地，所述连接层还包括连接部，所述连接部位于所述第三走线层，并与所述第三走线层电性连接；
[0021]所述竖向延伸部的一端连接所述横向延伸部，另一端延伸至所述连接部。
[0022]可选地，所述竖向延伸部在第二走线层上的投影面积小于连接部在所述第二走线层上的投影面积；和/或，
[0023]所述横向延伸部在所述第二走线层上的投影面积和所述连接部在第二走线层上的投影面积重合且相同。
[0024]根据本专利技术实施例的第二方面，提供一种显示面板，包括显示模组和上述的电路板，显示模组和所述电路板电性连接。
[0025]根据本专利技术实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括外壳和上述的显示面板，所述显示面板固定于所述外壳。
[0026]根据本专利技术实施例的第死方面，提供一种电路板的制作方法，所述制作方法用于制作上述的电路板；所述制作方法包括：
[0027]提供裸片，所述裸片至少包括三层金属走线层，将靠近所述第一端部的金属走线层作为第一走线层，将靠近所述第二端部的金属走线层作为第二走线层，将位于所述第一走线层和所述第二走线层之间的金属走线层位于第三走线层；
[0028]在所述裸片的远离所述第二走线层的一侧打孔，并在所述裸片上形成第一沉槽，所述第一沉槽延伸至所述第三走线层；
[0029]在所述裸片的远离所述第二走线层的一侧再次打孔，并在所述裸片上形成接地沉槽；所述接地沉槽位于所述第一走线层中，并且，所述接地沉槽在所述第二走线层上的投影覆盖所述第一沉槽在所述第二走线层上的投影；
[0030]在所述第一沉槽和所述接地沉槽中形成连接层，将位于所述接地沉槽中的所述连接层称之为横向延伸部，将所述连接层的其他部分称之为竖向延伸部，所述竖向延伸部的一端连接所述横向延伸部，另一端延伸至所述第三走线层。
[0031]本申请提供的上述电路板、显示面板、显示装置和制作方法。电路板中的横向延伸部的至少部分结构位于第一走线层中，避免第一走线层和连接层形成坡度较大的阶梯面，
从而避免坡度较大的阶梯面刺破位于第一走线层和连接层的远离第二走线层的一侧的膜层，进而保证电路板的结构的完整性。
[0032]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。
附图说明
[0033]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的远离。
[0034]图1为根据本专利技术一实施例示出的电子设备的结构示意图；
[0035]图2为一种电路板的结构示意图；
[0036]图3为根据本专利技术一实施例示出的电子设备中电路板的结构示意图；
[0037]图4为根据本专利技术另一实施例示出的电子设备中电路板的结构示意图；
[0038]图5为根据本专利技术一实施例示出的电路板的制作方法的流程示意图；
[0039]图6为根据本专利技术一实施例示出的电子设备中电路板在制作过程中的结构示意图；
[0040]图7为根据本专利技术一实施例示出的电子设备中电路板在制作过程中的另一结构示意图；
[0041]图8为根据本专利技术一实施例示出的电子设备中电路板在制作过程中的再一结构示意图；
[0042]图9为根据本专利技术一实施例示出的电子设备中电路板在制作过程中的又一结构示意图；
[0043]图10为根据本专利技术一实施例示出的电子设备中电路板在制作过程中的又一结构示意图；
[0044]图11为根据本专利技术一实施例示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电路板，其特征在于，所述电路板沿厚度方向包括相对设置的第一端部和第二端部；所述电路板还包括：金属走线层，数量至少为三层，将靠近所述第一端部的金属走线层作为第一走线层，将靠近所述第二端部的金属走线层作为第二走线层，将位于所述第一走线层和所述第二走线层之间的金属走线层位于第三走线层；连接层，包括电性连接的横向延伸部和竖向延伸部，所述横向延伸部的至少部分结构位于所述第一走线层中，所述竖向延伸部的一端连接所述横向延伸部，另一端延伸至第三走线层。2.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述第一走线层的远离所述第三走线层的端面向下凹陷形成接地沉槽，所述横向延伸部的至少部分结构位于所述接地沉槽。3.如权利要求2所述的电路板，其特征在于，所述接地沉槽包括底面，所述底面向下凹陷形成竖向沉槽，所述竖向沉槽和所述接地沉槽连通，并且，沿厚度方向，所述竖向沉槽在所述第二走线层上的投影面积小于所述接地沉槽在所述第二走线层上的投影面积。4.如权利要求2所述的电路板，其特征在于，所述接地沉槽的厚度与所述第一走线层的厚度的比值大于等于1/5，并且，小于等于4/5。5.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，将所述连接层的远离所述第二走线层的端面作为第一端面，将所述第一走线层的远离所述第二走线层的端面作为第二端面；所述第一端面相较于所述第二端面远离所述第二走线层，并且，所述第一端面至所述第二端面的距离小于等于50微米。6.如权利要求5所述的电路板，其特征在于，所述第一端面沿自所述第一走线层指向所述第二走线层的方向凹陷形成凹槽。7.如权利要求6所述的电路板，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述第一端面至所述第二端面的距离。8.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述电路板包括封装模组，所述第一走线层的远离所述第二走线层的一侧设置有所述封装模组；所述第一走线层在所述第二走线层上的投影面积小于所述第三走线层在所述第二走线层上的投影的面积，所述第一走线层以及位于所述第一走线层上方的封装模组形成凸起的凸岛；所述凸岛在所述第二走线层上的投影覆盖所述连接层在所述第二走线层上的投影。9.如权利要求8所述的电路板，其特征在于，所述电路板包括弯折区，所述电路板可在所述弯折区弯折并形成折痕；所述凸岛位于所述弯折区，并且，所述折痕至所述凸岛...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺雪英，王明强，包征，魏向东，张家祥，傅晓亮，张斌，罗赞，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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