一种确保数据安全的方法、设备及存储系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种确保数据安全的方法、设备及存储系统。本发明专利技术实施例公开的方法包括：获取电源装置的当前蓄电能力；根据所述电源装置的当前蓄电能力对缓存装置的缓存数据量进行控制。所述设备包括：控制装置及缓存装置，所述控制装置用于获取为所述设备提供电力的电源装置的当前蓄电能力，根据所述电源装置的当前蓄电能力对缓存装置的缓存数据量进行控制；所述缓存装置，用于根据所述控制装置进行的控制缓存数据。通过本发明专利技术实施例，在发生异常掉电的情况下，避免电源装置老化对数据安全带来的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据存储
，尤其涉及一种确保数据安全的方法、设 备及存储系统。
技术介绍
固态硬盘(SSD, Solid State Disk)作为一种存储设备，由控制单元以及 存储单元等组成。SSD不具有机械转动装置，具有读写性能高、抗震能力强、 电源开销小等特性，广泛应用于车载、视频监控、电力、航空等
以控制单元为闪存(Flash)控制器，存储单元为非易失性的Flash芯片或 者Flash芯片阵列为例，SSD数据写入一般分为两种方式，分别为直接写入 方式与緩存写入方式。直接写入方式一般基于不带緩存装置(Cache )的SSD。 数据由SSD的接口进入，由Flash控制器进行调度、分配、处理，写入Flash 芯片或者Flash芯片阵列中对应的Flash芯片。緩存写入一般基于带緩存装置 的SSD。数据由SSD的接口进入，緩存于緩存装置中，当数据到达一定数量 或者緩存一定时间后，再由緩存装置写入Flash芯片或者Flash芯片阵列中对 应的Flash芯片。直接写入方式速度较慢，数据安全性较高，不会发生异常掉电时数据丢 失的问题。緩存写入方式速度较快，数据安全性较低，异常掉电会使数据丟 失，不能保证数据的完整性。为了使SSD进行数据写入时，既具有较快的速度，又具有较高的安全性， 现有实现方案为在SSD架构中加入充放电装置与电源装置。发生异常掉电 时，电源装置通过充放电装置向Flash控制器继续供电，以使緩存于緩存装置 中的数据能够继续写入Flash芯片或者Flash芯片阵列中对应的Flash芯片。专利技术人在研究过程中，发现上述为了使SSD进行数据写入时，既具有较 快的速度，又具有较高的安全性的现有实现方案至少存在以下缺点在发生 异常掉电的情况下，无法避免电源装置老化对数据安全带来的影响。具体地， 电源装置使用一段时间以后，蓄电能力降低，在异常掉电时，无法保证緩存于緩存装置中的数据完整写入Flash芯片或者Flash芯片阵列中对应的Flash 芯片，数据安全存在风险。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种确保数据安全的方法、设备及存储系统，以在 发生异常掉电的情况下，避免电源装置老化对数据安全带来的影响。一种确保数据安全的方法，所述方法包括获:f又电源装置的当前蓄电能力；根据所述电源装置的当前蓄电能力对緩存装置的緩存数据量进行控制。一种确保数据安全的设备，所述设备包括控制装置及緩存装置所述控制装置，用于获取为所述设备提供电力的电源装置的当前蓄电能 力，根据所述电源装置的当前蓄电能力对所述緩存装置的緩存数据量进行控 制；所述緩存装置，用于根据所述控制装置进行的控制緩存数据。一种确保数据安全的存储系统，包括控制装置、緩存装置以及至少一 个存储设备，所述控制装置，用于获取为所述存储系统提供电力的电源装置的当前蓄 电能力，根据所述电源装置的当前蓄电能力对所述緩存装置的緩存数据量进 行控制；所述緩存装置，用于根据所述控制装置进行的控制緩存数据；所述存储设备，用于接收来自所述控制装置或者所述緩存装置的数据。 可以看出，由于控制装置可以获取电源装置的当前蓄电能力，根据电源装置的当前蓄电能力对緩存装置进行控制，在发生异常掉电的情况下，避免了电源装置老化对数据安全带来的影响。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实 施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术实施例方法流程图； 图2为本专利技术实施例具体方法流程图； 图3为本专利技术实施例数据流示意图； 图4为本专利技术实施例设备结构框图； 图5为本专利技术实施例存储系统具体架构图一； 图6为本专利技术实施例存储系统具体架构图二。 具体实施例方式为了使本专利技术实施例的上述特征、优点更加明显易懂，下面结合具体实 施方式对本专利技术实施例进行详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通 技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本 专利技术保护的范围。请参考图1,为本专利技术实施例方法流程图，可以包括以下步骤 步骤101:获取电源装置的当前蓄电能力；步骤102:根据所述电源装置的当前蓄电能力对緩存装置的緩存数据量进 行控制。本专利技术实施例的执行主体可以是SSD存储系统中的SSD的控制单元，所 述SSD的控制单元可以包括Flash控制器，SSD存储系统中的非易失性存储 介质可以包括Flash芯片或者Flash芯片阵列。下面以Flash控制器、Flash芯 片或者Flash芯片阵列为例，对图l所示步骤进行详细说明。请参考图2，为本专利技术实施例具体方法流程图，可以包括以下步骤步骤201: Flash控制器周期性检测电源装置的当前蓄电能力；电源装置当前蓄电能力的值可以记为POWERnow,电源装置蓄电能力满 载时的值可以^己为POWERmax。步骤202: Flash控制器根据电源装置的当前蓄电能力对緩存装置进行控制；在步骤202中，Flash控制器对緩存装置进行控制可以通过如下方式实现 緩存装置可以緩存的数据量是由緩存装置中有效的存储空间确定的，在电源 装置蓄电能力下降时，若电源装置的POWERnow不小于门卩艮值，Flash控制 器控制緩存装置中的有效存储空间相应地减少。例如，若緩存装置的有效存 储空间为64M, Flash控制器可以控制緩存装置的有效存储空间减少为30M。 若电源装置的POWERnow小于门限值，表示电源装置的蓄电能力无法保证 Flash控制器控制緩存装置向Flash芯片或者Flash芯片阵列写入数据，Flash 控制器关闭緩存装置。步骤202中，在电源装置蓄电能力下降，且电源装置的POWERnow不小 于门限值时，进入步骤203，在电源装置的POWERnow小于门限值时，进入 步骤204。步骤203: Flash控制器将数据緩存于緩存装置中，并控制緩存装置将緩 存的数据写入Flash芯片或者Flash芯片阵列，流程结束。步骤204:直接将数据写入Flash芯片或者Flash芯片阵列，流程结束。当电源装置的POWERnow不小于门卩艮值时，电源装置的当前蓄电能力可 以保证在Flash控制器的控制下，将緩存装置中緩存的数据写入Flash芯片或 者Flash芯片阵列。緩存装置中緩存数据量满载的值可以记为DATAmax,緩存装置中当前緩 存数据量可以记为DATAnow。緩存装置中的緩存数据量随着电源装置蓄电能 力的变化而变化可以至少通过如下两种方式实现第一种方式包括若电源装置的POWERnow大于第 一 门限值，小于电源装置蓄电能力满载 时的值，则控制缓存装置中的緩存数据量为第 一预设值；若电源装置的POWERnow大于等于第二门限值，小于等于第一门限值， 则控制緩存装置中的緩存数据量由第 一预设值至第二预设值线性递减。具体地，可以参见如下实例若POWERnow = POWERmax,则緩存装置中DATAnow = DATAmax;若0.8xpoWERmax < POWERnow < POWERma本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种确保数据安全的方法，其特征在于，所述方法包括：　获取电源装置的当前蓄电能力；　根据所述电源装置的当前蓄电能力对缓存装置的缓存数据量进行控制。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柯乔，徐君，
申请(专利权)人：成都市华为赛门铁克科技有限公司，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]