一种磁屏蔽外壳及具有该磁屏蔽外壳的电流传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种磁屏蔽外壳及具有该磁屏蔽外壳的电流传感器，该磁屏蔽外壳的内部形成用于收纳传感器本体的中空腔体，磁屏蔽外壳包括：至少一层磁屏蔽层；其中，磁屏蔽层上设有引线孔，用于引入及引出传感器本体的信号线；磁屏蔽层用于调控外部磁场的分布，以使中空腔体内形成磁屏蔽空间，使得传感器本体免受外界干扰。本发明专利技术通过磁屏蔽层上的引线孔引入及引出传感器本体的信号线，确保传感器本体的使用，通过至少一层磁屏蔽层，可调控外部磁场在磁屏蔽外壳上的分布，使得磁屏蔽外壳的内部形成磁屏蔽空间，传感器本体置于磁屏蔽空间内，免受外界磁场干扰，从而保证传感器本体测量的准确性。准确性。准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种磁屏蔽外壳及具有该磁屏蔽外壳的电流传感器


[0001]本专利技术涉及电流信号检测
，具体而言，涉及一种磁屏蔽外壳及具有该磁屏蔽外壳的电流传感器。

技术介绍

[0002]泄漏电流与电力设备绝缘状态密不可分，泄漏电流是指在施加电压的条件下，高电位与低电位之间，在绝缘内部、绝缘表面所形成的电流。电力设备的泄漏电流测量属于高电压、强磁场、微电流的精密测量范畴，一般μA级/mA级，极易受到外界环境干扰，对测量方法的要求很高。泄漏电流通常采用非接触式电流传感器进行测量，因此，此类传感装置极易受到外部磁场干扰，尤其是频率相近的工频磁场。
[0003]目前，高压套管全电压全电流试验平台中，高压套管电压42.5kV，导电杆中负荷电流1600A时，其在套管末屏处产生的磁感应强度约1.2mT，磁场干扰导致套管末屏泄漏电流测量值与真实值（导杆载流为0A时测量）比较，相位偏差达11
°
，幅值由2.86mA变为5.09mA，偏差达﹢78%。由此可见，磁场对泄漏电流测量准确性影响是非常严重的，这种由磁场干扰导致的测量误差对于设备绝缘状态监测来说是不可接受的。此外对于其他电力设备如避雷器、互感器等泄漏电流测量也会存在相同问题。经调研，目前电流传感器所采用的磁场屏蔽结构相对较为简单，均无法满足现场运行。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本专利技术提出了一种磁屏蔽外壳及具有该磁屏蔽外壳的电流传感器，旨在解决现有电流传感器所采用的磁场屏蔽结构相对较为简单均无法满足现场运行的问题。
[0005]一方面，本专利技术提出了一种磁屏蔽外壳，该磁屏蔽外壳的内部形成用于收纳传感器本体的中空腔体，所述磁屏蔽外壳包括：至少一层磁屏蔽层；其中，所述磁屏蔽层上设有引线孔，用于引入及引出所述传感器本体的信号线；所述磁屏蔽层用于调控外部磁场的分布，以使所述中空腔体内形成磁屏蔽空间，使得所述传感器本体免受外界干扰。
[0006]进一步地，上述磁屏蔽外壳，各所述磁屏蔽层均包括：至少一层屏蔽层本体；其中，各层屏蔽层本体上均设有沿开孔线设置的穿线孔，作为引线孔；其中，所述开孔线为经过所述磁屏蔽空间中心的直线。
[0007]进一步地，上述磁屏蔽外壳，各所述屏蔽层本体均包括：依次设置的阻磁层和导磁层；其中，所述阻磁层和所述导磁层上均设有贯穿孔，并且，所述阻磁层上的贯穿孔和所述导磁层上的贯穿孔相连通，形成穿线孔。
[0008]进一步地，上述磁屏蔽外壳，所述阻磁层为非铁磁性材料层，所述导磁层为铁磁性材料层。
[0009]进一步地，上述磁屏蔽外壳，所述阻磁层为铝层、空气层或绝缘层，所述导磁层为坡莫合金层。
[0010]进一步地，上述磁屏蔽外壳，所述屏蔽层本体为至少两层，任意相邻两层所述屏蔽
层本体上的穿线孔分别在所述磁屏蔽空间中心的两侧同轴且反向布置。
[0011]进一步地，上述磁屏蔽外壳，所述磁屏蔽层为单层，并且，所述磁屏蔽层的屏蔽层本体为单层，用于屏蔽单向磁场；所述屏蔽层本体上的穿线孔与所述单向磁场的磁场方向垂直设置。
[0012]进一步地，上述磁屏蔽外壳，所述磁屏蔽层为至少两层，任意相邻两层所述磁屏蔽层上的引线孔之间均呈夹角设置。
[0013]进一步地，上述磁屏蔽外壳，所述磁屏蔽层为三层，自内而外依次为x轴磁屏蔽层、y轴磁屏蔽层和z轴磁屏蔽层；其中，x轴、y轴、z轴为空间直角坐标系的3个坐标轴，所述空间直角坐标系的原点为所述磁屏蔽空间的中心；所述x轴磁屏蔽层上设置的引线孔沿x轴设置，所述y轴磁屏蔽层上设置的引线孔沿y轴设置，所述z轴磁屏蔽层上设置的引线孔沿z轴设置。
[0014]进一步地，上述磁屏蔽外壳，相邻两层所述磁屏蔽层中的一层所述磁屏蔽层上设有引线槽，两端分别与相邻两层所述屏蔽层上的引线孔相连通。
[0015]进一步地，上述磁屏蔽外壳，所述磁屏蔽层为球体、圆柱体、正方体或长方体。
[0016]本专利技术提供的磁屏蔽外壳，通过磁屏蔽层上的引线孔引入及引出传感器本体的信号线，确保传感器本体的使用，通过至少一层磁屏蔽层，可调控外部磁场在磁屏蔽外壳上的分布，使得磁屏蔽外壳的内部形成磁屏蔽空间，传感器本体可置于磁屏蔽空间内，免受外界磁场干扰，从而保证传感器本体测量的准确性。同时，该磁屏蔽外壳结构简单且屏蔽效能极高，特别适用于电力设备等邻近强磁场区域内的微电流精确感知与测量。
[0017]另一方面，本专利技术还提出了一种电流传感器，该电流传感器包括：上述磁屏蔽外壳以及设置在磁屏蔽外壳内部的传感器本体。
[0018]由于磁屏蔽外壳具有上述效果，所以具有该磁屏蔽外壳的电流传感器也具有相应的技术效果。
附图说明
[0019]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1为本专利技术实施例提供的磁屏蔽外壳的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的磁屏蔽外壳的又一方向结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的电流传感器的一种绕线连接结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的电流传感器的另一种绕线连接结构示意图。
具体实施方式
[0020]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。
[0021]磁屏蔽外壳实施例：参见图1至图4，其示出了本专利技术实施例提供的磁屏蔽外壳的优选结构。如图所示，该磁屏蔽外壳的内部形成用于收纳传感器本体3的中空腔体，磁屏蔽外壳1包括：至少一层磁屏蔽层1；其中，磁屏蔽层1上设有引线孔11，用于引入及引出传感器本体3的感知数据输出线31和/或待测电流线4，以通过所述传感器本体3感知所述待测电流线4上流通的电流，获取所述待测电流线4的电流数据，并通过所述感知数据输出线31输出至所述磁屏蔽外壳的外部；磁屏蔽层1用于调控外部磁场的分布，以使中空腔体内形成磁屏蔽空间2，使得传感器本体3免受外界干扰。
[0022]具体地，磁屏蔽层1为至少一层，可调控外部磁场在磁屏蔽外壳上的分布，以在磁屏蔽外壳的内部可营造出一个磁屏蔽空间2，即使得中空腔体内形成磁屏蔽空间2，传感器本体3可置于磁屏蔽空间2内，免受外界磁场干扰，从而保证传感器本体3测量的准确性；同时，为实现内部传感器本体3与外部设备之间信号的传输，在本实施例中，各个磁屏蔽层1上均可设有引线孔11，用于传感器本体3的感知数据输出线31和/或待测电流线4的引入及引出。其中，如图1和图2所示，磁屏蔽层1可以为球体，当然，在其他实施例中，磁屏蔽层1还可以为圆柱体、正方体或长方体等其他适合的结构，本实施例中对其不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁屏蔽外壳，其特征在于，所述磁屏蔽外壳的内部形成用于收纳传感器本体的中空腔体，所述磁屏蔽外壳包括：至少一层磁屏蔽层；其中，所述磁屏蔽层上设有引线孔，用于引入及引出所述传感器本体的感知数据输出线和/或待测电流线，以通过所述传感器本体感知所述待测电流线上流通的电流，获取所述待测电流线的电流数据，并通过所述感知数据输出线输出至所述磁屏蔽外壳的外部；所述磁屏蔽层用于调控外部磁场的分布，以使所述中空腔体内形成磁屏蔽空间，使得所述传感器本体免受外界干扰。2.根据权利要求1所述的磁屏蔽外壳，其特征在于，各所述磁屏蔽层均包括：至少一层屏蔽层本体；其中，各层屏蔽层本体上均设有沿开孔线设置的穿线孔，作为引线孔；其中，所述开孔线为经过所述磁屏蔽空间中心的直线。3.根据权利要求2所述的磁屏蔽外壳，其特征在于，各所述屏蔽层本体均包括：依次设置的阻磁层和导磁层；其中，所述阻磁层和所述导磁层上均设有沿开孔线设置的贯穿孔，并且，所述阻磁层上的贯穿孔和所述导磁层上的贯穿孔相连通，形成穿线孔。4.根据权利要求3所述的磁屏蔽外壳，其特征在于，所述阻磁层为非铁磁性材料层，所述导磁层为铁磁性材料层。5.根据权利要求2所述的磁屏蔽外壳，其特征在于，所述屏蔽层本体为至少两层，任意相邻两层所述屏蔽层本体上的穿线孔分别在所述磁屏蔽空间中心的两侧同轴且反向布置。6.根据权利要求2所述的磁屏蔽外壳，其特征在于，所述磁屏蔽层为单层，并且，所述磁屏蔽层的屏蔽层本体为单层，用于屏蔽单向...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹朋博，胡伟，许佐明，谢雄杰，罗晓庆，叶奇明，刘泰蔚，唐梦莉，陈二松，
申请(专利权)人：国网河北省电力有限公司电力科学研究院国家电网有限公司，
类型：发明
国别省市：