逆变器装置及具备该逆变器装置的车辆用电动压缩机制造方法及图纸

技术编号:37553400 阅读:28 留言:0更新日期:2023-05-15 07:38
本发明专利技术的目的在于提供一种能够可靠地保护功率用半导体元件,进而能够实现考虑了耐压的最佳动作的逆变器装置。该逆变器装置具有在温度传感器(22)检测出的温度Tth加上基于功率用半导体元件(16U~17W)的损耗P得到的温度上升值ΔT来推定结温Tj的结温推定计算部(32),在推定结温Tj时,在将功率用半导体元件(16U~17W)以外的其他电子元器件、控制基板(11)的布线图案的发热对温度传感器(22)的影响排除在外的方向上进行校正。外的方向上进行校正。外的方向上进行校正。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】逆变器装置及具备该逆变器装置的车辆用电动压缩机


[0001]本专利技术涉及例如使电动压缩机的电动机运转的逆变器装置及具备该逆变器装置的车辆用电动压缩机。

技术介绍

[0002]近年来,由于环境问题,混合动力汽车和电动汽车备受关注,但在这种混合动力汽车等空调装置中,作为制冷剂压缩机使用电动压缩机。该电动压缩机是由车辆的电池(电源)供电的电动机来驱动压缩要素,而该电动机通过逆变器装置来运行。
[0003]这种逆变器装置通过对桥式结构的功率用半导体元件(IGBT或MOSFET等)进行开关,来控制电动机的各相的通电,但这些功率用半导体元件的损耗部分会产生发热,因此,尤其是在发动机室等苛刻的温度(高温)环境下使用电动压缩机的车辆用电动压缩机的情况下,构成逆变器装置的功率用半导体元件的过热保护变得极为重要。
[0004]作为考虑到上述的功率用半导体元件的发热的保护方式,存在推定功率用半导体元件的结温,并基于该结温已上升到规定值的情况来停止运行的保护方式。该结温是指功率用半导体元件内部的芯片温度(IGBT芯片或MOSFET芯片和FWD芯片的表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种逆变器装置,具备具有功率用半导体元件的逆变器电路和驱动所述功率用半导体元件的逆变器控制部,该逆变器装置的特征在于,具备对所述功率用半导体元件附近的温度进行检测的温度检测器,所述逆变器控制部具有:损耗计算部,该损耗计算部计算所述功率用半导体元件的损耗P;以及结温推定计算部,该结温推定计算部将所述温度检测器检测出的温度Tth加上根据所述损耗计算部计算出的所述功率用半导体元件的损耗P得到的温度上升值ΔT,从而推定该功率用半导体元件的结温Tj,该结温推定计算部在推定所述结温Tj时,在将所述功率用半导体元件以外的其他电子元器件和/或控制基板的布线图案的发热对所述温度检测器的影响排除在外的方向上进行校正。2.如权利要求1所述的逆变器装置,其特征在于,所述温度检测器配置在安装有所述其他电子元器件的所述控制基板上。3.如权利要求1或2所述的逆变器装置,其特征在于,所述结温推定计算部对所述功率用半导体元件的损耗P乘以规定的热变量α来计算所述温度上升值ΔT,并且基于动作状态,通过变更所述热变量α,在将所述其他电子元器件和/或所述控制基板的布线图案的发热对所述温度检测器的影响排除在外的方向上进行校正。4.如权利要求3所述的逆变器装置,其特征在于,在所述动作状态下,包含电源电压、相电流、以及输入电流中的任一个、或者它们的组合、或者它们全部。5.如权利要求4所述的逆变器装置,其特征在于,所述热变量α被映射为由所述电源电压、所述相电流及所述输入电流中的至少2个所决定的值。6.如权利要求4或5所述的逆变器装置,其特征在于,所述电源电压越高,则所述热变量α越大。7.如权利要求4或5所述的逆变器装置,其特征在于,所述相电流越大,则所述热变量α越小。8.如权利要求4或5所述的逆变器装置,其特征在于,所述输入电流越大,则所述热变量α越小。9.如权利要求1至8中任一项所述的逆变器装置,其特征在于,所述逆变器控制部在所述结温推定计算部推定出的所述功率用半导体元件的结温Tj超过规定值时,执行规定的保护动作。10.一种车辆用电动压缩机,其特征在于,包括由权利要求1至9中任一项所述的逆变器装置进行运转的电动机和收纳该电动机的壳体,所述功率用半导体元件与所述壳体的低温部位被配置成热交换关系。11.一种车辆用电动压缩机,包括:逆变器装置,该逆变器装置包括具有功率用半导体元件的逆变器电路和驱动所述功率用半导体元件的逆变器控制部;由该逆变器装置而运转的电动机;以及收容该电动机的壳体,所述功率用半导体元件经由所述壳体与吸入制冷剂
配置成热交换关系,该车辆用电动压缩机的特征在于,具备对所述功率用半导体元件附近的温度进行检测的温度检测器,所述逆变器控制部具有:损耗计算部,该损耗计算部计算所述功率用半导体元件的损耗P;以及结温推定计算部,该结温推定计算部将所述温度检测器检测出的温度Tth加上根据所述损耗计算部计算出的所述功率用半导体元件的损耗P得到的温度上升值ΔT,从而推定该功率用半导体元件的结温Tj,该结温推定计算部在推定所述结温Tj时,在所述电动机转速越高则越降低的方向上校正...

【专利技术属性】
技术研发人员:斋藤淳
申请(专利权)人:三电株式会社
类型:发明
国别省市:

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