一种显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板和显示装置。其中，显示面板包括：衬底基板；至少一个薄膜晶体管，位于衬底基板的一侧，薄膜晶体管包括有源层，有源层包括接触部、沟道部和掺杂部，掺杂部位于接触部和沟道部之间；第一金属层，位于薄膜晶体管背离衬底基板的一侧，第一金属层包括第一开口；沿垂直于显示面板所在平面的方向，掺杂部与第一开口至少部分交叠。其中，掺杂部可降低接触部所在区域的电场，进而减少薄膜晶体管的漏电流。设置第一开口与掺杂部沿垂直显示面板所在平面的方向交叠，可减弱第一金属层的电场对掺杂部的影响，提升薄膜晶体管的性能稳定性，进而改善显示面板的显示性能。进而改善显示面板的显示性能。进而改善显示面板的显示性能。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板和显示装置


[0001]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]目前，显示技术渗透到了人们日常生活的各个方面，相应地，越来越多的材料和技术被用于显示屏。显示面板作为显示装置的重要组成部分用于实现显示装置的显示功能。当今，显示面板主要包括液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)以及有机发光二极管显示(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)面板等。
[0003]现有技术中利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)作为LCD和OLED显示面板中的主要驱动元件，如何提高薄膜晶体管的稳定性是显示
一个重要研究问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种显示面板和显示装置，以提升薄膜晶体管的稳定性，提高显示性能。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括：
[0006]衬底基板；
[0007]至少一个薄膜晶体管，位于所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括接触部、沟道部和掺杂部，所述掺杂部位于所述接触部和所述沟道部之间；
[0008]第一金属层，位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板的一侧，所述第一金属层包括第一开口；沿垂直于所述显示面板所在平面的方向，所述掺杂部与所述第一开口至少部分交叠。
[0009]第二方面，本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括本专利技术第一方面所述的显示面板。
[0010]本专利技术实施例中，显示面板包括衬底基板；至少一个薄膜晶体管，位于衬底基板的一侧，薄膜晶体管包括有源层，有源层包括接触部、沟道部和掺杂部，掺杂部位于接触部和沟道部之间；第一金属层，位于薄膜晶体管背离衬底基板的一侧，第一金属层包括第一开口；沿垂直于显示面板所在平面的方向，掺杂部与第一开口至少部分交叠。其中，掺杂部可降低接触部所在区域的电场，进而减少薄膜晶体管的漏电流。设置第一开口与掺杂部沿垂直显示面板所在平面的方向交叠，可减弱第一金属层的电场对掺杂部的影响，避免电场影响薄膜晶体管的阈值电压和关态电压等，提升薄膜晶体管的性能稳定性，进而改善显示面板的显示性能。
附图说明
[0011]图1为本专利技术实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
[0012]图2为图1所示显示面板的局部剖面结构示意图；
[0013]图3为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管IDVG曲线的示意图；
[0014]图4为本专利技术实施例提供的一种显示面板的局部剖面结构示意图；
[0015]图5为本专利技术实施例提供的一种显示面板的局部俯视结构示意图；
[0016]图6为图5沿A
‑
A
’
方向的剖面结构示意图；
[0017]图7为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的局部俯视结构示意图；
[0018]图8为图7沿B
‑
B
’
方向的剖面结构示意图；
[0019]图9为本专利技术实施例提供的又一种显示面板的局部俯视结构示意图；
[0020]图10为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的局部剖面结构示意图；
[0021]图11为本专利技术实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
[0022]图12为本专利技术实施例提供的再一种显示面板的局部剖面结构示意图；
[0023]图13为本专利技术实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
[0024]图14为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0025]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0026]基于
技术介绍
中提到的现有技术的缺陷，本专利技术实施例提供了一种显示面板，以提升显示面板中薄膜晶体管性能稳定性，进而改善显示面板的显示性能。图1为本专利技术实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，图2为图1所示显示面板的局部剖面结构示意图，如图1和图2所示，显示面板包括：衬底基板1；至少一个薄膜晶体管2，位于衬底基板1的一侧，薄膜晶体管2包括有源层3，有源层3包括接触部4、沟道部5和掺杂部6，掺杂部6位于接触部4和沟道部5之间；第一金属层7，位于薄膜晶体管2背离衬底基板1的一侧，第一金属层7包括第一开口8；沿垂直于显示面板所在平面的方向Z，掺杂部6与第一开口8至少部分交叠。
[0027]参考图1和图2，本申请中，显示面板包括衬底基板1以及位于衬底基板1一侧表面的薄膜晶体管2。衬底基板1可为刚性基板，例如玻璃基板，衬底基板1还可为柔性基板，例如聚酰亚胺基板，但不局限于此。衬底基板1和薄膜晶体管2所在膜层之间还可设置其他膜层，例如缓冲层(图中未示出)等，本专利技术实施例对此不赘述也不限定。
[0028]显示面板包括显示区AA以及围绕显示区的非显示区NA。显示区AA内设置有阵列排布的多个子像素单元01，每个子像素单元01内包括发光结构(图中未示出)以及像素驱动电路02，像素驱动电路02用于促使发光结构出光或驱动发光结构发光。当显示面板为LCD显示面板时，发光结构可包括层叠设置的像素电极、液晶分子和公共电极，像素驱动电路02可与对应的子像素单元01的像素电极电连接，像素电极与公共电极之间形成的电场促使该子像素单元01内的液晶分子偏转，使背光源发出的光透过液晶分子层，实现正常显示；当显示面板为OLED显示面板时，发光结构可为包括层叠设置的阳极、发光材料和阴极，像素驱动电路02可与对应的子像素单元01的阳极电连接，阳极中的空穴与阴极中的电子在发光材料中结合，发光材料发光，进而实现正常显示。本申请实施例中将以显示面板为OLED显示面板为例进行介绍。对于其他类型的显示面板，在本申请中的技术方案的基础上进行适应性调整即可。
[0029]显示面板中的非显示区NA中设置有至少一个像素驱动控制电路03，像素驱动控制
电路03可包括级联设置的多个移位寄存单元(图中未示出)。每级移位寄存单元与同一行子像素单元01内的像素驱动电路02电连接，用于向像素驱动电路02提供驱动控制信号，像素驱动电路02根据驱动控制信号工作。图1所示俯视图中仅示出了像素驱动电路02和像素驱动控制电路03等部分结构，未示出薄膜晶体管2、第一金属层7等其他膜层结构。
[0030]本申请实施例中所述的薄膜晶体管2，既可为像素驱动电路02中的薄膜晶体管2，也可为像素驱动控制电路03中的薄膜晶体管2，本专利技术对此不作限定。
[0031]参考图2，薄膜晶体管2包括有源层3，有源层3可为多晶硅有源层，例如可为低温多晶硅(Low Temperature Poly
‑
Silicon，LTPS)，但不限于此。多晶硅薄膜晶体管2具有开关速度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板；至少一个薄膜晶体管，位于所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括接触部、沟道部和掺杂部，所述掺杂部位于所述接触部和所述沟道部之间；第一金属层，位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板的一侧，所述第一金属层包括第一开口；沿垂直于所述显示面板所在平面的方向，所述掺杂部与所述第一开口至少部分交叠。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括阳极层，位于所述第一金属层背离所述衬底基板的一侧；所述阳极层包括第二开口，沿垂直于所述显示面板所在平面的方向，所述掺杂部与所述第二开口至少部分交叠。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述显示面板所在平面的方向，所述第一开口与所述第二开口至少部分交叠。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述显示面板所在平面的方向，所述第一开口覆盖所述第二开口。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述显示面板所在平面的方向，所述第一开口覆盖所述掺杂部。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口在所述有源层所在平面的垂直投影的面积小于所述掺杂部的面积。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述显示面板所在平面的方向，同一所述掺杂部与至少两个所述第一开口交叠。8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括遮光结构，所述掺杂部位于所述遮光结构在所述有源层所在平面的垂直投影内。9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，还包括第一平坦化层，所述第一平坦化层位于所述第一金属层与所述阳极层之间；所述第一平坦化层由黑色材料制备，所述第一平坦化层复用为所述遮光结构。10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层还包括非开口部，所述非开口部位于任意相邻两个所述第一开口之间；沿垂直于所述显示面板所在平面的方向，与所述第一开口交叠的部分所述第一平坦化层的厚度大于或等于与所述非开口部交叠的部分所述第一平坦化层的厚度。11.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，还包括第二平坦化层，所述第二平坦化层位于所述薄膜晶体管所在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鑫，柳家娴，
申请(专利权)人：湖北长江新型显示产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：