【技术实现步骤摘要】
一种光催化氧化深度处理的装置及其使用方法
[0001]本专利技术涉及一种光催化氧化深度处理的装置及其使用方法，属于环境工程领域。
技术介绍
[0002]光催化技术是一种在能源和环境领域有着重要应用前景的绿色技术。1972年由Fujiahima首先发现，1977年由Bard提出利用半导体光催化反应处理工业废水中的有害物质。光催化技术主要是通过半导体光催化剂吸收高于禁带的能量后，电子受到激发并形成空穴，产生活性自由基，再由这些自由基去攻击目标污染物，从而达到催化降解的目的，国内外大量的研究报告表明，光催化氧化法对水中的烃卤代物、羧酸、表面活性剂、染料、含氮有机物、有机磷杀虫剂等均有很好的去除效果，即使通常情况下较难降解的有机污染物，一般经过持续反应可到达完全矿化。光催化过程采用半导体材料作为光催化剂，在常温常压下进行，如果利用太阳光作为光源则可大大降低污水处理费用。更主要的是光催化技术可将污染物降解为无毒的无机小分子物质及各种相应的无机离子而实现无害化，为治理水污染提供了一条新的、有潜力的途径。
[0003]公开号为CN...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光催化氧化深度处理的装置，其特征在于：包括外壳、进水管和出水管，所述外壳内壁上设有位于上半部分的光源，所述外壳内转动安装有光催化转盘组件，所述光催化转盘组件包括由透明材质制成的支撑体，所述支撑体上设有螺旋型凹槽，所述支撑体两侧通过支架固定有光催化膜，所述进水管内的进水由支撑体转动动作进入螺旋型凹槽中，通过离心力均匀分布至光催化膜内侧进行光催化氧化反应。2.如权利要求1所述的光催化氧化深度处理的装置，其特征在于：所述外壳上半部分放置光源，其内壁设有反光镜面，下半部分为储水池，所述储水池与外壳之间设有隔水层。3.如权利要求2所述的光催化氧化深度处理的装置，其特征在于：所述光源采用冷光源氙灯，所述光源配有风冷装置，所述光源位于外壳的上半部分四周内壁上。4.如权利要求1所述的光催化氧化深度处理的装置，其特征在于：所述支撑体的材质为石英、玻璃等透明材质，所述支撑体中心设有进水口，所述支撑体边缘设有出水口，所述支撑体通过转动轴承与外壳连接进行逆时针旋转。5.如权利要求4所述的光催化氧化深度处理的装置，其特征在于：所述转动轴承固定在外壳下半部分中心点顶端，与外壳可拆卸连接，所述转动轴承与支撑体之间通过卡扣固定。6.如权利要求1所述的光催化氧化深度处理的装置，其特征在于：所述支架分为两个结构相同的正反部分，所述支架分别置于支撑体的正反两面用于固定光催化膜，所述支架的两...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑向勇，程冬冬，戴伊杨，刘仁兰，韩文娟，徐奔拓，金华长，江顺风，濮梦婕，王芝权，赵敏，井芹宁，藤井忠幸，
申请(专利权)人：温州大学，
类型：发明
国别省市：
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