本发明专利技术涉及振动抑制领域，具体为一种多支点轴系振动抑制装置，包括首尾相互传动连接的多个轴，所述轴上套设有振动抑制套筒组件，所述轴的两端分别伸出振动抑制套筒组件并与相邻的轴的对应端相接；所述振动抑制套筒组件至少包括下抑振套座和上抑振套盖；所述上抑振套盖与下抑振套座盖合构成用于放置轴的筒状结构，且筒状结构的两端处设有转动密封件，所述密封件与轴转动密封。采用了整体式抑振结构，不单独的对轴的端部或中段进行，从而避免节点之间的轴振动幅度虽然减小，以及节点之间轴的振动频率增加的问题，有效避免高频率的振动进一步加剧机械的疲劳破坏，并且减轻了长时间操作设备的工作人员受到的身体损伤。作设备的工作人员受到的身体损伤。
【技术实现步骤摘要】
一种多支点轴系振动抑制装置
[0001]本专利技术涉及振动抑制领域，具体为一种多支点轴系振动抑制装置。
技术介绍
[0002]随着机械朝着高速、重载、轻量化的方向发展，使得机械工作时产生的振动、噪音也会变得越来越剧烈，而剧烈的振动和噪音又会进一步加剧机械的疲劳破坏以及造成的环境污染，同时也会进一步对操作设备的工作人员的身体健康带来影响。尤其是机械系统中非常重要的传动部分，对减振提出了更高的设计要求，也是传动部分重要的研究方向之一。
[0003]目前的振动控制方式主要为主动控制、半主动控制和被动控制三种方法，这三种振动控制方式各有优缺，例如被动控制在某些条件下其振动控制效果存在缺陷，而主动控制和半主动控制在某些情况下能与被动控制互补。
[0004]中国专利(公开号为CN110985594B)公开了一种多支点轴系振动抑制装置，其技术方案为：在每个轴的中部至少设置一个主动控制限振装置，在每个轴的两侧端部至少均设置变刚度阻尼支撑装置，同过主动控制限振装置对轴的中段进行振动幅度限制，变刚度阻尼支撑装置对轴端连接处进行减振支撑。但是轴的振动是整体的，轴中段设置的主动控制限振装置相当于在轴体上设置了多个限制振动的节点，其导致节点之间的轴体振动幅度减小了，但是振动的频率会增加，以此来达到抗抑制作用。而高频率的振动同样会进一步加剧机械的疲劳破坏，并且对长时间操作设备的工作人员造成的身体损伤依然较为严重。
[0005]基于此，设计一种多支点轴系振动抑制装置来解决上述问题是有必要的。
技术实现思路
[0006]为解决上述技术问题，提供了一种多支点轴系振动抑制装置，以提高对不同长度尺寸电池进行夹持测量兼容性的目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
[0007]一种多支点轴系振动抑制装置，包括首尾相互传动连接的多个轴，所述轴上套设有振动抑制套筒组件，所述轴的两端分别伸出振动抑制套筒组件并与相邻的轴的对应端相接；
[0008]所述振动抑制套筒组件至少包括下抑振套座和上抑振套盖；
[0009]所述上抑振套盖与下抑振套座盖合构成用于放置轴的筒状结构，且筒状结构的两端处设有转动密封件，所述密封件与轴转动密封，与上抑振套盖与下抑振套座盖合构成的筒状结构密封配合；
[0010]所述下抑振套座和上抑振套盖内部均设有用于抑制轴振动的抑振片，且抑振片的内圆弧面与轴圆弧外壁间隙配合；
[0011]所述下抑振套座与固定平台连接。
[0012]进一步的，所述抑振片均匀分布，且位于所述下抑振套座和上抑振套盖上的抑振片位置互相交错，交错的抑振片在端部位置构成溢流口。
[0013]进一步的，所述下抑振套座的底面上设有多个与上抑振套盖与下抑振套座盖合构
成的筒状结构内部连通的进气端口，且进气端口均匀分布。
[0014]进一步的，所述抑振片与筒状结构的轴线呈一定夹角，所述夹角的取值范围为30
°‑
45
°
。
[0015]进一步的，所述上抑振套盖的横截面为半圆形。
[0016]进一步的，所述抑振片均匀分布，且位于所述下抑振套座和上抑振套盖上的抑振片位置互相对应。
[0017]进一步的，所述抑振片为中空结构，内部均设置有电磁铁，所述下抑振套座内设有多个用于调控电磁铁工况的控制模组。
[0018]进一步的，当所述抑振片的位置相互交错时，位于上抑振套盖与下抑振套座上的所述电磁铁对轴分别产生吸附作用力和排斥作用力，且基于振动方向交替变化。
[0019]进一步的，当所述抑振片的位置相互对应时，位于上抑振套盖与下抑振套座上的所述电磁铁对轴均产生排斥作用力。
[0020]进一步的，所述轴位于上抑振套盖与下抑振套座盖合构成的筒状结构内的中心位置处为中空结构。
[0021]本专利技术提供了一种多支点轴系振动抑制装置。具备以下有益效果：
[0022]在本申请的技术方案中，采用了整体式抑振结构，不单独的对轴的端部或中段进行，从而避免节点之间的轴振动幅度虽然减小，以及节点之间轴的振动频率增加的问题，有效避免高频率的振动进一步加剧机械的疲劳破坏，并且减轻了长时间操作设备的工作人员受到的身体损伤。并且，轴位于筒状结构的部分不与下抑振套座和上抑振套盖的内壁直接接触，使得轴在转动过程中不会受到额外的转动摩擦阻力，相对于采用多节点抑振方式的摩擦损耗更小，仅有的转动密封件与轴之间产生动摩擦损耗。
[0023]抑振片均匀分布，可实现对轴的均匀抑振作用，实现整体性抑振。而位于下抑振套座和上抑振套盖上的抑振片位置互相交错设置，一方面是增加抑振片作用在轴上的点的数量，相对的抑振片在轴上的作用位置的更加密集，实现振动的进一步抑制。同时交错的位置关系，使得轴在振动时扰动介质，介质只能通过溢流口实现动能吸收，从而使得被压缩的介质抑制轴振动传递。
[0024]抑振片为中空结构，内部均设置有电磁铁，下抑振套座内设有多个用于调控电磁铁工况的控制模组。即通过控制模组调控电磁铁供电电路的上的电流以及天磁铁两端电压，从而调控电磁铁通电后产生的磁场作用力，该磁场作用力作用在轴上，从而实现对轴振动的抑制。并且在轴振动幅度较大时，电磁铁产生的磁场强度也较大；当轴振动幅度较小时，则电磁铁产生的磁场强度也交底，即振动幅度与磁场作用力大小呈正比。
附图说明
[0025]图1为本专利技术的端面视图；
[0026]图2为本专利技术中A
‑
A处的剖视图；
[0027]图3为图2中下抑振套座和上抑振套盖装配体的剖视结构图；
[0028]图4为本专利技术的整体结构立体图；
[0029]图5为本专利技术中下抑振套座和上抑振套盖装配体与轴装配关系图；
[0030]图6为本专利技术中控制模组的结构示意图。
[0031]图中：100、轴；200、振动抑制套筒组件；201、下抑振套座；202、上抑振套盖；203、抑振片；204、内圆弧面；205、溢流口；206、进气端口；207、控制模组；300、转动密封件。
具体实施方式
[0032]以下结合附图和实施例对本专利技术进行详细说明。
[0033]实施例一：
[0034]参见附图，一种多支点轴系振动抑制装置包括：轴100、振动抑制套筒组件200、下抑振套座201、上抑振套盖202、抑振片203、内圆弧面204以及转动密封件300。其中，轴100为多个，且首尾相互传动连接，轴100上套设有振动抑制套筒组件200，轴100的两端分别伸出振动抑制套筒组件200并与相邻的轴100的对应端相接；
[0035]振动抑制套筒组件200至少包括下抑振套座201和上抑振套盖202；
[0036]上抑振套盖202与下抑振套座201盖合构成用于放置轴100的筒状结构，且筒状结构的两端处设有转动密封件300，转动密封件300与轴100转动密封，与上抑振套盖202与下抑振套座201盖合构成的筒状结构密封配合；
[0037]下抑振套座201和上抑振套盖2本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多支点轴系振动抑制装置，其特征在于，包括首尾相互传动连接的多个轴(100)，所述轴(100)上套设有振动抑制套筒组件(200)，所述轴(100)的两端分别伸出振动抑制套筒组件(200)并与相邻的轴(100)的对应端相接；所述振动抑制套筒组件(200)至少包括下抑振套座(201)和上抑振套盖(202)；所述上抑振套盖(202)与下抑振套座(201)盖合构成用于放置轴(100)的筒状结构，且筒状结构的两端处设有转动密封件(300)，所述密封件(300)与轴(100)转动密封，与上抑振套盖(202)与下抑振套座(201)盖合构成的筒状结构密封配合；所述下抑振套座(201)和上抑振套盖(202)内部均设有用于抑制轴(100)振动的抑振片(203)，且抑振片(203)的内圆弧面(204)与轴(100)圆弧外壁间隙配合；所述下抑振套座(201)与固定平台连接。2.根据权利要求1所述的一种多支点轴系振动抑制装置，其特征在于：所述抑振片(203)均匀分布，且位于所述下抑振套座(201)和上抑振套盖(202)上的抑振片(203)位置互相交错，交错的抑振片(203)在端部位置构成溢流口(205)。3.根据权利要求2所述的一种多支点轴系振动抑制装置，其特征在于：所述下抑振套座(201)的底面上设有多个与上抑振套盖(202)与下抑振套座(201)盖合构成的筒状结构内部连通的进气端口(206)，且进气端口(206)均匀分布。4.根据权利要求2或3所述的一种多支点...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾礼平，李路平，丁孺琦，王宗申，湛可翔，李刚，胡国良，朱文才，
申请(专利权)人：华东交通大学，
类型：发明
国别省市：
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