内容可寻址存储器单元制造技术

本发明专利技术提供一种内容可寻址存储器单元，其包括多个储存电路与比较电路。其中，多个储存电路中的第一储存电路用于储存一数据，且多个储存电路中的第二储存电路用于储存一状态比特。比较电路用于响应该数据与该状态比特中的一个以及多条搜索比特线的电平，来决定是否将一匹配线的电平调整至该数据与该状态比特中的另一个的电平。的另一个的电平。的另一个的电平。

【技术实现步骤摘要】
内容可寻址存储器单元


[0001]本专利技术涉及存储器装置，特别涉及具有三态的内容可寻址存储器单元。

技术介绍

[0002]内容可寻址存储器可快速比较储存数据与欲搜索的数据，并输出比较结果。在现有的内容可寻址存储器中，为了实现无关(don
’
t care)状态，需对原先储存的数据进行额外的编译程序，这将使得内容可寻址存储器中的原有数据发生改变。如此一来，数字系统将无法获得该原有数据，因而无法适用于需使用无关状态以及存取原有数据的相关应用。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，内容可寻址存储器单元包括多个储存电路与比较电路。这些储存电路中的第一储存电路用于储存一数据，且这些储存电路中的第二储存电路用于储存一状态比特。比较电路用于响应该数据与该状态比特中的一个以及多条搜索比特线的电平，来决定是否将一匹配线的电平调整至该数据与该状态比特中的另一个的电平。
[0004]在一些实施例中，内容可寻址存储器单元包括多个储存电路、一第一开关、一第二开关、一第三开关以及一第四开关。这些储存电路中的第一储存电路用于储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内容可寻址存储器单元，包括：多个储存电路，其中所述多个储存电路中的一第一储存电路用于储存一数据，且所述多个储存电路中的一第二储存电路用于储存一状态比特；以及一比较电路，用于响应所述数据与所述状态比特中的一个以及多条搜索比特线的电平决定是否将一匹配线的电平调整至所述数据与所述状态比特中的另一个的电平。2.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器单元，其特征在于，当所述状态比特为一预设逻辑值时，所述比较电路不调整所述匹配线的电平。3.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器单元，其特征在于，当所述状态比特为一预设逻辑值时，所述内容可寻址存储器单元操作为一无关状态。4.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器单元，其特征在于，所述比较电路包括：一第一开关，用于根据所述数据中的一第一数据值选择性导通；一第二开关，用于根据所述数据中的一第二数据值选择性导通；一第三开关，用于响应所述多个搜索比特线中的一第一搜索比特线的电平选择性导通，以将所述状态比特传输至所述第一开关；以及一第四开关，用于响应所述多个搜索比特线中的一第二搜索比特线的电平选择性导通，以将所述状态比特传输至所述第二开关。5.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器单元，其特征在于，所述比较电路包括：一第一开关，用于根据所述状态比特选择性导通；一第二开关，用于根据所述状态比特选择性导通；一第三开关，用于响应所述多个搜索比特线中的一第一搜索比特线的电平选择性导通，以将所述数据中的一第一数据值传输至所述第一开关；以及一第四开关，用于响应所述多个搜索比特线中的一第二搜索比特线的电平选择性导通，以将所述数据中的一第二数据值传...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜易豪，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：