流体处理系统、方法以及光刻设备技术方案

一种光刻设备，具有衬底保持件，被配置成保持衬底，以及投影系统，被配置成将辐射束投影到由衬底保持件保持的衬底上。也具有流体处理系统，被配置成将浸没液体约束于所述投影系统的一部分与所述衬底的所述表面之间的空间中，由此所述辐射束能够通过传递穿过所述浸没液体而照射所述衬底的所述表面。设置有激励装置以在所述衬底中产生朝向所述浸没液体传播的表面声波。的表面声波。的表面声波。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】流体处理系统、方法以及光刻设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月14日递交的欧洲申请20185608.5的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用而被合并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种流体处理系统和器件制造方法。本专利技术也涉及光刻设备。

技术介绍

[0004]光刻设备是一种被构造成将所需图案应用于衬底上的机器。例如，光刻设备可用于制造集成电路(IC)。例如，光刻设备可将图案形成装置(例如掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来照射每个目标部分；和所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上经由辐射束来扫描图案而同时平行于或反向平行于此方向来同步地扫描衬底来照射每个目标部分。
[0005]随着半导体制造过程的持续进步，电路元件的尺寸已持续不断地减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量几十年来一直在稳步地增加，所遵循的趋势通常被称为“摩尔定律”。为了跟上摩尔定律，半导体行业一直在追求能够创建越来越小特征的技术。为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了在所述衬底上图案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长为365纳米(i线)、248纳米、193纳米和13.5纳米。
[0006]可以通过在曝光期间在衬底上提供具有相对高折射率的浸没流体(诸如水)来实现较小特征的分辨率的进一步提高。浸没流体的效应是使得能够对较小特征进行成像，这是因为曝光辐射在流体中相比于在气体中将具有更短的波长。浸没流体的效应也可以被视为增加所述系统的有效数值孔径(NA)并且也增加焦深。
[0007]浸没流体可以由流体处理结构而被限制至介于所述光刻设备的所述投影系统与所述衬底之间的局部区域。使用这种浸没流体可导致在所述衬底的表面上存在液滴。这种液滴可能是一个问题，因为它们会在所述衬底上造成干斑，并且因为当液滴撞击浸没液体的弯液面时这可能由于所述浸没液体中的截留气体而导致气泡的形成。所述浸没液体中的气泡会导致所述衬底上的印制缺陷。通过降低所述衬底的相对速度可以降低引入这种气泡的可能性，然而，这限制了所述光刻设备的吞吐量。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种采取措施以提高吞吐量和/或减少衬底上的缺陷的流体处理系统和方法。
[0009]根据本专利技术，提供了一种光刻设备，包括：衬底保持件，被配置成保持衬底；投影系统，被配置成将辐射束投影到由所述衬底保持件保持的所述衬底上；流体处理系统，被配置
成将浸没液体约束于介于所述投影系统的一部分与所述衬底的表面之间的空间中，由此所述辐射束能够通过传递穿过所述浸没液体而照射所述衬底的所述表面，以及激励装置，被配置成在所述衬底中产生朝向所述浸没液体传播的表面声波。
[0010]根据本专利技术，还提供了一种在光刻设备中进行的器件制造方法，所述光刻设备具有衬底保持件，被配置成保持衬底；投影系统，被配置成将辐射束投影到由所述衬底保持件保持的所述衬底上；以及流体处理系统，被配置成将浸没液体约束于介于所述投影系统的一部分与所述衬底的表面之间的空间中，由此所述辐射束能够通过传递穿过所述浸没液体而照射所述衬底的所述表面，所述方法包括：使用液体约束结构将浸没液体约束于介于所述液体约束结构的至少一部分与所述衬底的所述表面之间的空间中；使经图案化的辐射束通过所述空间中的所述浸没液体而投射到所述衬底上；在与所述辐射束的传播方向基本上垂直的扫描方向上移动所述衬底；以及在所述衬底中产生朝向所述浸没液体传播的表面声波。
[0011]根据本专利技术，还提供了一种用于光刻设备中的激励装置，所述激励装置包括电磁装置，所述电磁装置被配置成在衬底中产生涡电流并且被配置成产生静磁场，所述静磁场垂直于所述衬底的所述表面以便在所述衬底中产生表面声波。
[0012]下面参考附图详细描述了本专利技术的其他实施例、特征和优点，以及本专利技术的各个实施例、特征和优点的结构和操作。
附图说明
[0013]现在将参考随附附图仅作为示例来描述本专利技术的实施例，在随附附图中对应的附图标记指示对应的部件，并且在附图中：
[0014]图1描绘了光刻设备的示意性概略图：
[0015]图2a、图2b、图2c和图2d各自描绘了两个不同版本的流体处理系统的横截面，其中在各自版本的左侧和右侧上图示了可围绕整个圆周延伸的不同特征；
[0016]图3示意性地描绘了根据实施例的液滴消减系统；
[0017]图4示意性地描绘了根据实施例的液滴消减系统的操作原理；
[0018]图5示意性地描绘了能够用于实施例中的激励装置；
[0019]图6示意性地描绘了能够用于实施例中的替代激励装置；以及
[0020]图7示意性地描绘了能够用于实施例中的另一替代激励装置。
[0021]附图中所示的特征不一定按比例绘制，并且所描绘的大小和/或布置不是限制性的。应当理解，附图包括对于本专利技术可能不是必需的可选特征。此外，并非在每个附图中都描绘了所述设备的所有特征，且这些附图可能仅示出了与描述特定特征相关的一些部件。
具体实施方式
[0022]在本文档中，术语“辐射”和“光束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有365、248、193、157或126nm的波长)。
[0023]本文中使用的术语“掩膜版”、“掩模”或“图案形成装置”可被广义地解释为指可用于向入射辐射束赋予经图案化横截面的通用图案形成装置，所述经图案化横截面对应于待在衬底的目标部分中创建的图案。术语“光阀”也可用于此情境。除了经典的掩模(透射式或
反射式掩模、二元掩模、相移掩模、混合掩模等)之外，其它此类图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
[0024]图1示意性地描绘了光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(也被称作照射器)IL，其被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，其被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM；衬底支撑件(例如，衬底台)WT，其被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，且连接至被配置成根据某些参数而准确地定位衬底支撑件WT的第二定位装置PW；和投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS，其被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。控制器500控制所述设备的整体操作。控制器500可以是集中控制系统、或在所述光刻设备的各种子系统内的多个单独子控制器的系统。
[0025]在操作中，照射系统IL例如经由束传输系统BD从辐射源SO接收辐射束B。照射系统IL可包括用于导向、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射式、反射式、磁性式、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光刻设备，包括：衬底保持件，被配置成保持衬底；投影系统，被配置成将辐射束投影到由所述衬底保持件保持的所述衬底上；流体处理系统，被配置成将浸没液体约束于介于所述投影系统的一部分与所述衬底的表面之间的空间中，由此所述辐射束能够通过传递穿过所述浸没液体而照射所述衬底的所述表面；以及激励装置，被配置成在所述衬底中产生朝向所述浸没液体传播的表面声波。2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述激励装置被配置成产生频率大于1MHz、理想地大于10MHz、更理想地大于50MHz的表面声波。3.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其中，所述激励装置包括电磁装置，所述电磁装置被配置成在所述衬底中产生涡电流并且被配置成产生与所述衬底的所述表面平行的静磁场。4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中，所述激励装置被安装到所述流体处理系统。5.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其中，所述激励装置包括压电换能器，所述压电换能器接触所述衬底的边缘、或被集成到所述衬底保持件中、或被集成到所述衬底中。6.根据权利要求5所述的光刻设备，还包括联接液体分配器，所述联接液体分配器被配置成分配联接液体以将所述压电换能器联接到所述衬底。7.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，存在围绕所述流体处理系统而间隔开的至少四个激励装置。8.根据权利要求7所述的光刻设备，还包括定位系统和控制器，所述定位系统被配置成在与所述衬底的所述表面基本上平行的平面中相对于所述投影系统移动所述衬底保持件，并且所述控制器被配置成响应于所述衬底保持件的移动来控制所述激励装置。9.根据权利要求8所述的光刻设备，其中，所述控制器被配置成在所述衬底保持件的速度大于预定阈值时启用所述激励装置，和/或其中，所述控制器被配置成选择性地启用所述激励装置中的一个或更多个，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：