本发明专利技术提供一种摄像装置，其具备：第一光传感器；以及第二光传感器，其相对于第一光传感器配置于光的入射侧的相反侧，且与第一光传感器接合。第一光传感器具有二维配置的多个第一像素。第二光传感器具有二维配置的多个第二像素。多个第一像素分别包含根据第一波段的光的入射来产生电荷的埋入型光电二极管。多个第二像素分别包含：电荷产生区域，其根据第二波段的光的入射来产生电荷；电荷收集区域，其传输有在电荷产生区域产生的电荷；光栅电极，其吸引在电荷产生区域产生的电荷；以及传输栅电极，其将由光栅电极吸引的电荷传输到电荷收集区域。区域。区域。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置
[0001]本公开涉及摄像装置。
技术介绍
[0002]作为用于取得对象物的距离图像(包含与到对象物的距离有关的信息的图像)的摄像装置，已知有具备检测可见光的图像传感器和检测近红外光的测距传感器的摄像装置(例如，参照专利文献1)。在这种摄像装置中，测距传感器有时在光的入射方向上相对于图像传感器配置于光的入射侧的相反侧。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
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112169号公报
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]在如上所述的摄像装置中，例如从扩大测距范围的观点来看，在两个光传感器中的在光的入射方向上配置于光的入射侧的相反侧的光传感器(以下，称为“后级的光传感器”)中，如何提高灵敏度是很重要的。
[0008]本公开的目的在于，提供一种摄像装置，其能够提高后级的光传感器的灵敏度。
[0009]用于解决课题的技术手段
[0010]本公开的一方面的摄像装置具备：第一光传感器，其检测第一波段的光；以及第二光传感器，其在光的入射方向上相对于第一光传感器配置于光的入射侧的相反侧，与第一光传感器接合，检测比第一波段长的波长侧的第二波段的光，第一光传感器具有沿着与入射方向交叉的第一面二维配置的多个第一像素，第二光传感器具有沿着与入射方向交叉的第二面二维配置的多个第二像素，多个第一像素分别包含根据第一波段的光的入射来产生电荷的埋入型光电二极管，多个第二像素分别包含：电荷产生区域，其根据第二波段的光的入射来产生电荷；电荷收集区域，其传输有在电荷产生区域产生的电荷；光栅电极，其吸引在电荷产生区域产生的电荷；以及传输栅电极，其将由光栅电极吸引的电荷传输到电荷收集区域。
[0011]在该摄像装置中，在后级的光传感器即第二光传感器中，多个第二像素分别包含电荷产生区域、电荷收集区域、光栅电极及传输栅电极。由此，在多个第二像素中的各个，在电荷产生区域产生的电荷被光栅电极吸引，所吸引的电荷由传输栅电极传输到电荷收集区域。因此，即使由电荷产生区域产生的电荷很少，该电荷也会被高速且可靠地传输到电荷收集区域。因而，根据该摄像装置，能够提高后级的光传感器的灵敏度。
[0012]在本公开的一方面的摄像装置中，从入射方向观察的情况下的多个第二像素各自的大小也可以比从入射方向观察的情况下的多个第一像素各自的大小大。据此，例如相比于多个第二像素各自的大小与多个第一像素各自的大小相同的情况，能够提高多个第二像
素各自的灵敏度。
[0013]本公开的一方面的摄像装置也可以还具备多个透镜，该多个透镜以与多个第一像素及多个第二像素对应的方式，在入射方向上相对于第一光传感器配置于光的入射侧，分别使第一波段的光及第二波段的光聚光于第一光传感器内。据此，第二波段的光会以发散的状态入射到多个第二像素中的各个。这时，因为多个第二像素各自的大小比多个第一像素各自的大小大，所以能够在多个第二像素中的各个中高效地接受第二波段的光。
[0014]本公开的一方面的摄像装置也可以还具备多个纹理结构，该多个纹理结构以与多个第二像素对应的方式，在入射方向上相对于第一光传感器配置于光的入射侧，第一光传感器也可以还具有在从入射方向观察的情况下包围与多个纹理结构中的各个对应的区域的反射部。据此，在纹理结构中抑制了反射且以各种角度入射到第一光传感器的第二波段的光会被反射部反射，且以各种角度入射到第二像素。而且，从入射方向观察的情况下的第二像素的大小比从入射方向观察的情况下的第一像素的大小大。因此，在第二像素中，第二波段的光的光路变长，在第二像素的电荷产生区域中，第二波段的光容易被吸收。因此，在多个第二像素中的各个，能够高效地接受第二波段的光。
[0015]在本公开的一方面的摄像装置中，第一光传感器也可以还具有沿着第一面二维配置的多个光通过部，在从入射方向观察的情况下，多个第二像素也可以分别与多个光通过部中的至少一个重叠。据此，能够高效地经由光通过部向第二像素入射第二波段的光。
[0016]在本公开的一方面的摄像装置中，多个光通过部也可以分别包含波导结构。据此，能够更高效地经由波导结构向第二像素入射第二波段的光。
[0017]在本公开的一方面的摄像装置中，电荷产生区域也可以包含雪崩倍增区域。据此，因为由电荷产生区域产生的电荷被雪崩倍增，所以能够进一步提高第二光传感器的灵敏度。
[0018]本公开的一方面的摄像装置也可以还具备多个彩色滤光片，该多个彩色滤光片以与多个第一像素对应的方式，在入射方向上相对于第一光传感器配置于光的入射侧，选择性地使所述第一波段的光即可见光透过。据此，基于从第一光传感器输出的信号，能够取得由可见光所致的对象物的像。
[0019]本公开的一方面的摄像装置也可以还具备带通滤光片，该带通滤光片配置在第一光传感器和第二光传感器之间，选择性地使第二波段的光即近红外光透过。据此，能够在第二光传感器中高精度地检测近红外光。
[0020]本公开的一方面的摄像装置也可以还具备多个等离子体滤光片，该多个等离子体滤光片以与多个第二像素对应的方式，在入射方向上相对于第一光传感器配置于光的入射侧，选择性地使第二波段的光即近红外光透过。据此，能够在第二光传感器中高精度地检测近红外光。
[0021]在本公开的一方面的摄像装置中，在从入射方向观察的情况下，电荷收集区域也可以与多个第一像素中的一个重叠。据此，能够抑制由第二波段的光入射到电荷收集区域引起的寄生光灵敏度的产生。
[0022]在本公开的一方面的摄像装置中，埋入型光电二极管也可以由硅构成，电荷产生区域及电荷收集区域也可以由硅构成。据此，能够容易地制造第二光传感器。
[0023]在本公开的一方面的摄像装置中，埋入型光电二极管也可以由硅构成，电荷产生
区域及电荷收集区域也可以由锗构成。据此，例如能够进一步提高第二光传感器相对于近红外光的灵敏度。
[0024]在本公开的一方面的摄像装置中，第一光传感器也可以还具有在入射方向上相对于多个第一像素配置于光的入射侧的相反侧的第一配线层，第二光传感器也可以还具有在入射方向上相对于多个第二像素配置于光的入射侧的第二配线层，第二配线层也可以与第一配线层电连接且物理连接。据此，在摄像装置中，能够实现配线结构的集成化。
[0025]在本公开的一方面的摄像装置中，第一光传感器也可以还具有信号读出部，信号读出部也可以从多个第一像素中的各个中读出第一信号，且从多个第二像素中的各个中读出第二信号。据此，能够实现信号读出部的共通化。
[0026]在本公开的一方面的摄像装置中，信号读出部也可以在交替重复的第一期间及第二期间中，在第一期间，使电荷蓄积于多个第一像素中的各个，并且从多个第二像素中的各个读出第二信号，在第二期间，使电荷蓄积于多个第二像素中的各个，并且从多个第一像素中的各个读出第一信号。据此，在与射出第二波段的光的光源一同使用摄像装置的情况下，在使电荷蓄积本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，其中，具备：第一光传感器，其检测第一波段的光；以及第二光传感器，其在光的入射方向上相对于所述第一光传感器配置于所述光的入射侧的相反侧，与所述第一光传感器接合，检测比所述第一波段长的波长侧的第二波段的光，所述第一光传感器具有沿着与所述入射方向交叉的第一面二维配置的多个第一像素，所述第二光传感器具有沿着与所述入射方向交叉的第二面二维配置的多个第二像素，所述多个第一像素分别包含根据所述第一波段的光的入射来产生电荷的埋入型光电二极管，所述多个第二像素分别包含：电荷产生区域，其根据所述第二波段的光的入射来产生电荷；电荷收集区域，其传输有在所述电荷产生区域产生的所述电荷；光栅电极，其吸引在所述电荷产生区域产生的所述电荷；以及传输栅电极，其将由所述光栅电极吸引的所述电荷传输到所述电荷收集区域。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，从所述入射方向观察的情况下的所述多个第二像素各自的大小比从所述入射方向观察的情况下的所述多个第一像素各自的大小大。3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，还具备多个透镜，该多个透镜以与所述多个第一像素及所述多个第二像素对应的方式，在所述入射方向上相对于所述第一光传感器配置于所述光的入射侧，分别使所述第一波段的光及所述第二波段的光聚光于所述第一光传感器内。4.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，还具备多个纹理结构，该多个纹理结构以与所述多个第二像素对应的方式，在所述入射方向上相对于所述第一光传感器配置于所述光的入射侧，所述第一光传感器还具有在从所述入射方向观察的情况下包围与所述多个纹理结构中的各个对应的区域的反射部。5.根据权利要求1～4中任一项所述的摄像装置，其中，所述第一光传感器还具有沿着所述第一面二维配置的多个光通过部，在从所述入射方向观察的情况下，所述多个第二像素分别与所述多个光通过部中的至少一个重叠。6.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，所述多个光通过部分别包含波导结构。7.根据权利要求1～6中任一项所述的摄像装置，其中，所述电荷产生区域包含雪崩倍增区域。8.根据权利要求1～7中任一项所述的摄像装置，其中，还具备多个彩色滤光片，该多个彩色滤光片以与所述多个第一像素对应的方式，在所述入射方向上相对于所述第一光传感器配置于所述光的入射侧，选择性地...
【专利技术属性】
技术研发人员：间瀬光人，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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