【技术实现步骤摘要】
基板处理方法及基板处理装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月5日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2021
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0150989的韩国专利申请的优先权和权益，该专利的全部内容通过引用结合在本申请中。
[0003]在本文中描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理方法及基板处理装置。
技术介绍
[0004]制造半导体设备中，所希望的图案通过诸如光刻、蚀刻、灰化、离子植入以及薄膜沉积的各种工艺而形成在基板(诸如，晶圆)上。用于制造半导体设备的此类工艺可以包括用于去除形成在基板上的膜的蚀刻工艺。在蚀刻工艺中，向形成在基板(诸如，晶圆)上的膜(例如，包括Si、SiO2、Si3N4或多晶硅的膜)提供等离子体和/或蚀刻剂以蚀刻膜。
[0005]随着半导体设备开始变得高度集成化，需要高水平的工艺精度。为了精确地执行上述蚀刻工艺，根据预设工艺配方产生等离子体或蚀刻剂是很重要的。此外，为了确保基板处理中的均匀性，需要将基板的温度稳定在工艺温...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：温度稳定化步骤，所述温度稳定化步骤用于将所述基板的温度稳定至用于处理基板的处理空间中的工艺温度；压力稳定化步骤，所述压力稳定化步骤用于将产生等离子体的等离子体空间的压力和所述处理空间的压力稳定至工艺压力，所述等离子体空间与所述处理空间流体连通；以及处理步骤，所述处理步骤用于在所述等离子体空间产生等离子体、并且使用所述等离子体处理所述基板。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述温度稳定化步骤包括在所述处理空间通过支承所述基板的卡盘来加热所述基板，以及通过向所述处理空间供应气体而将所述处理空间的所述压力增加至所述工艺压力。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在所述等离子体从所述等离子体空间引入至所述处理空间的工艺期间，在所述等离子体空间产生的所述等离子体的离子由离子阻挡器收集，所述离子阻挡器定位在所述等离子体空间与所述处理空间之间。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，所述压力稳定化步骤包括：向所述等离子体空间供应惰性气体；以及向混合空间供应与所述惰性气体不同的第一气体，所述混合空间设置在所述等离子体空间与所述处理空间之间。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，所述基板处理方法还包括在所述压力稳定化步骤与所述处理步骤之间执行的点燃步骤，所述点燃步骤用于在所述等离子体空间形成等离子体气氛。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，所述点燃步骤包括向所述等离子体空间供应惰性气体，以及所述处理步骤包括：向所述等离子体空间供应与所述惰性气体不同的第二气体；以及向混合空间供应与所述惰性气体不同的第一气体，所述混合空间设置在所述等离子体空间与所述处理空间之间。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，所述第一气体是包含氢的气体，并且所述第二气体是包含氟的气体。8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，所述基板处理方法还包括第一排放步骤，所述第一排放步骤用于在所述处理步骤之后排放所述处理空间。9.根据权利要求8所述的基板处理方法，所述基板处理方法还包括：吹扫步骤，所述吹扫步骤用于在所述第一排放步骤之后向所述处理空间供应吹扫气体；以及第二排放步骤，所述第二排放步骤用于在所述吹扫步骤之后排放所述处理空间。10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，所述吹扫步骤中所述处理空间的压力大于所述处理步骤中所述处理空间的压力。11.一种使用等离子体的基板处理方法，所述基板处理方法包括：引入步骤，所述引入步骤用于将基板引入至基板处理装置的处理空间，所述基板处理装置包括处理空间和用于产生所述等离子体的等离子体空间，所述处理空间和所述等离子
体空间彼此流体连通；温度稳定化步骤，所述温度稳定化步骤用于将引入至所述处理空间的所述基板的温度稳定至预设工艺温度；压力稳定化步骤，所述压力稳定化步骤用于将所述等离子体空间的压力和所述处理空间的压力稳定至工艺压力；以及处理步骤，所述处理步骤用于使用所述等离子体处理所述基板。12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，所述温度稳定化步骤包括在所述处理空间通过支承所述基板的卡盘来加热所述基板，以及通过向所述处理空间供应惰性气体而将所述处理空间的所述压力增加至所述工艺压力。13.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：李城吉，卢明燮，金东勋，严永堤，吴东燮，丘峻宅，朴玩哉，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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