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光照射装置和光照射方法制造方法及图纸

技术编号:3750984 阅读:210 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了光照射装置和光照射方法。所述光照射装置包括:光源,其允许光照射具有记录层和位于该记录层上层侧的覆盖层的全息记录介质,在所述记录层和通过信号光和参考光的干涉带记录信息;空间光调制器,其对来自所述光源的光执行空间光调制,以生成所述信号光和/或参考光;以及光照射单元,其允许受到所述空间光调制器的空间光调制的光作为记录/再现光通过物镜照射所述全息记录介质,其中,所述记录/再现光的聚焦位置被设置为使得从所述全息记录介质的表面到所述记录/再现光的聚焦位置的距离小于从所述表面到所述记录层的下层侧表面的距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在全息记录介质上执行光照射的。
技术介绍
日本未审查专利申请公开No. 2007-79438公开了 一种通过形成全息图(hologram)来执行数据记录的全息记录和再现方案。在该全息记录和再现方案中,在记录时,生成信号光和参考光,信号光受到根据所记录的数据的空间光强度调制(强度调制),参考光具有预先定义的预定光强度图样,并且,信号光和参考光被允许对全息记录介质进行照射,从而通过在记录介质上形成全息图来执行数据记录。 另外,在再现时,允许参考光对记录介质照射。以这种方式,允许与记录时相同的参考光(具有与记录时相同的强度图样)对在记录时响应于信号光和参考光的照射而形成的全息图进行照射,从而可以获得根据所记录的信号光组分的衍射光。换言之,可以获得根据所记录的数据的再现图像(再现光)。所获得的再现光例如通过诸如CCD(电荷耦合器件)传感器或CMOS(互补金属氧化物半导体)之类的图像传感器被检测,从而可以执行所记录的数据的再现。 另外,作为一种公知的全息记录和再现方案,存在所谓的同轴型,其中参考光和信号光被布置在相同的光轴上,以便通过公共的物镜对全息记录介质照射。 图32、33本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光照射装置,包括:光源,其允许光照射具有记录层和位于该记录层上层侧的覆盖层的全息记录介质,在所述记录层中通过信号光和参考光的干涉带而记录了信息;空间光调制器,其对来自所述光源的光执行空间光调制,以生成所述信号光和/或参考光;以及光照射单元,其允许经所述空间光调制器空间光调制的光作为记录/再现光通过物镜照射所述全息记录介质,其中,所述记录/再现光的聚焦位置被设置为使得从所述全息记录介质的表面到所述记录/再现光的聚焦位置的距离小于从所述表面到所述记录层的下层侧表面的距离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:山川明朗田中健二伊藤辉将
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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