一种直流到直流转换的电荷泵电路制造技术

本发明专利技术属于功率集成电路技术领域，具体地说是涉及一种直流到直流转换的电荷泵电路。本发明专利技术用输入电压Vs将电容充满电后,两端断开与原充电电路的连接，电容负极板接到原输入电压Vs，此时电容正极板值就会被抬高。也就是给电容充电，把电容从充电电路取下以隔离充进的电荷，然后连接到另一个电路上，传递刚才隔离的电荷。本发明专利技术利用电容的充放电特性，将输入电压提高后得到一个输出电压，实现直流到直流的电压转换。本发明专利技术的结构避免了常用电荷泵电路中的反向二极管难集成的问题，精简了芯片引脚。脚。脚。

【技术实现步骤摘要】
一种直流到直流转换的电荷泵电路


[0001]本专利技术属于功率集成电路
，具体地说是涉及一种直流到直流转换的电荷泵电路。

技术介绍

[0002]在高压栅驱动芯片中，存在高侧和低侧两个不同的通道。低侧通道中mos管的源极接地，因此只需要一个小的栅压就能使mos管导通；但高侧通道中mos管的源极接的是浮动地，浮动地的最大值可达到几十伏，此时就需要一个高的栅压才能使mos导通。因此需要一种电路来产生使高侧功率管导通的电压。

技术实现思路

[0003]针对上述需求，本专利技术提出了一种直流到直流转换的电荷泵电路，可以满足对不同功率管的驱动需求。
[0004]本专利技术的技术方案是：
[0005]一种直流到直流转换的电荷泵电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第一电阻、第一齐纳二极管、第二齐纳二极管、第一二极管；其中，第二NMOS管的漏极接电源，其栅极接第一偏置电压，其源极接第一二极管的阳极；第一二极管的阴极接第一电容的一端和第三NMOS管的源极；第一电容的另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流到直流转换的电荷泵电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第一电阻、第一齐纳二极管、第二齐纳二极管、第一二极管；其中，第二NMOS管的漏极接电源，其栅极接第一偏置电压，其源极接第一二极管的阳极；第一二极管的阴极接第一电容的一端和第三NMOS管的源极；第一电容的另一端接第四NMOS管的源极和第一NMOS管的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：方健，唐玲丽，师丽娟，杨曦和，颜泠，张益森，梁英东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：