一种光纤阵列组件及制作方法技术

本发明专利技术涉及光纤阵列技术领域，提供了一种光纤阵列组件及制作方法。包括所述沟槽22与所述固定台23相邻，并且在盖合所述盖板1后，位于所述盖板1和所固定的阵列光纤3的下方；所述结构胶4从相对固定台23与盖板1上相对阵列光纤3延展方向垂直的交界面注入，并在溢出到所述沟槽22中后，完成结构胶4对盖板1和固定台23之间的固定作用。本发明专利技术通过在基板上加工隔胶槽，可以有效隔离耦合粘接胶水流到光纤端面及附近。近。近。

【技术实现步骤摘要】
一种光纤阵列组件及制作方法


[0001]本专利技术涉及光纤阵列
，特别是涉及一种光纤阵列组件及制作方法。

技术介绍

[0002]光波导芯片作为多通道光器件的一种集成解决方案，如多通道数的分光器、基于阵列波导光栅的波分复用/解复用器、4或者8通道的光波导光收发器组件等。多通道光波导芯片封装时，光纤阵列作为一种光纤组件，通常采用作为波导芯片输入/输出对外的信号接口，广泛的应用于光波导器件封装。
[0003]近年基于硅波导的光电集成技术飞速发展，与之前的平面光分路器、波分复用/解复用器芯片不同，硅光波导芯片耦合端面多采用悬臂波导结构，波导端面距离芯片衬底水平方向有5～30μm的间距，垂直方向有100μm的刻蚀台阶。
[0004]传统光纤阵列端面都是光纤、基板和盖板粘接固定后通过研磨抛光加工制作而成。常规光纤阵列与芯片耦合时，端面胶水既作为结构粘接，也作为折射率匹配。
[0005]由于5～30μm的水平间距，因此常规光纤阵列无法用于硅波导芯片的耦合封装。再考虑端面波导折射率要求，该类硅光芯片耦合封装时需要光纤粘接固定和耦合端面折射率匹配两种胶水，且粘接固定胶水不能渗透到耦合端面。
[0006]鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本
亟待解决的问题。

技术实现思路

[0007]本专利技术要解决的技术问题是传统光纤阵列组件端面都是光纤、基板和盖板粘接固定后通过研磨抛光加工制作而成，相应的结构容易固定胶水渗透问题。
[0008]本专利技术提供了一种光纤阵列组件，包括盖板1、基板2、阵列光纤3和结构胶4，所述盖板1上刻有V型槽11，V型槽11的数量和V型槽间距根据光波导芯片通道间距保持一致，所述基板2上设置有沟槽22和光纤阵列的固定台23，具体的：
[0009]所述阵列光纤3的纤芯端面与所述盖板1端面耦合，所述盖板1盖合在所述光纤阵列的固定台23上；
[0010]所述沟槽22与所述固定台23相邻，并且在盖合所述盖板1后，位于所述盖板1和所固定的阵列光纤3的下方；
[0011]所述结构胶4从相对固定台23与盖板1上相对阵列光纤3延展方向垂直的交界面注入，并在溢出到所述沟槽22中后，完成结构胶4对盖板1和固定台23之间的固定作用。
[0012]优选的，所述盖板1盖合在所述光纤阵列的固定台23上，具体包括：
[0013]所述盖板1与光纤端面齐平的边，相对基板2的边凸出5～30μm，其中，5～30μm是根据光波导芯片端面刻蚀宽度而定；
[0014]其中，所述凸出的5～30μm是在制作过程中，所述基板2的边与盖板1的边对齐后下沉，压紧阵列光纤3后，通过微调架往后移动基板5～30μm得到。
[0015]优选的，所述沟槽22包括第一段台阶221和第二段台阶222，具体的：
[0016]所述第一段台阶221的一面是基板2的第一侧面，所述第一侧面与设置阵列光纤3的端面是同侧的面；其中，第一端台阶221的上表面相对基板2上表面下沉第一距离；
[0017]所述第二段台阶222位于所述第一端台阶221和固定台23之间，所述第二段台阶222的上表面相对基板2上表面下沉第二距离；
[0018]其中，第二距离大于所述第一距离从而构成沟槽结构。
[0019]优选的，所述第一距离为0.15mm
±
0.03mm；所述第二距离为0.3mm
±
0.03mm；所述第一端台阶221的宽度为0.2mm
±
0.03mm；所述第二台阶222的宽度为0.2mm
±
0.03mm。
[0020]优选的，所述固定台23上设置有一组垂直于光纤阵列布局方向上的阻尼槽231，用于对注入结构胶4形成光纤之间缝隙的通胶阻尼与盖板1上V型槽11上盖合光纤后形成间隙的通胶阻尼相匹配。
[0021]优选的，所述阻尼槽231包括的槽型、槽数量和槽间隔，具体的：
[0022]通过调整槽型、槽数量和槽间隔中的一个或者多个参数，在测试过程中达到从光纤之间缝隙溢出到所述沟槽22的结构胶4的第一速度与从盖板1上V型槽11上盖合光纤后形成间隙溢出到所述沟槽22的结构胶4的第二速度相差小于预设值。
[0023]第二方面，本专利技术提供了一种光纤阵列的制作方法，方法包括：
[0024]将刻有V型槽11的盖板1放置在制作台上，将阵列光纤3剥除了涂覆层的部分放置到V型槽11中，阵列光纤3的端面与悬臂波导耦合盖板边平齐；
[0025]将基板2放置在阵列光纤3上方；其中，基板2的边与盖板1的边对齐后下沉，压紧阵列光纤3；
[0026]在盖板1与阵列光纤3尾部耦合处加入结构胶4，观察胶水沿着光纤渗透，待渗透到基板2的沟槽22处时，固化结构胶4。
[0027]优选的，所述基板2的边与盖板1的边对齐后下沉，压紧阵列光纤3后，还包括：
[0028]通过微调架往后移动基板5～30μm，其中，5～30μm是根据光波导芯片端面刻蚀宽度而定。
[0029]优选的，待盖板1和基板2固定后，整体翻转180
°
，在基板2尾部阵列光纤3上加入保护胶5，使阵列光纤3与基板2粘接固定并形成保护。
[0030]优选的，所述待渗透到基板2的沟槽22处时，固化所述结构胶4，具体包括：
[0031]观察沟槽22处沉积的溢胶面，当所述溢胶面抵达沟槽22中的预设高度线时，固化所述结构胶4；
[0032]其中，所述预设高度线通过预先测试得到，用于表征盖板1与基板2之间用于盖合阵列光纤3区域的空隙被所述结构胶4有效填塞。
[0033]与现有技术相比，本专利技术实施例的有益效果在于：
[0034]本专利技术通过在基板上加工隔胶槽，可以有效隔离耦合粘接胶水流到光纤端面及附近；在本专利技术优选方案中光纤阵列不进行研磨抛光冷加工处理，光纤端面与基板的间距可精确控制，方便后续耦合对准。
[0035]在本专利技术优选方案中，进一步改进了涉及填充结构胶的区域的阻尼特性，使得结构胶的填充效果更好，最终使得光纤阵列的稳定性更好。
【附图说明】
[0036]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0037]图1是本专利技术实施例提供的一种光纤阵列组件结构示意图；
[0038]图2是本专利技术实施例提供的一种光纤阵列组件端面示意图；
[0039]图3是本专利技术实施例提供的一种盖板示意图；
[0040]图4是本专利技术实施例提供的一种光纤阵列组件结构示意图；
[0041]图5是本专利技术实施例提供的一种缝隙结构示意图；
[0042]图6是本专利技术实施例提供的一种阻尼槽结构示意图；
[0043]图7是本专利技术实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光纤阵列组件，其特征在于，包括盖板(1)、基板(2)、阵列光纤(3)和结构胶(4)，所述盖板(1)上刻有V型槽(11)，V型槽(11)的数量和V型槽间距根据光波导芯片通道间距保持一致，所述基板(2)上设置有沟槽(22)和光纤阵列的固定台(23)，具体的：所述阵列光纤(3)的纤芯端面与所述盖板(1)端面耦合，所述盖板(1)盖合在所述光纤阵列的固定台(23)上；所述沟槽(22)与所述固定台(23)相邻，并且在盖合所述盖板(1)后，位于所述盖板(1)和所固定的阵列光纤(3)的下方；所述结构胶(4)从相对固定台(23)与盖板(1)上相对阵列光纤(3)延展方向垂直的交界面注入，并在溢出到所述沟槽(22)中后，完成结构胶(4)对盖板(1)和固定台(23)之间的固定作用。2.根据权利要求1所述的光纤阵列组件，其特征在于，所述盖板(1)盖合在所述光纤阵列的固定台(23)上，具体包括：所述盖板(1)与光纤端面齐平的边，相对基板(2)的边凸出5～30μm，其中，5～30μm是根据光波导芯片端面刻蚀宽度而定；其中，所述凸出的5～30μm是在制作过程中，所述基板(2)的边与盖板(1)的边对齐后下沉，压紧阵列光纤(3)后，通过微调架往后移动基板5～30μm得到。3.根据权利要求1所述的光纤阵列组件，其特征在于，所述沟槽(22)包括第一段台阶(221)和第二段台阶(222)，具体的：所述第一段台阶(221)的一面是基板(2)的第一侧面，所述第一侧面与设置阵列光纤(3)的端面是同侧的面；其中，第一端台阶(221)的上表面相对基板(2)上表面下沉第一距离；所述第二段台阶(222)位于所述第一端台阶(221)和固定台(23)之间，所述第二段台阶(222)的上表面相对基板(2)上表面下沉第二距离；其中，第二距离大于所述第一距离从而构成沟槽结构。4.根据权利要求3所述的光纤阵列组件，其特征在于，所述第一距离为0.15mm+0.03mm；所述第二距离为0.3mm+0.03mm；所述第一端台阶(221)的宽度为0.2mm+0.03mm；所述第二台阶(222)的宽度为0.2mm+0.03mm。5.根据权利要求1所述的光纤阵列组件，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜巍，宋琼辉，许胜兰，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：