光学部件和包括光学部件的图像传感器制造技术

本发明专利技术公开了，在示例性实施方案中，一种光学部件包括电介质结构，该电介质结构具有基本上矩形的横截面以及上表面和下表面。第一导电层设置在该上表面上，其中该第一导电层具有定位成接受入射电磁辐射的第一开口。第二导电层具有定位成例如朝向硅基板中的CMOS传感器像素发射电磁辐射的第二开口。该光学部件的尺寸被配置为针对所选波长的入射辐射提供相长干涉。干涉。干涉。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光学部件和包括光学部件的图像传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年7月30日提交的名称为“OPTICAL COMPONENT AND IMAGE SENSOR COMPRISING AN OPTICAL COMPONENT”的欧洲专利申请号EP20305871的优先权，该申请据此全文以引用方式并入。

技术介绍

[0003]本部分意图向读者介绍本领域的各个方面，这些方面可与下文描述和/或要求保护的本公开的各种方面有关。此讨论被认为有助于向读者提供背景信息，以促进更好地理解本文所述的系统和方法的各个方面。因此，应当理解，这些陈述应当从这个角度来解读，而不是承认现有技术。
[0004]本公开涉及CMOS传感器的领域。一些CMOS传感器基于光电效应来操作，光电效应将入射光子转换成电荷，从而产生电压(使用集成电子器件)，电压依照明强度而变。一些CMOS传感器用于近红外(NIR)波长。此类NIR CMOS传感器已经逐渐获得市场份额并且正在取代可能昂贵且效率较低的传统CCD传感器。CMOS NIR传感器在数码相机中用于在不良照本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光学部件，所述光学部件包括：电介质结构，所述电介质结构具有至少一个侧表面、上表面和下表面，所述至少一个侧表面敞开以接受入射电磁辐射；所述上表面上的第一导电层，所述第一导电层具有定位成接受入射电磁辐射的第一开口；和所述下表面上的第二导电层，所述第二导电层具有定位成发射电磁辐射的第二开口。2.根据权利要求1所述的光学部件，其中所述电介质结构的横截面是基本上矩形的。3.根据权利要求1或2所述的光学部件，其中所述第一开口和所述第二开口具有基本上相同的宽度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学部件，其中所述第一开口和所述第二开口在所述电介质结构上基本上居中。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光学部件，其中所述电介质结构安装在硅基板上，所述第二开口定位成将电磁辐射发射到所述硅基板中。6.根据权利要求1至5中任一项所述的光学部件，所述光学部件还包括：位于所述电介质结构下面的光电探测器。7.根据权利要求1至6中任一项所述的光学部件，其中所述电介质结构具有介于1600nm和1900nm之间的高度h
元件
和介于1100nm和1400nm之间的宽度d
元件
。8.根据权利要求1至6中任一项所述的光学部件，其中所述电介质结构具有介于900nm和1300nm之间的高度h
元件
和介于750nm和1050nm之间的宽度d
元件
。9.根据权利要求1至8中任一项所述的光学部件，其中所述第一开口和所述第二开口各自具有介于150nm和200nm之间的宽度。10.根据权利要求1至9中任一项所述的光学部件，所述光学部件被配置为选择性地透射具有波长λ
inc
的入射电磁辐射，其中所述电介质结构的高度h
元件
基本上等于其中n
H
是所述电介质结构的折射率并且n
L
是周围介质的折射率。11.根据权利要求1至10中任一项所述的光学部件，所述光学部件被配置为选择性地透射具有波长λ
...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：交互数字CE专利控股有限公司，
类型：发明
国别省市：