三维存储器及其制备方法、电子设备技术

一种三维存储器及其制备方法、电子设备。三维存储器包括互连的第一芯片和第二芯片。第一芯片包括层叠设置的三维存储阵列和第一键合层，第一键合层中的多个第一表面电极与三维存储阵列对应耦接。第二芯片包括层叠设置的读写电路和第二键合层，第二键合层中的多个第二表面电极与读写电路对应耦接。第一芯片和第二芯片的互连，通过第一键合层和第二键合层的键合实现。并且，第一键合层中的第一表面电极与第二键合层中的第二表面电极一一对应的耦接。第二键合层中的第二表面电极一一对应的耦接。第二键合层中的第二表面电极一一对应的耦接。第二键合层中的第二表面电极一一对应的耦接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：江安全，杨喜超，张岩，江钧，柴晓杰，魏侠，秦健鹰，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：