【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于使用激光器、检流计和数字微镜在第一材料的层(10)上或中高速记录数据的的方法和装置
[0001]本专利技术涉及一种用于在第一材料的层上或中高速记录数据的方法，并且涉及一种用于在第一材料的层上或中高速记录数据的装置。
技术介绍
[0002]相当长一段时间已知的是，空间光调制器(spatial light modulator；SLM)或数字微镜装置(digital micromirror device；DMD)可以用来选择性地操纵材料的层上或中的区域，例如用于形成半导体装置和显示器的光掩模(参见，例如，WO 99/45441 A1)。通过利用微镜的阵列或矩阵，可以同时照射大量像素，并且以良好受控的方式在光掩模中形成例如期望图案。
[0003]然而，用于照射的激光并不直接操纵例如半导体的基板材料。相反，使用称为光刻的间接工艺来将期望图案蚀刻至基板材料中。在此工艺中，通过激光来操纵感光光阻剂。
[0004]尽管已证明光刻技术在半导体业界中极其成功，可能期望直接操纵某些材料层，例如，用于在陶瓷材料上记录数据(参见P...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在第一材料的层(10)上或中高速记录数据的方法，所述方法包括以下步骤：提供第一材料的层(10)；以和通过激光选择性地照射所述第一材料的所述层(10)的多个区域，以便选择性地操纵在所述第一材料的所述层(10)的所述多个区域处的材料；其中所述第一材料的所述层(10)的所述多个区域借助检流计扫描仪(4)和数字微镜装置(5)的组合来选择性地照射。2.如权利要求1所述的方法，其中照射所述第一材料的所述层(10)的所述多个区域的所述激光按此顺序穿过所述检流计扫描仪(4)和所述数字微镜装置(5)。3.如权利要求1或2所述的方法，其中从所述检流计扫描仪(4)发射的所述激光同时仅照射所述数字微镜装置(5)的所述微镜阵列的区段。4.如权利要求3所述的方法，其中所述受照射区段总计达小于所述数字微镜装置的所述微镜阵列的10％、优选地小于1％、更优选地小于0.1％。5.如权利要求3或4所述的方法，其中所述数字微镜装置(5)的所述微镜阵列借助所述检流计扫描仪(4)扫描所述受照射区段。6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中自所述检流计扫描仪(4)发射的所述激光穿过准直光学器件(L1,L2)，以便将所述激光对准至相对于所述数字微镜装置(5)的预定入射角。7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中自所述数字微镜装置(5)发射的所述光穿过束成形光学器件(7)，优选地激光区板的矩阵或空间光调制器。8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述激光通过超短脉冲激光(1)提供。9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一材料为陶瓷材料，所述陶瓷材料优选地包括以下各者中的至少一者：金属氮化物，CrN、CrAlN、TiN、TiCN、TiAlN、ZrN、AlN、VN、Si3N4、ThN、HfN、BN；金属碳化物，诸如TiC、CrC、Al4C3、VC、ZrC、HfC、ThC、B4C、SiC；金属氧化物，诸如Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2、ThO2、MgO、Cr2O3、Zr2O3、V2O3；金属硼化物，诸如TiB2、ZrB2、CrB2、VB2、SiB6、ThB2、HfB2、WB2、WB4；或金属硅化物，诸如TiSi2、ZrSi2、MoSi2、WSi2、PtSi、Mg2Si。10.如权利要求9所述的方法，其中提供所述陶瓷材料的所述层包括：提供陶瓷基板；以及通过不同于所述陶瓷基板的所述材料的所述陶瓷材料的所述层涂覆所述基板。11.如权利要求10所述的方法，其中所述陶瓷材料的所述层具有不大于10μm、优选地不大于5μm、更优选地不大于2μm、更优选地不大于1μm、甚至更优选地不大于100nm，并且最优选地不大于10nm的厚度。12.如权利要求9、10或11所述的方法，其中所述陶瓷基板包括以下各者中的一者或组合的按重量计至少90％、优选地至少95％：Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2、ThO2、MgO、Cr2O3、Zr2O3、V2O3；和/或其中所述陶瓷基板包括以下各者中的一者或组合的按重量计至少90％、优选地至少95％：金属氮化物，诸如CrN、CrAlN、TiN、TiCN、TiAlN、ZrN、AlN、VN、Si3N4、ThN、HfN、BN；金属碳化物，诸如TiC、Cr...
【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯蒂安，
申请(专利权)人：陶瓷数据解决方案有限公司，
类型：发明
国别省市：
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