一种高温压电陶瓷材料及其相界调控方法技术

本发明专利技术公开了一种高温压电陶瓷材料及其相界调控方法，包括：制备R相压电陶瓷材料；制备T相压电陶瓷材料；将R相压电陶瓷材料和T相压电陶瓷材料按照特定比例混合以寻找相界MPB，并将该相界MPB处对应的R相压电陶瓷材料和T相压电陶瓷材料压制成型形成陶瓷胚体；采用特定排塑烧结工艺对陶瓷胚体进行烧制形成最终的高温压电陶瓷材料。本发明专利技术可以快速寻找到相界MPB，从而缩短高温压电陶瓷材料的制备周期。周期。周期。

【技术实现步骤摘要】
一种高温压电陶瓷材料及其相界调控方法


[0001]本专利技术属于压电陶瓷材料
，具体涉及一种高温压电陶瓷材料及其相界调控方法。

技术介绍

[0002]高温压电材料被广泛应用于航空航天、地质勘探、石油化工、汽车发动机等许多要求工作于特殊环境下的高新
，如卫星上的微位移驱动器、汽车电喷、地质勘探过程中的振动传感器、加速度传感器等都必须使用高温压电材料。
[0003]目前应用最广泛的压电材料主要是钙钛矿结构的锆钛酸铅(PZT)基压电材料。准同型相界(Morphotropic Phase Boundary，简称MPB)一开始就是在研究钙钛矿结构的PZT固溶体时提出的，其通常是指两个具有不同结构的铁电相以不同比例形成固溶体时，分隔这两种铁电相的临界组分的区域。新型钙钛矿结构铁电体BiScO3‑
PbTiO3以其与PZT性能相当的电学性能，同时高达450℃的居里温度引起人们的广泛关注。但是由于Sc元素高昂的价格，该材料体系一直没有投入大规模工业生产当中，近年来人们通过引入Co、In、Fe等元素取代Sc元素，虽然可以保证较高的居里本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温压电陶瓷材料相界调控方法，其特征在于，包括：制备R相压电陶瓷材料；制备T相压电陶瓷材料；将所述R相压电陶瓷材料和所述T相压电陶瓷材料按照特定比例混合以寻找相界MPB，并将该相界MPB处对应的所述R相压电陶瓷材料和所述T相压电陶瓷材料压制成型形成陶瓷胚体；采用特定排塑烧结工艺对所述陶瓷胚体进行烧制形成最终的高温压电陶瓷材料。2.根据权利要求1所述的高温压电陶瓷材料相界调控方法，其特征在于，制备所述R相压电陶瓷材料的过程，包括：按化学组成为(1
‑
x1)BiScO3‑
x1PbTiO3的化学计量比称取原料Sc2O3、Bi2O3、PbO、TiO2；其中，(1
‑
x1)和x1分别表示BiScO3、PbTiO3的摩尔比，x1取值小于0.63；将上述称取的原料依次经过球磨混合、预烧、二次球磨混合、烘干、研磨工艺以制备混合粉料；将上述制备得到的混合粉料加入粘合剂聚乙烯醇后造粒形成所述R相压电陶瓷材料。3.根据权利要求1所述的高温压电陶瓷材料相界调控方法，其特征在于，制备所述T相压电陶瓷材料的过程，包括：按化学组成为(1
‑
x2)BiScO3‑
x2PbTiO3的化学计量比称取原料Sc2O3、Bi2O3、PbO、TiO2；其中，(1
‑
x2)和x2分别表示BiScO3、PbTiO3的摩尔比，x2取值大于0.64；将上述称取的原料依次经过球磨混合、预烧、二次球磨混合、烘干、研磨工艺以制备混合粉料；将上述制备得到的混合粉料加入粘合剂聚乙烯醇后造粒形成所述T相压电陶瓷材料。4.根据权利要求1所述的高温压电陶瓷材料相界调控方法，其特征在于，将所述R相压...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵天龙，石柯飞，费春龙，董广志，王满之，孙韬，孙昕郝，张娟，刘文，全熠，戴显英，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：