一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构制造技术

一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构，电子阻挡层由空穴传输主体材料与多种电子阻挡材料共掺组成，电子阻挡材料的HOMO能级介于空穴传输主体材料与发光材料之间。发光层A由电子阻挡层材料与空穴型发光主体材料共掺构成，不含发光客体材料，发光层B的客体发光材料采用两种共掺发光材料结构，其中两种掺杂发光材料的HOMO能级分别与电子阻挡材料和空穴型主体材料的能级接近，形成独立的空穴通道。本发明专利技术通过器件结构设计产生两个空穴传输通道，利用发光层的共空穴传输效果，从而提升两个发光单元的空穴传输效率，降低由于材料HOMO能级不同导致的势垒效应，从而实现OLED器件的高寿命表现，具有低工作电压的特点，可适配单色与全彩发光器件。配单色与全彩发光器件。配单色与全彩发光器件。

【技术实现步骤摘要】
一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构
[0001]

[0002]本专利技术属于微型显示
，具体为一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构。
[0003]
技术介绍

[0004]硅基OLED(Organic Light Emitting Display)作为一种新型的高分辨率高亮度显示器件，区别于常规的AMOLED器件，它是以单晶硅作为驱动沉底，通过利用显示制备技术与半导体制备技术结合的主动式有机发光二极管显示器件。其像素密度为传统显示器件的10倍以上甚至更高，精细度远远高于传统器件，普通的硅基OLED就可实现超过人眼分辨力极限的显示效果，从而满足VR、AR等近眼显示技术的需求指标。
[0005]硅基OLED应用于VR领域需要满足高亮度的工作指标需求，以满足硅基OLED与光机系统融合后的剩余可视化亮度达到人眼接受范围。受限于硅基CMOS驱动技术的标准电压限制，在基于多发光层结构技术的硅基OLED器件结构上。对器件工作亮度提出了更高要求，并且器件的长期工作需要保留一定的电压调节范围以稳定工作亮度变化。基于此需求，对器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构，其特征在于：包括由下至上依次布置的硅基CMOS驱动基板、高功函数阳极、空穴传输层、第一电子阻挡层、第一发光层、电子传输层、电荷产生层、空穴传输层、第二电子阻挡层、第二发光层、电子传输层、阴极出光层、薄膜封装层；所述第一发光层包括长度方向平行布置的第一发光层A、第一发光层B；所述第二发光层包括长度方向平行布置的第二发光层A、第二发光层B。2.根据权利要求1所述的电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构，其特征在于：所述第一电子阻挡层由第一空穴传输主体材料与多种电子阻挡材料共掺组成，其中所述电子阻挡材料的HOMO能级介于空穴传输主体材料与发光材料之间，选择两种或多种材料进行掺杂；所述第一发光层A的主体材料采用共掺型主体发光材料构成，由电子阻挡层材料与空穴型发光主体材料共掺构成，且所述发光层A不含发光客体材料；所述第一发光层B的主体材料由包含所述第一发光层A中的电子阻挡材料或HOMO能级相近的主体材料与电子型发光主体材料共掺构成，第一发光层B的客体发光材料采用两种共掺发光材料结构，其中两种掺杂发光材料的HOMO能级分别与电子阻挡材料和空穴型主体材料的能级接近，形成独立的空穴通道。3.根据权利要求1所述的电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构，其特征在于：所述第二电子阻挡层由第二空穴传输主体材料与多种电子阻挡材料共掺组成，其中所述电子阻挡材料的HOMO能级介于空穴传输次主体材料与发光材料之间，选择两种或多种材料进行掺杂；所述第二发光层A的主体材料采用共掺型主体发光材料构成，由电子阻挡层材料与空穴型发光主体材料共掺构成，且所述发光层A不含发光客体材料；所述第二发光层B的主体材料由包含所述第二发光层A的其中电子阻挡材料或HOMO能级相近的主体材料与电子型发光主体材料共掺构成，所述第二发光层B的客体发光材料采用两种共掺发光材料结构，其中两种掺杂发光材料的HOMO能级分别与电子阻挡材料和空穴型主体材料的能级接近，形成独立的空穴通道。4.根据权利要求2或3所述的电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构，其特征在于：所述第一电子阻挡层结构中第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘腾飞，杨建兵，秦昌兵，张阳，李威利，张放，
申请(专利权)人：南京国兆光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：