半导体光放大器的几何结构制造技术

在一些实施方式中，设备可以生成至少包括半导体光放大器(SOA)切片的模态增益值和模态损耗值的数据集。该设备可以基于所述数据集使用自回归模型来确定SOA的多个切片的相应宽度。所述多个切片中的一切片的、所述相应宽度中的一宽度可以与在给定电流密度下该切片能实现的最大转换效率相关联。设备可以基于多个切片的相应宽度来生成指示SOA的几何结构的信息。息。息。

【技术实现步骤摘要】
半导体光放大器的几何结构


[0001]本公开总体上涉及光放大器和用于半导体光放大器的几何结构。

技术介绍

[0002]光放大器是接收信号光并产生放大的信号光(即，具有相对更高的光功率的信号光)的设备。通常，光放大器使用所谓的增益介质提供光学放大，该增益介质由诸如泵浦激光器或电流源的源“泵浦”(即，提供有能量)。在一些情况下，光放大器可以利用半导体作为增益介质(这种设备可以被称为半导体光放大器)。

技术实现思路

[0003]在一些实施方式中，一种方法包括：由设备生成一数据集，所述数据集至少包括用于半导体光放大器(SOA)切片的模态增益值和模态损耗值；由所述设备并且基于所述数据集，使用自回归模型来确定SOA的多个切片的相应宽度，其中所述多个切片中的一切片的、所述相应宽度中的一宽度与在给定电流密度下针对该切片能实现的最大转换效率相关联；以及由所述设备基于所述多个切片的相应宽度来生成指示SOA的几何结构的信息。
[0004]在一些实施方式中，SOA设备包括具有相应宽度的多个切片的SOA，其中多个切片中的第一切片在光传播方向上在多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：由设备生成一数据集，所述数据集至少包括用于半导体光放大器(SOA)切片的模态增益值和模态损耗值；由所述设备并基于所述数据集，使用自回归模型确定SOA的多个切片的相应宽度，其中所述多个切片中的一切片的、所述相应宽度中的一宽度与在给定电流密度下该切片能实现的最大转换效率相关联；以及由所述设备基于所述多个切片的相应宽度来生成指示所述SOA的几何结构的信息。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述自回归模型使用行波技术。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述自回归模型使用与针对所述多个切片中的第一切片确定的、所述相应宽度中的第一宽度相关联的输出光功率，作为用于确定多个纵向切片中的第二切片的、所述相应宽度中的第二宽度的输入光功率。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个切片的相应宽度与所述多个切片在给定电流密度下能实现的相应最大转换效率相关联。5.根据权利要求1所述的方法，其中，基于指示SOA的几何结构的信息来制造SOA设备。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：将指示SOA的几何结构的信息发送到另一设备以用于制造SOA设备。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切片具有在SOA的光传播方向上的长度和在横向于所述光传播方向的方向上的宽度。8.根据权利要求1所述的方法，其中，SOA的几何结构与所述SOA能实现的最大转换效率相关联。9.一种半导体光放大器(SOA)设备，包括：SOA，其具有相应宽度的多个切片，其中，所述多个切片中的第一切片在光传播方向上在所述多个切片中的第二切片之前，其中第一切片的第一宽度与在到所述第一切片的输入光功率和给定电流密度下所述第一切片能实现的最大转换效率相关联，所述第一宽度限定从所述第一切片到所述第二切片的输出光功率，并且其中第二切片的第二宽度与在从所述第一切片到所述第二切片的输出光功率下并且在给定电流密度下所述第二切片能实现的最大转换效率相关联。10.根据权利要求9所述的SOA设备，其中，所述多个切片中的每个切片具有与在所述切...

【专利技术属性】
技术研发人员：周一胤，A米扎拉希，MC拉森，
申请(专利权)人：朗美通经营有限责任公司，
类型：发明
国别省市：