存储设备的适配方法、适配装置、存储设备和可读存储介质制造方法及图纸

本公开提供了一种存储设备的适配方法、适配装置、存储设备和计算机可读存储介质，涉及存储设备技术领域。其中，存储设备的适配方法包括：在所述存储设备的开发过程中，预设用于与所述闪存芯片进行适配的开发代码；基于适配规则获取待适配的所述闪存芯片的特征参数；基于所述特征参数对预设的所述开发代码进行适配处理，以基于处理结果生成适用于所述闪存芯片的应用策略。通过本公开的技术方案，实现存储设备中的主控芯片和不同类型的闪存芯片之间的适配操作，不但能够提升适配处理效率，而且能够保证适配性能，进而在保证SSD固态硬盘的性能的同时，提高SSD固态硬盘的开发效率。提高SSD固态硬盘的开发效率。提高SSD固态硬盘的开发效率。

【技术实现步骤摘要】
存储设备的适配方法、适配装置、存储设备和可读存储介质


[0001]本公开涉及存储设备
，尤其涉及一种存储设备的适配方法、装置、存储设备和计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]固态硬盘（SSD，Solid State Drive）为非挥发性数据存储装置，主要包括主控芯片和闪存芯片（即存储单元），对于主控芯片，在开发阶段需要和不同厂商的存储单元进行适配处理，而在开发适配过程中，适配所耗费的时间和适配程度不但直接影响了主控芯片的开发进度，也会影响SSD固态硬盘的性能。
[0003]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本公开的目的在于提供一种存储设备的适配方法、装置、存储设备和计算机可读存储介质，至少在一定程度上克服相关技术中存储芯片的寻址效率仍有待提高的问题。
[0005]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0006]根据本公开的一个方面，提供一种存储设备的适配方法，包括：在所述存储设备的开发过程中，预设用于与所述闪存芯片进行适配的开发代码；基于适配规则获取待适配的所述闪存芯片的特征参数；基于所述特征参数对预设的所述开发代码进行适配处理，以基于处理结果生成适用于所述闪存芯片的应用策略。
[0007]在本公开的一个实施例中，所述适配规则包括运行规则，所述基于适配规则获取待适配的所述闪存芯片的特征参数包括：基于所述运行规则获取适于所述闪存芯片运行的运行特征参数；所述基于所述特征参数对预设的所述开发代码进行适配处理，以基于处理结果生成适用于所述闪存芯片的应用策略包括基于所述运行特征参数确定所述闪存芯片待配置的运行条件；确定所述开发代码中与所述运行条件对应的待调整参数；将所述待调整参数调整至与所述闪存芯片适配，生成所述应用策略。
[0008]在本公开的一个实施例中，所述运行特征参数包括所述闪存芯片的接口特征，所述基于所述运行特征参数确定所述闪存芯片待配置的运行条件包括：基于所述闪存芯片的接口特征识别所述闪存芯片所支持的接口协议，并将识别结果作为所述待配置的运行条件，其中，所述接口协议包括第一类接口协议和第二类接口协议。
[0009]在本公开的一个实施例中，所述确定所述开发代码中与所述运行条件对应的待调整参数包括：查询所述开发代码中与所述接口特征相关的代码参数，作为所述待调整参数，以基于所述识别结果将所述待调整参数调整为与所述接口协议匹配的操作指令序列，其中，对于所述第一类接口协议，所述操作指令序列基于时钟信号配置，对于所述第二类接口协议，所述操作指令序列基于差分信号的跳变沿配置。
[0010]在本公开的一个实施例中，所述运行特征参数包括所述闪存芯片的指令特征，所述基于所述运行特征参数确定所述闪存芯片待配置的运行条件包括：基于所述闪存芯片的指令特征检测所述闪存芯片的执行功能，以所述执行功能作为所述待配置的运行条件，所述执行功能包括执行操作指令所需的操作时间，其中，所述操作指令包括读指令、写指令和擦除指令中的至少一种。
[0011]在本公开的一个实施例中，所述确定所述开发代码中与所述运行条件对应的待调整参数包括：从所述开发代码中查询完成所述操作指令需要等待的延时参数，作为对应的所述待调整参数，以将所述延时参数调整为与所述操作时间匹配。
[0012]在本公开的一个实施例中，所述适配规则包括性能规则，所述基于适配规则获取待适配的所述闪存芯片的特征参数包括：基于所述性能规则获取适于使所述闪存芯片优化运行的性能特征参数；所述基于所述特征参数对预设的所述开发代码进行适配处理，以基于处理结果生成适用于所述闪存芯片的应用策略包括：基于所述性能特征参数确定所述闪存芯片待优化的运行性能；在所述开发代码中为所述运行性能配置对应的性能优化参数，以生成所述应用策略。
[0013]在本公开的一个实施例中，所述性能特征参数包括对所述闪存芯片的读写性能特征，所述基于所述性能特征参数确定所述闪存芯片待适配的运行性能包括：基于所述闪存芯片的读写性能特征检测所述闪存芯片是否支持并行处理方式，并将检测结果作为所述待优化的运行性能，其中，所述并行处理方式包括多阶读写技术Multiplane、外部交叉读写技术interleave、内部交叉读写技术和两步编程操作中的至少一种。
[0014]在本公开的一个实施例中，所述在所述开发代码中为所述运行性能配置对应的性能优化参数，以生成所述应用策略包括：若基于所述检测结果确定支持所述并行处理方式，则在所述开发代码中配置用于开启并行处理指令的指令代码，并为所述并行处理指令分配对应的计算和存储资源，以生成所述应用策略；若基于所述检测结果确定不支持所述并行处理方式，在所述开发代码中配置用于屏蔽所述并行处理指令的指定代码，以生成所述应用策略。
[0015]在本公开的一个实施例中，所述性能特征参数包括所述闪存芯片的物理特征，所述基于所述性能特征参数确定所述闪存芯片待优化的运行性能包括：识别所述闪存芯片中存储单元的数量，以作为所述性能特征参数；基于所述存储单元的数量确定所述闪存芯片待优化的运行性能。
[0016]在本公开的一个实施例中，所述在所述开发代码中为所述运行性能配置对应的性能优化参数，以生成所述应用策略包括：基于所述存储单元的数量对闪存芯片的存储资源分配进行优化，得到分配优化参数；在所述开发代码中配置所述分配优化参数，以生成所述应用策略。
[0017]在本公开的一个实施例中，所述适配规则包括可靠性规则，所述基于适配规则获取待适配的所述闪存芯片的特征参数包括：基于所述可靠性规则获取所述闪存芯片的可靠性特征参数；所述基于所述特征参数对预设的所述开发代码进行适配处理，以基于处理结果生成适用于所述闪存芯片的应用策略包括：在所述开发代码中查询可靠性基础策略；基于所述可靠性特征参数对所述可靠性基础策略进行适配处理，得到可靠性策略，作为所述应用策略，其中，所述可靠性基础策略包括对读重试查找表的处理策略和/或对所述闪存芯
片的温控策略。
[0018]在本公开的一个实施例中，所述基于所述可靠性特征参数对所述可靠性基础策略进行适配处理，得到可靠性策略，作为所述应用策略包括：基于存储质量参数调整所述处理策略中的处理容量和/或处理参数值；和/或基于温度特性参数调整所述温控策略的规则参数，以得到所述应用策略。
[0019]在本公开的一个实施例中，所述基于所述特征参数对预设的所述开发代码进行适配处理，以基于处理结果生成适用于所述闪存芯片的应用策略，还包括：基于所述应用策略对所述闪存芯片执行试运行操作，以检测对所述开发代码的处理结果是否符合开发需求；若未符合所述开发需求，则对所述开发代码进行修复操作。
[0020]根据本公开的另一个方面，提供一种存储设备的适配装置，包括：预设模块，用于在所述存储设备的开发过程中，预设用于与所述闪存芯片进行适配的开发代码；获取模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储设备的适配方法，其特征在于，应用于所述存储设备的主控芯片，所述存储设备还包括闪存芯片，所述适配方法包括：在所述存储设备的开发过程中，预设用于与所述闪存芯片进行适配的开发代码；基于适配规则获取待适配的所述闪存芯片的特征参数；基于所述特征参数对预设的所述开发代码进行适配处理，以基于处理结果生成适用于所述闪存芯片的应用策略。2.根据权利要求1所述的存储设备的适配方法，其特征在于，所述适配规则包括运行规则，所述基于适配规则获取待适配的所述闪存芯片的特征参数包括：基于所述运行规则获取适于所述闪存芯片运行的运行特征参数；所述基于所述特征参数对预设的所述开发代码进行适配处理，以基于处理结果生成适用于所述闪存芯片的应用策略包括：基于所述运行特征参数确定所述闪存芯片待配置的运行条件；确定所述开发代码中与所述运行条件对应的待调整参数；将所述待调整参数调整至与所述闪存芯片适配，生成所述应用策略。3.根据权利要求2所述的存储设备的适配方法，其特征在于，所述运行特征参数包括所述闪存芯片的接口特征，所述基于所述运行特征参数确定所述闪存芯片待配置的运行条件包括：基于所述闪存芯片的接口特征识别所述闪存芯片所支持的接口协议，并将识别结果作为所述待配置的运行条件，其中，所述接口协议包括第一类接口协议和第二类接口协议。4.根据权利要求3所述的存储设备的适配方法，其特征在于，所述确定所述开发代码中与所述运行条件对应的待调整参数包括：查询所述开发代码中与所述接口特征相关的代码参数，作为所述待调整参数，以基于所述识别结果将所述待调整参数调整为与所述接口协议匹配的操作指令序列，其中，对于所述第一类接口协议，所述操作指令序列基于时钟信号配置，对于所述第二类接口协议，所述操作指令序列基于差分信号的跳变沿配置。5.根据权利要求2所述的存储设备的适配方法，其特征在于，所述运行特征参数包括所述闪存芯片的指令特征，所述基于所述运行特征参数确定所述闪存芯片待配置的运行条件包括：基于所述闪存芯片的指令特征检测所述闪存芯片的执行功能，以所述执行功能作为所述待配置的运行条件，所述执行功能包括执行操作指令所需的操作时间，其中，所述操作指令包括读指令、写指令和擦除指令中的至少一种。6.根据权利要求5所述的存储设备的适配方法，其特征在于，所述确定所述开发代码中与所述运行条件对应的待调整参数包括：从所述开发代码中查询完成所述操作指令需要等待的延时参数，作为对应的所述待调整参数，以将所述延时参数调整为与所述操作时间匹配。7.根据权利要求1所述的存储设备的适配方法，其特征在于，所述适配规则包括性能规则，所述基于适配规则获取待适配的所述闪存芯片的特征参
数包括：基于所述性能规则获取适于使所述闪存芯片优化运行的性能特征参数；所述基于所述特征参数对预设的所述开发代码进行适配处理，以基于处理结果生成适用于所述闪存芯片的应用策略包括：基于所述性能特征参数确定所述闪存芯片待优化的运行性能；在所述开发代码中为所述运行性能配置对应的性能优化参数，以生成所述应用策略。8.根据权利要求7所述的存储设备的适配方法，其特征在于，所述性能特征参数包括对所述闪存芯片的读写性能特征，所述基于所述性能特征参数确定所述闪存芯片待适配的运行性能包括：基于所述闪存芯片的读写性能特征检测所述闪存芯片是否支持并行处理方式，并将检测结果作为所述待优化的运行性能，其中，所述并行处理方式包括多阶读写技术Multiplane、外部交叉读写技术...

【专利技术属性】
技术研发人员：修宸，张万强，宋江华，张博，
申请(专利权)人：北京特纳飞电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：