微电子器件气密性封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种微电子器件气密性封装结构，包括：第一基板，其第一主面上形成有微电子器件；第二基板，其第一主面上形成有吸气结构，吸气结构包括吸气剂薄膜及用于激活吸气剂薄膜的热子结构；第三基板，其形成有贯穿其第一主面和第二主面的通孔；第一基板的第一主面与第三基板的第一主面气密性接触，第二基板的第一主面与第三基板的第二主面气密性接触，通孔与第一基板和第二基板组成气密性空腔，微电子器件的主要部分位于气密性空腔中，吸气结构的主要部分与气密性空腔连通。本发明专利技术降低了对封装外壳气密性的要求，在对封装外壳进行拆装时不会影响器件内部的气密性，提高了封装效率且便于MEMS器件的后续使用和维护。便于MEMS器件的后续使用和维护。便于MEMS器件的后续使用和维护。

【技术实现步骤摘要】
微电子器件气密性封装结构


[0001]本专利技术属于MEMS器件设计和制造领域，特别是涉及一种微电子器件气密性封装结构。

技术介绍

[0002]有些半导体器件，特别是有些微机电系统(MEMS：Micro Electro Mechanical Systems)器件，需要封装在真空环境下工作。例如，具有高速震动部件的MEMS加速度传感器、陀螺仪、真空计，需要把震动部分封装在比较稳定的真空中。再例如，需要有真空腔的MEMS压力传感器，也需要真空腔内有较高的真空，且其真空度保持稳定。一些红外传感器，同样需要把器件封装在较高的真空腔体内。
[0003]在大部分的封装中，实现较高真空的封装本身就具有挑战性，因为，在封装过程中，经常会有一些残留气体滞留在真空腔内。为此，常常需要在真空腔内封入吸气剂，在封装的同时激活吸气剂，或者待封装完成后再激活吸气剂，把真空腔内的残留气体吸收掉，实现满足器件工作所需要的较高的真空。吸气剂(Getter)，也叫消气剂，在真空科技领域中，是指能够有效吸附和固定某些或某种气体分子的材料。但是激活吸气剂往往需要对吸气剂进行数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微电子器件气密性封装结构，其特征在于，包括：第一基板，所述第一基板的第一主面上形成有微电子器件；第二基板，所述第二基板的第一主面上形成有吸气结构，所述吸气结构包括吸气剂薄膜及用于激活所述吸气剂薄膜的热子结构；第三基板，所述第三基板中形成有贯穿其第一主面和第二主面的通孔；所述第一基板的第一主面与所述第三基板的第一主面气密性接触，所述第二基板的第一主面与所述第三基板的第二主面气密性接触，所述通孔与所述第一基板和第二基板组成气密性空腔，所述微电子器件的主要部分位于所述气密性空腔中，所述吸气结构的主要部分与所述气密性空腔连通。2.权利要求1所述的微电子器件气密性封装结构，其特征在于：所述微电子器件包括红外传感器件、MEMS陀螺仪、MEMS加速度计、MEMS真空计、MEMS微镜及MEMS压力传感器中的一种或两种以上。3.权利要求1所述的微电子器件气密性封装结构，其特征在于：所述吸气结构包括：形成在所述第二基板的第一主面上的热子结构及形成在所述热子结构表面的吸气剂薄膜，所述第二基板的第一主面上对应所述热子结构的部分形成有凹槽，以使所述热子结构悬浮于所述凹槽上。4.权利要求3所述的微电子器件气密性封装结构，其特征在于：所述吸气结构由多个悬臂梁与所述第二基板连接。5.权利要求1所述的微电子器件气密性封装结构，其特征在于：所述热子结构包括：形成在所述第二基板的第一主面的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层上的薄膜加热电阻以及覆盖于所述第一绝缘层和所述薄膜加热电阻上的第二绝缘层，所述第二基板和所述第一绝缘层中形成有贯穿所述第二基板和所述第一绝缘层的导电柱，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈朔，冯刘昊东，彭鑫林，季宇成，郭松，王诗男，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：