使用动态电感器的阻抗匹配制造技术

一种电路器件包括半导体器件(102、202)和阻抗匹配网络(104、204)。阻抗匹配网络包括形成电路器件的至少一个电感器(112、212)的超导体材料，并且当处于超导状态时，超导体材料表现出每单位平方的动态电感。阻抗匹配网络被配置为在电路器件的操作期间变换半导体器件的阻抗以匹配预定的第二阻抗。阻抗以匹配预定的第二阻抗。阻抗以匹配预定的第二阻抗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用动态电感器的阻抗匹配
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月21日提交的美国临时申请序列号63/054,277的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术介绍

[0003]低温电路可以用于处理各种应用(包括量子计算)中的信号。低温电路的特殊设计可以增加它们的信号处理保真度或降低功耗。

技术实现思路

[0004]本公开涉及包括半导体器件和动态电感器的电路器件。
[0005]在一个方面，本公开描述了一种包括半导体器件和阻抗匹配网络的电路器件，其中阻抗匹配网络包括形成电路器件的至少一个电感器的超导体材料，其中超导体材料在处于超导状态时表现出每单位平方的动态电感，并且其中阻抗匹配网络被配置为变换半导体器件的阻抗以在电路器件的操作期间匹配预定的第二阻抗。在一些实施方式中，电路器件是放大器。
[0006]前述和其他实施方式可以包括以下中的一个或多个。半导体器件是半导体晶体管。半导体器件的变换后阻抗是半导体晶体管的输出阻抗。电路器件包括第二半导体晶体管，并且预定的第二阻抗是第二半导体晶体管的输入阻抗。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电路器件，包括：半导体器件，以及阻抗匹配网络，其中，所述阻抗匹配网络包括形成电路器件的至少一个电感器的超导体材料，其中，当处于超导状态时，所述超导体材料表现出每单位平方的动态电感，并且其中，所述阻抗匹配网络被配置为在电路器件的操作期间，变换半导体器件的阻抗以匹配预定的第二阻抗。2.根据权利要求1所述的电路器件，其中，所述电路器件是放大器。3.根据任一前述权利要求所述的电路器件，其中，所述半导体器件是半导体晶体管。4.根据权利要求3所述的电路器件，其中，所述半导体器件的变换后阻抗是半导体晶体管的输出阻抗。5.根据权利要求4所述的电路器件，包括第二半导体晶体管，其中，所述预定的第二阻抗是第二半导体晶体管的输入阻抗。6.根据权利要求3所述的电路器件，其中，所述半导体晶体管是异质结双极晶体管或场效应晶体管。7.根据任一前述权利要求所述的电路器件，其中，所述预定的第二阻抗是降低电路器件的噪声的阻抗。8.根据任一前述权利要求所述的电路器件，其中，所述预定的第二阻抗是耦接到电路器件的电气元件的阻抗。9.根据权利要求8所述的电路器件，其中，所述电气元件包括同轴电缆。10.根据任一前述权利要求所述的电路器件，其中，所述预定的第二阻抗约为50Ohm。11.根据任一前述权利要求所述的电路器件，其中，所述半导体器件和所述至少一个电感器被形成为集成在单个芯片中的集成电路的一部分。12.根据权利要求11所述的电路器件，其中，所述单个芯片包括在介电材料中以各自的高度掩埋的多个金属层，所述金属层中的至少第一金属层包括耦接到半导体器件的接触迹线，所述金属层中的至少第二金属层包括超导体材料。13.根据权利要求11所述的电路器件，其中，所述单个芯片包括超导体材料上方的第一层和超导体材料下方的第二层，其中，第一层和第二层包括不透明材料。14.根据权利要求13所述的电路器件，其中，第一层和第二层包括第二超导体材料。15.根据任一前述权利要求所述的电路器...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：谷歌有限责任公司，
类型：发明
国别省市：