超声换能器和超声换能器的平铺阵列制造技术

一种超声换能器具有控制电路，所述控制电路具有电路部分的阵列，这些电路部分共同限定电路区。cMUT元件被提供在所述控制电路的顶部。通路提供每个cMUT元件与下方的电路部分中的相应的一个电路部分之间的耦合。通路被定位在cMUT元件之间的空间处并且在相对于电路部分的形状的位置处连接到下方的电路部分。阵列的间距大于电路部分在阵列的至少一个方向上的间距，使得在所述至少一个方向上，cMUT元件延伸超出电路区的一边或两边。这使得平铺更加容易并且实现了模块化设计。容易并且实现了模块化设计。容易并且实现了模块化设计。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】超声换能器和超声换能器的平铺阵列


[0001]本专利技术涉及超声换能器，特别是具有在相关联的控制电路上提供的换能器元件的二维阵列。

技术介绍

[0002]众所周知，超声换能器元件的二维阵列例如用于在3D超声探头中使用。这样的探头将换能器元件的二维矩阵阵列与控制ASIC集成在一起。ASIC包含用于控制、传输和接收个体换能器元件的声学信号的电路。
[0003]ASIC所要求的功能被布局在与换能器元件间距匹配的单位控制单元中。换能器元件的尺寸由应用的成像要求(特别是频率和视场)决定。
[0004]2D阵列中的换能器元件的典型尺寸在100到350μm之间。尺寸在水平方向和垂直方向上可能略有不同。典型的矩阵阵列包含1000到10000个换能器元件。
[0005]这样的阵列和相关联的单个ASIC电路在本文档中被称为“超声换能器”。个体感测元件被称为“超声换能器元件”。多个这样的超声换能器的大的平铺或拼接阵列被称为“超声换能器布置”。
[0006]在常规情况下，矩阵阵列已经使用压电材料作为换能器元件进行了构建。如今，使用能够使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种超声换能器，包括：控制电路(202)，其包括集成电路，所述集成电路包括电路部分(204)的阵列；电容式微机械超声换能器cMUT元件(304)的阵列，其被提供为覆盖所述控制电路；以及通路(205)的阵列，其中，至少一个通路提供每个cMUT元件与所述CMUT元件被布置为覆盖到的所述电路部分中的相应的一个电路部分之间的耦合，这些电路部分共同限定电路区，其中，CMUT元件的所述阵列的间距大于所述电路部分在所述阵列的至少一个方向上的间距，使得在所述至少一个方向上，所述cMUT元件在所述至少一个方向上延伸超出所述电路区的一边或两边。2.根据权利要求1所述的超声换能器，其中，所述cMUT元件(304)中的每个cMUT元件都占据一个区，并且存在在所占据的区之间限定的空间，并且其中，每个通路(205)都被定位在所述空间中的相应的一个空间处。3.根据权利要求1或2所述的超声换能器，其中，每个通路(205)在所述电路部分的形状内的相对位置处连接到下方的所述电路部分，其中，存在至少两个不同的相对位置，使得第一cMUT元件在第一相对位置处连接到其相应的电路部分并且第二cMUT元件在第二相对位置处连接到其相应的电路部分。4.根据权利要求3所述的超声换能器，其中，沿着cMUT元件(304)的每行，每个相对位置在行方向上是不同的，并且在每行的一个端部处的所述cMUT元件在所述行方向上与所述电路区的一边交叠。5.根据权利要求4所述的超声换能器，其中，在每行的相同端部处的所述cMUT元件(304)与所述电路区的相同边交叠。6.根据权利要求4或5所述的超声换能器，其中，沿着cMUT元件的每列，每个相对位置在列方向上是不同的，并且每列的一个端部处的所述cMUT元件在所述列方向上与所述电路区的一边交叠。7.根据权利要求6所述的超声换能器，其中，在每列的相同端部处的所述cMUT元件与所述电路区的相同边交叠。8.根据权利要求4至7中的任一项所述的超声换能器，其中，沿着cMUT元件的每行，第一组cMUT元件的所述通路被定位在相对于所述c...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：发明
国别省市：