增益衰减电路和功率放大器制造技术

提供一种增益衰减电路和功率放大器，所述增益衰减电路使输入RF信号衰减，并将衰减的所述输入RF信号传输到功率晶体管。所述增益衰减电路包括：第一二极管，连接在第一节点和地之间，所述第一节点位于所述输入RF信号被输入到的端口和所述功率晶体管的控制端子之间；第一晶体管和第二晶体管，堆叠在第一电源和地之间，并且各自具有二极管连接结构；以及第三晶体管，被配置为通过控制端子接收由所述第一晶体管和所述第二晶体管设置的操作电压，并且基于所接收的操作电压来操作所述第一二极管。于所接收的操作电压来操作所述第一二极管。于所接收的操作电压来操作所述第一二极管。

【技术实现步骤摘要】
增益衰减电路和功率放大器


[0001]以下描述涉及一种增益衰减电路和功率放大器。

技术介绍

[0002]随着通信标准的演进，无线通信系统可采用各种数字调制/解调方法。现有的码分多址(CDMA)通信系统可采用正交相移键控(QPSK)方法，并且根据IEEE通信标准的无线LAN可采用正交频分复用(OFDM)方法。另外，作为3GPP的最新标准的长期演进(LTE)和高级LTE采用QPSK方案、正交幅度调制(QAM)方案和OFDM方案。这些无线通信标准实现线性调制方案，其中可能需要在传输期间保持传输信号的幅度或相位。
[0003]在无线通信系统中实现的传输装置可包括功率放大器，该功率放大器放大射频(RF)信号以增加传输距离。
[0004]因此，功率放大器在保持关于传输信号的幅度和相位的线性度的同时进行放大可能是有益的。
[0005]线性度意味着输出信号的功率根据输入信号的波动而不断放大，并且同时保持相位。
[0006]应用于移动装置的功率放大器的输出功率可考虑小区覆盖来确定，并且功率增益可根据位于功率放大器的前一级的收发器的规格来确定。当需要高输出功率时，需要具有高功率增益的功率放大器，当需要低输出功率时，需要具有低功率增益的功率放大器。通常，可通过电源电压和功率放大器的偏置电流来调节功率增益。然而，根据收发器的规格，可能需要使功率增益衰减的增益衰减电路。也就是说，从收发器输入到功率放大器的输入RF信号的幅度范围可根据晶体管的规格而变化，因此，功率放大器可能需要增益衰减电路来使输入RF信号衰减。<br/>[0007]本
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对本专利技术的
技术介绍
的理解，因此其可包含不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0008]提供本
技术实现思路
以按照简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本
技术实现思路
既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
[0009]在一个总体方面，一种增益衰减电路包括：第一二极管，连接在第一节点和地之间，所述第一节点位于输入射频(RF)信号被输入到的端口和功率晶体管的控制端子之间；第一晶体管和第二晶体管，堆叠在第一电源和地之间；以及第三晶体管，被配置为通过控制端子接收由所述第一晶体管和所述第二晶体管设置的操作电压，并且基于所接收的操作电压来操作所述第一二极管。
[0010]所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个可具有二极管连接结构。
[0011]所述第三晶体管可导通，可形成从所述第三晶体管、经由所述第一二极管到地的
电流路径，并且所述输入RF信号的一部分可通过所述电流路径被旁路到地。
[0012]所述第三晶体管的发射极可连接到所述第一二极管的阳极。
[0013]所述第一晶体管的控制端子和所述第一晶体管的集电极可彼此连接，所述第一晶体管的所述集电极可连接到所述第一电源，所述第二晶体管的控制端子和所述第二晶体管的集电极可彼此连接，所述第二晶体管的所述集电极可连接到所述第一晶体管的发射极，并且所述第二晶体管的发射极可连接到地。
[0014]所述操作电压可以是所述第一晶体管的所述集电极处的电压。
[0015]所述增益衰减电路还可包括：第一电阻器，连接在所述第一二极管的阴极与地之间；以及第二电阻器，连接在所述第二晶体管的所述发射极与地之间。
[0016]所述增益衰减电路还可包括：电容器，连接在所述第一晶体管的所述集电极与地之间。
[0017]所述增益衰减电路还可包括：第一电阻器和第一电容器，串联连接在所述第三晶体管的集电极与偏置电路之间，所述偏置电路被配置为向所述功率晶体管供应偏置电流。
[0018]所述输入RF信号的一部分可通过所述第三晶体管、所述第一电阻器和所述第一电容器供应到所述偏置电路。
[0019]在一个总体方面，一种功率放大器包括：功率晶体管；偏置电路，被配置为将偏置电流供应到所述功率晶体管的控制端子；以及增益衰减电路，被配置为使输入射频(RF)信号衰减，其中，所述增益衰减电路包括：第一二极管，被配置为将所述输入RF信号的一部分旁路到地；第一晶体管和第二晶体管，被配置为生成操作电压；以及第三晶体管，被配置为通过所述操作电压而导通，从而使所述第一二极管导通。
[0020]所述第一晶体管和所述第二晶体管各自具有二极管连接结构。
[0021]所述第三晶体管可导通，可形成从所述第三晶体管的集电极、经由所述第三晶体管的发射极、所述第一二极管到地的电流路径，并且所述输入RF信号的一部分通过所述电流路径被旁路到地。
[0022]所述操作电压可输入到所述第三晶体管的基极，所述第三晶体管的集电极可连接到电源电压，并且所述第三晶体管的发射极可连接到所述第一二极管的阳极。
[0023]所述第一晶体管和所述第二晶体管可堆叠在电源和地之间，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管可被配置为生成对应于使所述第三晶体管导通的导通电压的所述操作电压。
[0024]所述增益衰减电路还可包括：第一电阻器，连接在所述第一二极管的阴极与地之间；第二电阻器，连接在所述第二晶体管的发射极与地之间；以及电容器，连接在所述第三晶体管的控制端子与地之间。
[0025]所述增益衰减电路还可包括串联连接在所述第三晶体管的集电极与所述偏置电路之间的第一电阻器和第一电容器。
[0026]所述输入RF信号的一部分可通过所述第三晶体管、所述第一电阻器和所述第一电容器输入到所述偏置电路。
[0027]通过以下具体实施方式和附图，其他特征和方面将是易于理解的。
附图说明
[0028]图1示出根据一个或更多个实施例的示例功率放大器。
[0029]图2示出根据一个或更多个实施例的示例增益衰减电路的电路图。
[0030]图3A示出当增益衰减电路操作时每个元件的状态，并且图3B示出当增益衰减电路不操作时每个元件的状态。
[0031]图4示出增益衰减电路的增益的仿真结果的曲线图。
[0032]图5示出根据一个或更多个实施例的示例增益衰减电路的电路图。
[0033]图6示出根据一个或更多个实施例的示例增益衰减电路的电路图。
[0034]图7示出根据一个或更多个实施例的关于示例功率放大器的仿真结果。
[0035]在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的要素。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和便利起见，可夸大附图中的要素的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
[0036]提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同方案将是易于理解的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将易于理解的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增益衰减电路，包括：第一二极管，连接在第一节点和地之间，所述第一节点位于输入射频信号被输入到的端口和功率晶体管的控制端子之间；第一晶体管和第二晶体管，堆叠在第一电源和地之间；以及第三晶体管，被配置为通过控制端子接收由所述第一晶体管和所述第二晶体管设置的操作电压，并且基于所接收的操作电压来操作所述第一二极管。2.如权利要求1所述的增益衰减电路，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个具有二极管连接结构。3.如权利要求1所述的增益衰减电路，其中，当所述第三晶体管导通时，形成从所述第三晶体管、经由所述第一二极管到地的电流路径，并且所述输入射频信号的一部分通过所述电流路径被旁路到地。4.如权利要求1所述的增益衰减电路，其中，所述第三晶体管的发射极连接到所述第一二极管的阳极。5.如权利要求4所述的增益衰减电路，其中，所述第一晶体管的控制端子和所述第一晶体管的集电极彼此连接，并且所述第一晶体管的所述集电极连接到所述第一电源，并且所述第二晶体管的控制端子和所述第二晶体管的集电极彼此连接，所述第二晶体管的所述集电极连接到所述第一晶体管的发射极，并且所述第二晶体管的发射极连接到地。6.如权利要求5所述的增益衰减电路，其中，所述操作电压是所述第一晶体管的所述集电极处的电压。7.如权利要求5所述的增益衰减电路，所述增益衰减电路还包括：第一电阻器，连接在所述第一二极管的阴极与地之间；以及第二电阻器，连接在所述第二晶体管的所述发射极与地之间。8.如权利要求7所述的增益衰减电路，所述增益衰减电路还包括：电容器，连接在所述第一晶体管的所述集电极与地之间。9.如权利要求1所述的增益衰减电路，所述增益衰减电路还包括：第一电阻器和第一电容器，串联连接在所述第三晶体管的集电极与偏置电路之间，所述偏置电路被配置为向所述功率晶体管供应偏置电流。10.如权利要求9所述的增益衰减电路，其中，所述输入射频信号的一部分通过所述第三晶体管、所述第一电阻器和所述第一电容器供应到所述偏置电路。11.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建龙，柳贤眞，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：