本申请提供了一种芯片测试方法和装置，芯片包括数据存储区，该方法包括：在第一温度下进行第一芯片测试；第一芯片测试包括对数据存储区的第一道测试和对芯片逻辑功能的至少一道测试；在其他相同的温度下分别进行第i芯片测试；第i芯片测试包括对数据存储区的第i道测试和对芯片逻辑功能的至少一道测试；其中，i为大于1的整数。从而在相同温度下，当对数据存储区的一道测试测试完成后，紧接着对芯片逻辑功能的至少一道测试进行测试，即合并了相同温度的测试流程，相比现阶段的待对数据存储区的多道测试所有都测试完后，再在不同温度下对芯片的逻辑功能进行多道测试，减少了反复升温降温的时间，节约了测试时间，提高了测试效率。提高了测试效率。提高了测试效率。
【技术实现步骤摘要】
一种芯片测试方法和装置
[0001]本申请涉及芯片测试领域，特别涉及一种芯片测试方法和装置。
技术介绍
[0002]目前，芯片制造厂生产出来的芯片，需要通过量产机台对数据存储区和逻辑功能进行测试，保证数据存储区擦写读功能可靠，逻辑功能的算法模块和报警传感器等正常，从而筛选出符合要求的芯片来使用。
[0003]现阶段，通常先在不同温度下对芯片的数据存储区进行多道测试，待对数据存储区的多道测试所有都测试完后，再在不同温度下对芯片的逻辑功能进行多道测试，从而需要对测试机台进行多次升温降温，导致测试时间较长，效率较低。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种芯片测试方法和装置，可以缩短芯片测试时间，提高测试效率。
[0005]为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种芯片测试方法，所述芯片包括数据存储区，所述方法包括：
[0007]在第一温度下进行第一芯片测试；所述第一芯片测试包括对所述数据存储区的第一道测试和对所述芯片逻辑功能的至少一道测试；
[0008]在其他相同的温度下分别进行第i芯片测试；所述第i芯片测试包括对所述数据存储区的第i道测试和对所述芯片逻辑功能的至少一道测试；其中，i为大于1的整数。
[0009]可选地，所述方法还包括：
[0010]在完成所述第一芯片测试之后，在进行所述第i芯片测试之前，对所述芯片进行烘烤；
[0011]在所述进行烘烤之前，将所述芯片逻辑模拟量档位存储区的数据存储到数据存储区模拟量档位存储区。
[0012]可选地，所述方法还包括：
[0013]在所述进行烘烤之后，开始所述第i芯片测试之前，下载启动装载Bootloader，所述启动装载仅包括对所述逻辑功能进行测试的代码。
[0014]可选地，所述对所述数据存储区的第一道测试，包括：
[0015]对所述数据存储区的数据擦写读能力的测试。
[0016]可选地，所述对所述数据存储区的第i道测试，包括：
[0017]对所述数据存储区的数据保持能力的测试。
[0018]第二方面，本申请实施例提供了一种芯片测试装置，所述芯片包括数据存储区，所述装置包括：
[0019]第一芯片测试单元，用于在第一温度下进行第一芯片测试；所述第一芯片测试包
括对所述数据存储区的第一道测试和对所述芯片逻辑功能的至少一道测试；
[0020]第i芯片测试单元，用于在其他相同的温度下分别进行第i芯片测试；所述第i芯片测试包括对所述数据存储区的第i道测试和对所述芯片逻辑功能的至少一道测试；其中，i为大于1的整数。
[0021]可选地，所述装置还包括：
[0022]烘烤单元，用于在完成所述第一芯片测试之后，在进行所述第i芯片测试之前，对所述芯片进行烘烤；
[0023]存储单元，用于在所述进行烘烤之前，将所述芯片逻辑模拟量档位存储区的数据存储到数据存储区模拟量档位存储区。
[0024]可选地，所述装置还包括：
[0025]下载单元，用于在所述进行烘烤之后，开始所述第i芯片测试之前，下载启动装载Bootloader，所述启动装载仅包括对所述逻辑功能进行测试的代码。
[0026]可选地，所述对所述数据存储区的第一道测试，包括：
[0027]对所述数据存储区的数据擦写读能力的测试。
[0028]可选地，所述对所述数据存储区的第i道测试，包括：
[0029]对所述数据存储区的数据保持能力的测试。
[0030]本申请实施例提供了一种芯片测试方法和装置，芯片包括数据存储区，该方法包括：在第一温度下进行第一芯片测试；第一芯片测试包括对数据存储区的第一道测试和对芯片逻辑功能的至少一道测试；在其他相同的温度下分别进行第i芯片测试；第i芯片测试包括对数据存储区的第i道测试和对芯片逻辑功能的至少一道测试；其中，i为大于1的整数。从而在相同温度下，当对数据存储区的一道测试测试完成后，紧接着对芯片逻辑功能的至少一道测试进行测试，即合并了相同温度的测试流程，相比现阶段的待对数据存储区的多道测试所有都测试完后，再在不同温度下对芯片的逻辑功能进行多道测试，减少了反复升温降温的时间，节约了测试时间，提高了测试效率。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0032]图1示出了本申请实施例提供的一种芯片测试方法的流程图；
[0033]图2示出了本申请实施例提供的一种特殊正棋盘格图形的字节排列示意图；
[0034]图3示出了本申请实施例提供的一种特殊反棋盘格图形的字节排列示意图；
[0035]图4示出了传统的对第三代SST设计的FLASH芯片进行测试的流程图；
[0036]图5示出了本申请实施例提供的一种对第三代SST设计的FLASH芯片的测试方法的流程图；
[0037]图6示出了本申请实施例提供的一种芯片测试装置的示意图。
具体实施方式
[0038]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。
[0039]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0040]正如
技术介绍
中的描述，目前，芯片制造厂生产出来的芯片，需要通过量产机台对数据存储区和逻辑功能进行测试，保证数据存储区擦写读功能可靠，逻辑功能的算法模块和报警传感器等正常，从而筛选出符合要求的芯片来使用。
[0041]现阶段，通常先在不同温度下对芯片的数据存储区进行多道测试，待对数据存储区的多道测试所有都测试完后，再在不同温度下对芯片的逻辑功能进行多道测试，从而需要对测试机台进行多次升温降温，导致测试时间较长，效率较低。
[0042]为了解决以上技术问题，本申请提供了一种芯片测试方法和装置，芯片包括数据存储区，该方法包括：在第一温度下进行第一芯片测试；第一芯片测试包括对数据存储区的第一道测试和对芯片逻辑功能的至少一道测试；在其他相同的温度下分别进行第i芯片测试；第i芯片测试包括对数据存储区的第i道测试和对芯片逻辑功能的至少一道测试；其中，i为大于1的整数。从而在相同温度下，当对数据存储区的一道测试测试完成后，紧接着对芯片逻辑功能的至少一道测试进行测试，即合并了相同温度的测试流程，相比现阶段的待对数据存储区的多道测试所有都测试完后，再在不同温度下对芯片的逻辑功能进行多道测试，减少了反复升温降温的时间，节约了测试时间，提高了测试效率。
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法，其特征在于，所述芯片包括数据存储区，所述方法包括：在第一温度下进行第一芯片测试；所述第一芯片测试包括对所述数据存储区的第一道测试和对所述芯片逻辑功能的至少一道测试；在其他相同的温度下分别进行第i芯片测试；所述第i芯片测试包括对所述数据存储区的第i道测试和对所述芯片逻辑功能的至少一道测试；其中，i为大于1的整数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在完成所述第一芯片测试之后，在进行所述第i芯片测试之前，对所述芯片进行烘烤；在所述进行烘烤之前，将所述芯片逻辑模拟量档位存储区的数据存储到数据存储区模拟量档位存储区。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述进行烘烤之后，开始所述第i芯片测试之前，下载启动装载Bootloader，所述启动装载仅包括对所述逻辑功能进行测试的代码。4.根据权利要求1
‑
3任意一项所述的方法，其特征在于，所述对所述数据存储区的第一道测试，包括：对所述数据存储区的数据擦写读能力的测试。5.根据权利要求1
‑
3任意一项所述的方法，其特征在于，所述对所述数据存储区的第i道测试，包括：对所述数据存储区的数据保持能力的测试。6.一种芯片测试装置，其特征在于，所述芯片包括数据...
【专利技术属性】
技术研发人员：李凯亮，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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