一种高静压纳米膜差压变送器制造技术

本发明专利技术提出了一种高静压纳米膜差压变送器，涉及变送器领域。其包括调理电路板、过载保护件、变送器本体和多个引压嘴，变送器本体、过载保护件和引压嘴均为管状结构，引压嘴一端穿设于变送器本体内，引压嘴靠近变送器本体的一端设有感压薄膜，变送器本体内设有用于阻挡感压薄膜过载形变的过载保护件，感压薄膜与调理电路板电连接。其通过优化变送器结构，在变送器本体内设置用于阻挡所述感压薄膜过载形变的过载保护件，从而当感压薄膜形变超过一定量时，可以阻挡感压薄膜进一步形变，起到保护感压薄膜以及提高其耐压能力。压薄膜以及提高其耐压能力。压薄膜以及提高其耐压能力。

【技术实现步骤摘要】
一种高静压纳米膜差压变送器


[0001]本专利技术涉及变送器领域，具体而言，涉及一种高静压纳米膜差压变送器。

技术介绍

[0002]压力变送器是工业实践中常用的一种传感器，它能将测压元件传感器感受到的气体、液体等物理压力参数转变成标准的电信号(如4
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20mADC等)，以供给指示报警仪、记录仪、调节器等二次仪表进行测量、指示和过程调节。其中，差压大都采用电容式差压变送器产品，现有的电容式差压变送器的核心传感器部分结构如图1所示，其包括隔离膜片1、测量膜片2、硅油3、电容固定极板4、刚性绝缘体5和管状的壳体6。其中，壳体6两端均设有隔离膜片1，测量膜片2的周界固定在壳体6的内壁上，然后测量膜片2的两端分别与电容固定极板4构成了高压室和低压室，高压室和低压室中均灌充有硅油3，高压室和低压室外设有刚性绝缘体5，电容固定极板4通过引线7穿过壳体6与外部相连。
[0003]其原理是通过将获取的测量膜片2的机械形变转换为电信号，用以测量感受到的气体、液体等物理压力参数。从而，测量膜片2在压力作用下产生的机械形变越大，灵敏度越高。但是这种机械形变是有限度的，超过这个限度，膜片会产生严重的迟滞误差或永久变形甚至击穿，影响传感器的测量精度或带来安全事故。

技术实现思路

[0004]为了克服上述问题或者至少部分地解决上述问题，本专利技术实施例提供一种高静压纳米膜差压变送器，通过在变送器本体内设置用于阻挡所述感压薄膜过载形变的过载保护件，从而当感压薄膜形变超过一定量时，可以阻挡感压薄膜进一步形变，起到保护感压薄膜以及提高其耐压能力。
[0005]本专利技术的实施例是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种高静压纳米膜差压变送器，其包括调理电路板、过载保护件、变送器本体和多个引压嘴，变送器本体、过载保护件和引压嘴均为管状结构，引压嘴一端穿设于变送器本体内，引压嘴靠近变送器本体的一端设有感压薄膜，变送器本体内设有用于阻挡感压薄膜过载形变的过载保护件，感压薄膜与调理电路板电连接。
[0007]在本专利技术的一些实施例中，感压薄膜包括弹性膜片和用于获取弹性膜片形变量的惠斯通电桥电路，惠斯通电桥电路设于弹性膜片上，惠斯通电桥通过导线与调理电路板相连。
[0008]在本专利技术的一些实施例中，惠斯通电桥电路包括第一应变电阻R1、第二应变电阻R2、第三应变电阻R3、第四应变电阻R4、第五应变电阻R5、第六应变电阻R6、第七应变电阻R7和第八应变电阻R8，惠斯通电桥电路的第一桥臂由第一应变电阻R1和第三应变电阻R3组成，惠斯通电桥电路的第二桥臂由第五应变电阻R5和第七应变电阻R7组成，惠斯通电桥电路的第三桥臂由第二应变电阻R2和第四应变电阻R4组成，惠斯通电桥电路的第四桥臂由第八应变电阻R8和第六应变电阻R6组成。
[0009]在本专利技术的一些实施例中，第一应变电阻R1、第二应变电阻R2、第三应变电阻R3和第四应变电阻R4对称设于弹性膜片的中心区域位置，第五应变电阻R5、第六应变电阻R6、第七应变电阻R7和第八应变电阻R8对称设于弹性膜片的边缘区域位置。
[0010]在本专利技术的一些实施例中，引压嘴设有与变送器本体适配的安装部。
[0011]在本专利技术的一些实施例中，引压嘴与变送器本体的连接方式为激光圆周密封焊接。
[0012]在本专利技术的一些实施例中，还包括保护罩，调理电路板置于保护罩内，保护罩设有出线孔。
[0013]在本专利技术的一些实施例中，保护罩与变送器本体相连。
[0014]在本专利技术的一些实施例中，引压嘴远离感压薄膜一端设有连接部。
[0015]在本专利技术的一些实施例中，连接部为螺纹结构。
[0016]相对于现有技术，本专利技术的实施例至少具有如下优点或有益效果：
[0017]本专利技术的实施例提出了一种高静压纳米膜差压变送器，其包括调理电路板、过载保护件、变送器本体和多个引压嘴，引压嘴用于连接到其工作位置上，用以对需要测量感受的气体、液体等进行连接引流用，然后调理电路板用以将接收的多个引压嘴上的感压薄膜测量的压力数据电信号转换为数字信号并进行差值计算，从而对多个引压嘴内的气体、液体等的压力差值的数据进行可视化。另外，通过在变送器本体内设置用于阻挡所述感压薄膜过载形变的过载保护件，从而当感压薄膜形变超过一定量时，可以阻挡感压薄膜进一步形变，起到保护感压薄膜以及提高其耐压能力。即，通过设置过载保护件，能够在有效的保证感压薄膜的灵敏度的前提下提高其承载过压能力。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0019]图1为现有技术中电容式差压变送器芯片结构示意图；
[0020]图2为本专利技术一种高静压纳米膜差压变送器一实施例的剖视图；
[0021]图3为本专利技术一种高静压纳米膜差压变送器一实施例中感压薄膜受过压变形后由过载保护件进行保护的结构示意图；
[0022]图4为本专利技术一种高静压纳米膜差压变送器一实施例的感压薄膜变形后的引压嘴的剖视图；
[0023]图5为本专利技术一种高静压纳米膜差压变送器一实施例的变送器本体的剖视图；
[0024]图6为现有技术中的应变电阻布置示意图；
[0025]图7为本专利技术一种高静压纳米膜差压变送器一实施例的应变电阻布置示意图；
[0026]图8为本专利技术一种高静压纳米膜差压变送器一实施例的应变电阻组桥方式示意图。
[0027]图标：1、隔离膜片；2、测量膜片；3、硅油；4、电容固定极板；5、刚性绝缘体；6、壳体；7、引线；8、调理电路板；9、过载保护件；10、变送器本体；11、引压嘴；12、感压薄膜；13、弹性
膜片；14、导线；15、安装部；16、连接部；17、保护罩；18、过线孔。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0029]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0030]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0031]在本专利技术实施例的描述中，需要说明的是，若出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高静压纳米膜差压变送器，其特征在于，包括调理电路板、过载保护件、变送器本体和多个引压嘴，所述变送器本体、所述过载保护件和所述引压嘴均为管状结构，所述引压嘴一端穿设于所述变送器本体内，所述引压嘴靠近所述变送器本体的一端设有感压薄膜，所述变送器本体内设有用于阻挡所述感压薄膜过载形变的过载保护件，所述感压薄膜与所述调理电路板电连接。2.根据权利要求1所述的一种高静压纳米膜差压变送器，其特征在于，所述感压薄膜包括弹性膜片和用于获取所述弹性膜片形变量的惠斯通电桥电路，所述惠斯通电桥电路设于所述弹性膜片上，所述惠斯通电桥通过导线与所述调理电路板相连。3.根据权利要求2所述的一种高静压纳米膜差压变送器，其特征在于，所述惠斯通电桥电路包括第一应变电阻R1、第二应变电阻R2、第三应变电阻R3、第四应变电阻R4、第五应变电阻R5、第六应变电阻R6、第七应变电阻R7和第八应变电阻R8，所述惠斯通电桥电路的第一桥臂由所述第一应变电阻R1和所述第三应变电阻R3组成，所述惠斯通电桥电路的第二桥臂由所述第五应变电阻R5和所述第七应变电阻R7组成，所述惠斯通电桥电路的第三桥臂由所述第二应变电阻R2和所述第四应变电阻R4组成，所述惠斯通电桥电...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建，雷卫武，徐承义，杨雪梅，
申请(专利权)人：松诺盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：