基于中空芯部光子晶体光纤的宽带辐射产生器制造技术

一种宽带辐射源装置，包括光纤组件，所述光纤组件包括多个光纤，每个光纤填充有气体介质；其中所述宽带辐射源装置能够操作以使得能够独立地选择光纤的子集以用于接收输入辐射束，以便在任一时间仅从所述多个光纤的子集产生宽带输出。生宽带输出。生宽带输出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于中空芯部光子晶体光纤的宽带辐射产生器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月03日递交的欧洲申请20194353.7、于2020年10月20日递交的欧洲申请20202720.7、以及于2021年4月19日递交的欧洲申请21169105.0的优先权，并且这些欧洲申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。


[0003]本专利技术涉及一种基于中空芯部光子晶体光纤的宽带辐射产生器，并且具体地，涉及与集成电路的制造中的量测应用有关的这种宽带辐射产生器。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(常常也被称为“设计布局”或“设计”)投影至被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。当前在使用中的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4nm至20nm的范围内的波长(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
[0006]低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，可以将分辨率公式表示为CD＝k1×
λ/NA，其中λ是所使用的辐射的波长，NA是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是所印制的最小特征大小，但在这种情况下是半节距)且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，则在衬底上再现类似于由电路设计者规划的形状和尺寸以便实现特定电功能性和性能的图案变得越困难。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些步骤包括例如但不限于NA的优化、自定义照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局的各种优化，诸如设计布局中的光学邻近效应校正(OPC，有时也被称为“光学和过程校正”)，或通常被定义为“分辨率增强技术”(RET)的其它方法。替代地，用于控制光刻设备的稳定性的严格控制回路可以用于改善在低k1下的图案的再现。
[0007]量测工具用于IC制造过程的许多方面中，例如作为用于在曝光之前适当定位衬底的对准工具、用于测量所述衬底的表面形貌的调平工具即水平量测工具、用于例如在过程控制中检查/测量经曝光和/或经蚀刻的产品的基于聚焦控制和散射测量的工具。在每种情况下，都需要辐射源。出于包括测量鲁棒性即稳固性和准确度的各种原因，宽带或白光辐射源越来越多地用于这样的量测应用。将会期望改善用于宽带辐射产生的现有装置。

技术实现思路

[0008]在本专利技术的第一方面中，提供一种宽带辐射源装置，包括光纤组件，所述光纤组件包括多个光纤，每个光纤填充有气体介质；其中所述宽带辐射源装置能够操作以使得能够独立地选择光纤的子集以用于接收输入辐射束，以便在任一时间仅从所述多个光纤的子集产生宽带输出。例如，能够独立地选择光纤的适当子集以便仅从所述多个光纤的子集产生宽带输出。
[0009]在本专利技术的第二方面中，提供一种用于产生宽带辐射的方法，包括：从泵浦源发射输入辐射；由多个光纤的选定子集来接收所述输入辐射；以及从所述多个光纤的所述选定子集产生宽带输出。
[0010]本专利技术的其它方面包括量测装置，所述量测装置包括第一方面的所述宽带光源装置。
附图说明
[0011]现参考随附示意性附图仅作为示例来描述本专利技术的实施例，在所述附图中：
[0012]‑
图1描绘光刻设备的示意性概略图；
[0013]‑
图2描绘光刻单元的示意性概略图；
[0014]‑
图3描绘整体光刻的示意性表示，其表示用以优化半导体制造的三种关键技术之间的协作；
[0015]‑
图4描绘可以包括根据本专利技术的实施例的辐射源的用作量测装置的散射测量设备的示意性概略图；
[0016]‑
图5描绘可以包括根据本专利技术的实施例的辐射源的水平传感器设备的示意性概略图；
[0017]‑
图6描绘可以包括根据本专利技术的实施例的辐射源的对准传感器设备的示意性概略图；
[0018]‑
图7是可以在横向平面中(即，与光纤的轴线垂直)形成根据实施例的辐射源的部分的中空芯部光纤的示意性横截面视图；
[0019]‑
图8描绘用于提供宽带输出辐射的根据实施例的辐射源的示意性表示；
[0020]‑
图9(a)和图9(b)示意性地描绘用于超连续谱产生的中空芯部光子晶体光纤(HC
‑
PCF)设计的示例的横向横截面；
[0021]‑
图10(a)示意性地图示根据实施例的包括光纤(例如，单环HC
‑
PCF)的二维(2D)阵列的矩形光纤组件；
[0022]‑
图10(b)示意性地图示根据实施例的包括光纤(例如，单环HC
‑
PCF)的二维(2D)阵列的圆形光纤组件；
[0023]‑
图11(a)图示根据实施例的使用多个单独的单芯部光纤的1D光纤组件；
[0024]‑
图11(b)图示根据实施例的使用多个单独的单芯部光纤的2D光纤组件；
[0025]‑
图12示意性地图示包括根据实施例的光纤组件以及第一单束配置的宽带辐射源；
[0026]‑
图13示意性地图示包括根据实施例的光纤组件以及多束配置的宽带辐射源；
[0027]‑
图14示意性地图示包括根据实施例的光纤组件以及第二单束配置的宽带辐射源
RDS3；
[0028]‑
图15示意性地图示根据实施例的多光纤堆叠布置；
[0029]‑
图16(a)描绘用于以机械方式夹持光纤的示例光纤堆叠布置；
‑
图16(b)描绘用于以机械方式夹持光纤的另一示例光纤堆叠布置；
[0030]‑
图17(a)描绘根据实施例的经改善的光纤堆叠布置；以及
‑
图17(b)描绘根据实施例的另一经改善的光纤堆叠布置；
[0031]‑
图17(c)描绘根据实施例的另一经改善的光纤堆叠布置；
[0032]‑
图18是描绘借助于热收缩管制造光纤堆叠布置的过程的示意图；
‑
图19(a)至图19(e)是全部借助于热收缩光纤管制造的五个示例光纤堆叠布置的示意性横截面视图；以及
[0033]‑
图20描绘用于控制宽带辐射源的计算机系统的框图。
具体实施方式
[0034]在本文献中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种宽带辐射源装置，包括：光纤组件，所述光纤组件包括多个光纤，每个光纤填充有气体介质；其中所述宽带辐射源装置能够操作以使得能够独立地选择光纤的子集以用于接收输入辐射束，以便在任一时间仅从所述多个光纤的子集产生宽带输出。2.根据权利要求1所述的宽带辐射源装置，其中，所述宽带辐射源装置能够操作以使得能够单独地选择所述多个光纤中的任一光纤以用于接收输入辐射束。3.根据权利要求1或2所述的宽带辐射源装置，其中，所述光纤中的每个光纤包括中空芯部光子晶体光纤。4.根据权利要求1、2或3所述的宽带辐射源装置，包括：分束装置，所述分束装置能够操作以在空间上将所述输入辐射束拆分成多个输入束，聚焦装置，所述聚焦装置用于将所述多个输入束中的每个输入束聚焦至光纤的所述子集中的相应的光纤中。5.根据权利要求1、2或3所述的宽带辐射源装置，所述宽带辐射源装置能够操作以使得在任一时间仅从所述多个光纤中的一个光纤产生所述宽带输出。6.根据任一前述权利要求所述的宽带辐射源装置，其中，所述多个光纤包括具有大致相同的光纤性质的两个或更多个光纤。7.根据任一前述权利要求所述的宽带辐射源装置，其中，所述多个光纤包括具有不同光纤性质的两个或更多个光纤，并且其中可选地，具有不同光纤性质...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：