【技术实现步骤摘要】
过欠压浪涌保护电路及保护装置
[0001]本专利技术涉及电路设计
，特别涉及一种过欠压浪涌保护电路以及一种过欠压浪涌保护装置。
技术介绍
[0002]相关技术中，电子产品，特别是车载电子产品对电源的适应性要求非常高，需要做过压浪涌和欠压浪涌试验，现有的过压浪涌抑制电路主要是通过增加大功率的TVS保护管，不仅尺寸大，而且只能作为过压抑制保护，或者是采用NPN晶体三极管，基极引入输入电压，搭建钳位电路，使输出电压最大为基极钳位电压减去VBE的电压，但该方式在正常使用时就存在较大的管压降，且电流稍大时，晶体三极管消耗的功率比较大，发热严重；另外，现有的欠压浪涌过滤电路主要是引入运放、比较器或者带有AD检测功能的MCU做检测，再由MCU的软件逻辑做判断，以便对外部的电源进行控制，方案实现复杂，成本高。
技术实现思路
[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的目的在于提出一种过欠压浪涌保护电路，通过在产品本身具备的DC
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DC芯片单元的基础上，搭配...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种过欠压浪涌保护电路，其特征在于，包括：过压浪涌抑制单元，所述过压浪涌抑制单元的第一输入端与一级电源输入端相连接，所述过压浪涌抑制单元对所述一级电源输入端输入的输入电压进行处理，以便将输出电压抑制在预设范围内；DC
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DC芯片单元，所述DC
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DC芯片单元与所述过压浪涌抑制单元的输出端相连接，所述DC
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DC芯片单元的第一输出端作为二级电源输出端，以便提供输出电源；欠压浪涌过滤单元，所述欠压浪涌过滤单元的输入端与所述一级电源输入端相连接，所述欠压浪涌过滤单元的输出端与所述过压浪涌抑制单元的第二输入端相连接，所述过压浪涌抑制单元根据所述一级电源输入端输入的输入电压判断是否出现异常情况，低压以及延时时间外的欠压判断为异常情况，并在出现异常情况时，停止输出电压至所述DC
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DC芯片单元，其中，在延时时间内的欠压判断为欠压浪涌，保持输出电压至所述DC
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DC芯片单元。2.如权利要求1所述的过欠压浪涌保护电路，其特征在于，所述DC
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DC芯片单元的第二输出端与所述过压浪涌抑制单元的第三输入端相连接，以便为所述过压浪涌抑制单元提供脉冲信号。3.如权利要求2所述的过欠压浪涌保护电路，其特征在于，所述过压浪涌抑制单元包括：升压单元，所述升压单元的输入端与所述DC
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DC芯片单元的第二输出端相连接；过压钳位及控制开断单元，所述过压钳位及控制开断单元的第一输入端与一级电源输入端相连接，所述过压钳位及控制开断单元的第二输入端与所述欠压浪涌过滤单元的输出端相连接，所述过压钳位及控制开断单元的第三输入端与所述升压单元的输出端相连接，所述过压钳位及控制开断单元的输出端与所述DC
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DC芯片单元的输入端相连接。4.如权利要求3所述的过欠压浪涌保护电路，其特征在于，所述升压单元包括：第一电容，所述第一电容一端与所述DC
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DC芯片单元的第二输出端相连接；第一二极管，所述第一二极管的正极与所述第一电容的另一端相连接；第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第一二极管的负极相连接；第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第一电阻的另一端相连接；第二电容，所述第二电容的一端与所述第二电阻的另一端相连接，所述第二电容的另一端接地；第二二极管，所述第二二极管的负极连接到所述第一电容与所述第二二极管之间；第三电阻，所述第三电阻的一端与所述第二二极管的正极相连接；第三电容，所述第三电容一端与所述第三电阻的另一端相连接且具有第一节点，所述第三电容的另一端接地。5.如权利要求4所述的过...
【专利技术属性】
技术研发人员：林兴乐，钟天禄，吴文勇，钟富明，
申请(专利权)人：厦门华联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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