一种线栅偏振片包含基材层、高分子线栅层及多个镀膜层。高分子线栅层设置于基材层上且高分子线栅层包含多个线栅单元。多个线栅单元形成于基材层的上表面且沿第一方向延伸且各线栅单元具有顶面且沿第一方向的二侧分别具有第一侧表面与第二侧表面。多个镀膜层个别地形成于各线栅单元的第一侧表面。其中多个镀膜层为金属或非金属介电材质。本发明专利技术更提供一种线栅偏振片的制造方法。线栅偏振片的制造方法。线栅偏振片的制造方法。
【技术实现步骤摘要】
线栅偏振片及其制造方法
[0001]本专利技术涉及一种能减少线栅结构受到外力破坏的线栅偏振片及其制造方法。
技术介绍
[0002]在显示器背光模块、虚拟实境(VR)头戴式装置及投影机中，线栅偏振片用以作为反射式偏光片，以分离两偏极化方向光束S波和P波。传统上，会将金属线栅结构直接镀于基板上或将线栅结构设置于基板上并于线栅结构的上方及侧面镀上金属以制成线栅偏振片。
[0003]然而，将金属线栅结构直接镀于基板制成的线栅偏振片并无法使用软性基板也无法大量生产，且其金属线栅结构也因裸于空间中而易受到外力破坏。而将线栅结构设置于基板上并于线栅结构的上方及侧面镀上金属制成的线栅偏振片也会有线栅结构的上方金属裸于空间中易受到外力破坏的问题且其分离两偏极化S波和P波光束的效果不佳。
技术实现思路
[0004]在一实施例中，一种线栅偏振片包含基材层、高分子线栅层及多个镀膜层。高分子线栅层设置于基材层上且包含多个线栅单元。多个线栅单元形成于基材层的上表面且沿第一方向延伸，各线栅单元具有顶面且沿第一方向的二侧分别具有第一侧表面与一第二侧表面。多个镀膜层个别地形成于各线栅单元的第一侧表面，其中多个镀膜层为金属或非金属介电材质。
[0005]在一实施例中，一种线栅偏振片的制造方法，其包含：设置高分子层于基材层上；以模具对高分子层进行压印而形成高分子线栅层，高分子线栅层包含多个底层与沿第一方向延伸的多个线栅单元，多个底层个别地位于相邻二线栅单元之间且接触基材层的上表面，各线栅单元具有顶面且沿第一方向的二侧分别具有第一侧表面与第二侧表面，各底层的上表面低于各线栅单元的该顶面；沉积金属或非金属介电材料于每一线栅单元的顶面及第一侧表面；及移除沉积于每一线栅单元的顶面的金属或非金属介电材料。
[0006]在一实施例中，一种线栅偏振片包含基材层及多个镀膜层。基材层包含沿第一方向延伸的多个线栅单元。各线栅单元具有顶面且沿第一方向的二侧分别具有第一侧表面与第二侧表面。多个镀膜层个别地形成于各线栅单元的第一侧表面，其中多个镀膜层为金属或非金属介电材质。
[0007]在一实施例中，一种线栅偏振片的制造方法，其包含：以模具对高分子基材层的上表面进行压印，以使高分子基材层的上表面形成有沿第一方向延伸的多个线栅单元，各线栅单元具有顶面且沿第一方向的二侧分别具有第一侧表面与第二侧表面；沉积金属或非金属介电材料于每一线栅单元的顶面及第一侧表面；及移除沉积于每一线栅单元的顶面的金属或非金属介电材料。
[0008]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0009]图1为线栅偏振片的一实施例的立体图。
[0010]图2为线栅偏振片的一实施例的侧视图。
[0011]图3为线栅偏振片的另一实施例的立体图。
[0012]图4为线栅偏振片的另一实施例的侧视图。
[0013]图5A至图5F为线栅偏振片的制造方法的一实施例的各步骤的示意图。
[0014]图6为线栅偏振片的制造方法的一实施例的流程图。
[0015]图7A至图7E为线栅偏振片的制造方法的另一实施例的各步骤的示意图。
[0016]图8A至图8G为线栅偏振片的制造方法的又一实施例的各步骤的示意图。
[0017]图9为线栅偏振片的制造方法的又一实施例的流程图。
[0018]图10为线栅偏振片的又一实施例的立体图。
[0019]图11为线栅偏振片的又一实施例的侧视图。
[0020]图12A至图12F为线栅偏振片的制造方法的再一实施例的各步骤的示意图。
[0021]图13为线栅偏振片的制造方法的再一实施例的流程图。
[0022]图14为非极化光源入射至线栅偏振片的一实施例的示意图。
[0023]图15A至图15B为镀膜层的高度、线栅单元的宽度、线栅单元的间距、底层的厚度及镀膜层的宽度的示意图。
[0024]图16为线栅偏振片于不同镀膜层的宽度的S波的穿透率及P波的穿透率的折线图。
[0025]图17为线栅偏振片于不同镀膜层的宽度的S波的反射率及P波的反射率的折线图。
[0026]图18为线栅偏振片于不同镀膜层的宽度的消光比的折线图。
[0027]图19为线栅偏振片于非极化光源的不同入射角的S波的穿透率及P波的穿透率的折线图。
[0028]图20为线栅偏振片于非极化光源的不同入射角的S波的反射率及P波的反射率的折线图。
[0029]图21为线栅偏振片于非极化光源的不同入射角的消光比的折线图。
[0030]图22为以线栅偏振片作为反射式偏光片的背光模块的一实施例的示意图。
[0031]图23为以线栅偏振片作为反射式偏光片的VR头戴式装置的一实施例的示意图。
[0032]图24为线栅偏振片的再一实施例的侧视图。
[0033]图25为线栅偏振片的再一实施例的侧视图。
[0034]图26为线栅偏振片的再一实施例的侧视图。
[0035]图27为线栅偏振片的再一实施例的侧视图。
[0036]图28为线栅偏振片的再一实施例的侧视图。
[0037]其中，附图标记：
[0038]1:线栅偏振片
[0039]10:基材层
[0040]20:高分子线栅层
[0041]30:镀膜层
[0042]21:线栅单元
[0043]S1:第一侧表面
[0044]S2:第二侧表面
[0045]ST:顶面
[0046]D1:第一方向
[0047]22:底层
[0048]23:高分子层
[0049]40:模具
[0050]50:加热器
[0051]51:冷却器
[0052]60:目标金属
[0053]70:电子枪
[0054]S11
‑
S14:步骤
[0055]UV:紫外线光
[0056]S15:步骤
[0057]S21
‑
S23:步骤
[0058]S:与线栅结构平行的波
[0059]P:与线栅结构垂直的波
[0060]L:非极化光源
[0061]H:镀膜层的高度
[0062]T:底层的厚度
[0063]CT:镀膜层的宽度
[0064]GT:线栅单元的宽度
[0065]D:线栅单元的间距
[0066]100:背光模块
[0067]101:反射片
[0068]P
initial
:波
[0069]P1‑
P
n
:波
[0070]S1‑
S3:波
[0071]200:VR头戴式装置
[0072]201:波片
[0073]202:波片
[0074]203:半反半穿镜
[0075]204:显示器
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种线栅偏振片，其特征在于，包含：一基材层；一高分子线栅层，设置于该基材层上，该高分子线栅层包含多个线栅单元，该些线栅单元形成于该基材层的上表面且沿一第一方向延伸，各该线栅单元具有一顶面且沿该第一方向的二侧分别具有一第一侧表面与一第二侧表面；及多个镀膜层，个别地形成于各该线栅单元的第一侧表面，其中该些镀膜层为金属或非金属介电材质。2.如权利要求1所述的线栅偏振片，其特征在于，该高分子线栅层更包含多个底层，个别地设置于相邻二该线栅单元之间且接触该基材层的上表面，且各该底层的上表面低于各该线栅单元的该顶面。3.如权利要求1所述的线栅偏振片，其特征在于，其中该基材层的材质不同于该高分子线栅层的材质。4.如权利要求1所述的线栅偏振片，其特征在于，其中该些线栅单元的高度为50～200纳米、宽度为10～40纳米、间距小于150纳米，该些镀膜层的宽度为10～60纳米。5.如权利要求1至4任一项所述的线栅偏振片，其特征在于，其中各该线栅单元沿垂直于该第一方向的截面的形状为矩形。6.一种线栅偏振片的制造方法，其特征在于，包含：设置一高分子层于一基材层上；以一模具对该高分子层进行压印而形成一高分子线栅层，该高分子线栅层包含多个底层与沿一第一方向延伸的多个线栅单元，该些底层个别地位于相邻二该线栅单元之间且接触该基材层的上表面，各该线栅单元具有一顶面且沿该第一方向的二侧分别具有一第一侧表面与一第二侧表面，各该底层的上表面低于各该线栅单元的该顶面；沉积金属或非金属介电材料于每一该线栅单元的该顶面及该第一侧表面；及移除沉积于每一该线栅单元的该顶面的金属或非金属介电材料。7.如权利要求6所述的线栅偏振片的制造方法，其特征在于，其中于对该高分子层进行压印的步骤后，更包含：对该高分子线栅层进行蚀刻以移除该些底层。8.如权利要求6所述的线栅偏振片的制造方法，其特征在于，其中该...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖奕志，蔡李林，
申请(专利权)人：广州立景创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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