体声波谐振器及其制备方法技术

本公开提供了体声波谐振器，包括：压电薄膜，基于110

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器及其制备方法


[0001]本公开涉及5G、半导体
，尤其涉及一种高频、高耦合体声波谐振器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着全球5G技术的快速商业化，射频滤波器的市场需求持续增长。作为实现高性能射频滤波器功能的同时提供低成本和小器件尺寸的有效解决方案之一，声波技术一直备受人们关注。体声波谐振器作为一种在中高频频段具有低插损和高选择性的器件，已广泛应用于滤波器、振荡器、传感器等领域。
[0003]然而目前还没有足够高频率和机电耦合系数的体声波谐振器满足5G技术发展的需求。

技术实现思路

[0004](一)要解决的技术问题
[0005]基于上述问题，本公开提供了一种体声波谐振器及其制备方法，以缓解现有技术中体声波谐振器难以提供足够搞得频率和机电耦合系数等技术问题。
[0006](二)技术方案
[0007]本公开的一个方面，提供一种体声波谐振器，包括：压电薄膜，基于110
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Z～140
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Z特定切向的铌酸锂压电单晶薄膜制备而成；第一电极，形成于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：压电薄膜，基于110
°
Z～140
°
Z特定切向的铌酸锂压电单晶薄膜制备而成；第一电极，设置于所述压电薄膜的第一表面；注入损伤层，形成于所述压电薄膜的第二表面；以及第二电极，设置于所述注入损伤层的表面；其中所述第一电极和所述第二电极构成平行板电极结构。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，还包括：第一键合层，设置于压电薄膜的第一表面的边缘；高电阻率衬底，中间区域设置有凹槽；以及第二键合层，设置于高电阻率衬底边缘，用于与所述第一键合层进行键合，使得所述第一电极处于所述凹槽形成的空腔中。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，所述第一键合层和第二键合层为金属薄膜，所述金属薄膜所用的材料选自Ni、Ti、Cr、Mo、Pt、Au、Al、Sn中的一种或几种组合，所述金属薄膜的厚度为10nm至2000nm。4.根据权利要求2所述的体声波谐振器，所述第一键合层和第二键合层为介质薄膜，所述介质薄膜所用的介质材料选自SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3中一种或几种组合，所述介质薄膜的厚度为10nm至2000nm。5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，还包括：高电阻率衬底；布拉格反射层，设置于所述高电阻率衬底上，其顶部与所述第一电极相键合；所述布拉格反射层为高声阻抗材料和低声阻抗材料交替生长形成。6.根据权利要求2或5所述的体声波谐振器，高电阻率衬底的制备材料选自硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、氮化镓、氧化镓。7.一种体...

【专利技术属性】
技术研发人员：左成杰，杨凯，方纪明，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：