一种太空诱变魔芋实生种子的培育方法技术

本发明专利技术提供了一种太空诱变魔芋实生种子的培育方法，属于魔芋培育技术领域。本发明专利技术提供的太空诱变魔芋实生种子培育方法克服了现有技术中缺少魔芋实生种子太空诱变后的培育技术问题，能够显著提高太空诱变魔芋实生种子的萌发率，同时使得幼嫩、珍稀的太空诱变魔芋实生种子幼苗快速适应外部环境、进而提高魔芋幼苗的成活率，使得珍贵的太空诱变种子得以延续和利用。本发明专利技术通过对太空诱变魔芋实生种子的前处理，为诱变成功提供种子质量保障，与前述步骤共同发挥作用，最终提升太空诱变魔芋实生种子的育种效率。生种子的育种效率。

【技术实现步骤摘要】
一种太空诱变魔芋实生种子的培育方法


[0001]本专利技术涉及魔芋培育
，尤其涉及一种太空诱变魔芋实生种子的培育方法。

技术介绍

[0002]魔芋为天南星科魔芋属多年生草本植物，因富含葡甘聚糖被广泛应用于食品、化学、医药、环保等多个领域。魔芋种质资源丰富，全世界约有220种，我国有25种，但由于魔芋长期无性繁殖，造成后代混杂进而种性退化，直接影响到魔芋的产量和品质。
[0003]近年来，随着航天技术的发展，航天诱变育种已成为魔芋种质资源创新与利用的新途径。利用外太空宇宙粒子、微重力、弱地磁等因素对魔芋实生种子造成诱变，返回地面后再开展进一步选育工作，对魔芋新品种的选育具有重要意义。
[0004]魔芋果实为浆果，具有一粒或少数几粒种子。魔芋实生种子不是一个真正的植物学种子，而是一个典型的营养器官。实生“种子”虽然形态上为小球茎，但实质上仍为有性器官。利用实生种子繁殖种芋，可提高繁殖系数，便于运输，可减少魔芋特有病原菌的传播，并可保持原品种优良的种性等。对于珍贵稀少的太空诱变魔芋实生种子，生产上缺少相应的育苗技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种太空诱变魔芋实生种子的培育方法，以解决现有技术中缺少魔芋实生种子太空诱变后的培育技术的问题。
[0006]为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0007]本专利技术提供了一种太空诱变魔芋实生种子的培育方法，包括以下步骤：
[0008]对太空诱变后的魔芋实生种子进行浸种处理，浸种处理后将种子放入培养容器中，初步培养至萌动；
[0009]将萌动后的种子移栽至苗床，进行7～12d的覆膜培养；
[0010]除去覆膜，进行10～25d的炼苗培养，期间对幼苗喷施木醋液；
[0011]所述炼苗培养结束后将幼苗进行移栽至田块、然后进行苗期管理，得到魔芋植株。
[0012]优选的，所述浸种处理采用硫脲水溶液或GA溶液；
[0013]所述硫脲水溶液的质量浓度为0.5～1.5％；
[0014]所述GA溶液的浓度为2～7mg/L；
[0015]所述浸种处理的时间为12～48h。
[0016]优选的，所述培养容器中设置有1～5层湿滤纸；
[0017]所述初步培养的湿度为50～70％；
[0018]所述初步培养的温度为23～28℃。
[0019]优选的，所述苗床包括复合基质，所述复合基质中包括泥炭、珍珠岩和腐熟羊粪，所述泥炭、珍珠岩和腐熟羊粪的体积比为0.8～1.2:0.8～1.2:0.8～1.2。
[0020]优选的，所述覆膜培养的湿度为50～70％；
[0021]所述覆膜培养的温度为23～28℃。
[0022]优选的，所述炼苗培养的湿度为50～70％；
[0023]所述炼苗培养的温度为10～25℃。
[0024]优选的，所述木醋液的稀释倍数为200～400倍；
[0025]所述喷施木醋液的次数为2～3次；
[0026]所述喷施木醋液的频率为5～10d/次。
[0027]优选的，所述田块的土壤种类为砂壤土，所述砂壤土的pH值为6.5～7.0；
[0028]所述田块上方设置有遮阳网，所述遮阳网的遮光率为60～70％；
[0029]所述苗期管理包括控制湿度≥50％。
[0030]优选的，所述苗期管理包括施用复合微生物菌肥；
[0031]所述复合微生物菌肥的施用频率为5～10d/次；
[0032]所述复合微生物菌肥中含有N元素、P2O5、K2O和有机质；
[0033]所述复合微生物菌肥中N元素的含量为2～10％；
[0034]所述复合微生物菌肥中P2O5的含量为2～10％；
[0035]所述复合微生物菌肥中K2O的含量为5～15％；
[0036]所述复合微生物菌肥中有机质的含量≥45％；
[0037]所述复合微生物菌肥中还含有枯草芽孢杆菌和/或巨大芽孢杆菌；
[0038]所述复合微生物菌肥中枯草芽孢杆菌的活菌数≥1000亿/g；
[0039]所述复合微生物菌肥中巨大芽孢杆菌的活菌数≥100亿/g；
[0040]所述复合微生物菌肥用水稀释后进行施用；
[0041]所述稀释的稀释倍数为400～600倍；
[0042]所述复合微生物菌肥的施用次数为2～3次。
[0043]优选的，所述太空诱变后的魔芋实生种子由包含以下步骤的方法得到：
[0044]将魔芋实生种子进行脱水处理，确保种子失水8～12％；
[0045]将脱水种子进行包装，使其处于真空干燥状态；
[0046]对处于真空干燥状态的干种子进行低温处理；
[0047]最后进行太空诱变处理，得到太空诱变后的魔芋实生种子；
[0048]所述低温处理的温度为4～8℃；
[0049]所述低温处理的时间为5～10d。
[0050]本专利技术的技术效果和优点：
[0051]本专利技术提供的方法能够显著提高太空诱变魔芋实生种子的萌发率，同时使得幼嫩、珍稀的太空诱变魔芋实生种子幼苗快速适应外部环境、进而提高魔芋幼苗的成活率，使得珍贵的太空诱变种子得以延续和利用。本专利技术通过对太空诱变魔芋实生种子的前处理，为诱变成功提供种子质量保障，与前述步骤共同发挥作用，最终提升太空诱变魔芋实生种子的育种效率。
具体实施方式
[0052]本专利技术提供了一种太空诱变魔芋实生种子的培育方法，包括以下步骤：对太空诱
变后的魔芋实生种子进行浸种处理，浸种处理后将种子放入培养容器中，初步培养至萌动；将萌动后的种子移栽至苗床，进行7～12d的覆膜培养；除去覆膜，进行10～25d的炼苗培养，期间对幼苗喷施木醋液；所述炼苗培养结束后将幼苗进行移栽至田块、然后进行苗期管理，得到魔芋植株。
[0053]在本专利技术中，所述太空诱变后的魔芋实生种子优选由包含以下步骤的方法得到：将魔芋实生种子进行脱水处理，确保种子失水8～12％，进一步优选为失水9～11％；将脱水种子进行包装，使其处于低温真空干燥状态；对处于处理后的种子进行太空诱变处理，得到太空诱变后的魔芋实生种子；所述魔芋实生种子优选由魔芋果实中取出、洗去果皮果肉，然后挑选饱满的种子置于滤纸上吸去水分，置于阴凉处备用；所述脱水处理优选采用自然晾晒或低温烘烤，所述自然晾晒的时间优选为1～3d，所述高温干燥优选采用35～40℃干燥箱，所述种子失水进一步优选为9～10％，将脱水种子进行包装优选为采用铝箔袋进行包装，所述铝箔袋中优选还装入二氧化硅，使其处于真空干燥状态，包装后的种子优选放置于装有二氧化硅的干燥器中，在本专利技术中，优选对处于真空干燥状态的干种子进行低温处理，进一步优选将干燥器连同种子一同进行低温处理，所述低温处理的温度优选为4～8℃，进一步优选为5～7℃，所述低温处理的时间优选为5～10d，进一步优选为7～9d，低温处理后进行太空诱变处理，得到太空诱变后的魔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太空诱变魔芋实生种子的培育方法，其特征在于，包括以下步骤：对太空诱变后的魔芋实生种子进行浸种处理，浸种处理后将种子放入培养容器中，初步培养至萌动；将萌动后的种子移栽至苗床，进行7～12d的覆膜培养；除去覆膜，进行10～25d的炼苗培养，期间对幼苗喷施木醋液；所述炼苗培养结束后将幼苗进行移栽至田块、然后进行苗期管理，得到魔芋植株。2.根据权利要求1所述的太空诱变魔芋实生种子的培育方法，其特征在于，所述浸种处理采用硫脲水溶液或GA溶液；所述硫脲水溶液的质量浓度为0.5～1.5％；所述GA溶液的浓度为2～7mg/L；所述浸种处理的时间为12～48h。3.根据权利要求2所述的太空诱变魔芋实生种子的培育方法，其特征在于，所述培养容器中设置有1～5层湿滤纸；所述初步培养的湿度为50～70％；所述初步培养的温度为23～28℃。4.根据权利要求3所述的太空诱变魔芋实生种子的培育方法，其特征在于，所述苗床包括复合基质，所述复合基质中包括泥炭、珍珠岩和腐熟羊粪，所述泥炭、珍珠岩和腐熟羊粪的体积比为0.8～1.2:0.8～1.2:0.8～1.2。5.根据权利要求4所述的太空诱变魔芋实生种子的培育方法，其特征在于，所述覆膜培养的湿度为50～70％；所述覆膜培养的温度为23～28℃。6.根据权利要求5所述的太空诱变魔芋实生种子的培育方法，其特征在于，所述炼苗培养的湿度为50～70％；所述炼苗培养的温度为10～25℃。7.根据权利要求6所述的太空诱变魔芋实生种子的培育方法，其特征在于，所述木醋液的稀释倍数为200～400倍；所述喷施木醋液的次数为2～3...

【专利技术属性】
技术研发人员：覃剑锋，段龙飞，郭邦利，蔡阳光，陈国爱，
申请(专利权)人：安康市农业科学研究院，
类型：发明
国别省市：