深度像素的感光单元制造技术

本描述涉及一种感光单元，包括：光转换区域(PD)，其被配置为将光转换为电荷；第一节点(NP1)和第一电荷流动路径(P1)的至少一个组件，包括第一开关(TG1)，第一开关(TG1)被配置为当所述第一开关(TG1)接通时允许电荷从光转换区域(PD)流向所述组件的第一节点(NP1)，并且当所述第一开关(TG1)断开时阻止电荷在光转换区域(PD)和所述组件的第一节点(NP1)之间的通过；以及在感光单元(3；3

【技术实现步骤摘要】
深度像素的感光单元


[0001]本公开总体上涉及电子电路，更具体地涉及间接飞行时间传感器(iToF)。

技术介绍

[0002]ToF(“飞行时间”)传感器能够获取深度数据。为此，如本领域技术人员所熟知的，传感器向场景发射以频率Fmod调制的通常为红外的光信号。传感器然后接收由场景反射的光。对于传感器的每个深度像素，发射的调制光信号和接收的调制光信号之间的相移使得能够获得或推断与像素和场景中已将调制光反射到该像素的元素之间的距离相关的数据。
[0003]在间接ToF传感器或iToF传感器中，对于每个深度像素，可以通过在调制光信号的周期内捕获至少三个样本来确定发射和接收的调制光信号之间的相移，例如，相移120
°
的三个样本或相移90
°
的四个样本。
[0004]在iToF传感器中，每个深度像素可以仅包括单个光敏区，该光敏区被配置为将接收的光转换为电荷，即转换为电子/空穴对。
[0005]仅包括单个光的光转换区域的深度像素可以包括能够在从传感器像素读取的两个阶段之间的每个积分阶段采集三个或四本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种感光单元，包括：光转换区域(PD)，其被配置为将光转换为电荷；第一节点(NP1)和第一电荷流动路径(P1)的至少一个组件，包括第一开关(TG1)，所述第一开关(TG1)被配置为当所述第一开关(TG1)接通时允许电荷从所述光转换区域(PD)流向所述组件的所述第一节点(NP1)，并且当所述第一开关(TG1)断开时阻止电荷在所述光转换区域(PD)和所述组件的所述第一节点(NP1)之间的通过；以及在所述感光单元(3；3
’
；3”)的所述光转换区域(PD)和感光单元第二节点(NPb)之间的第二电荷流动路径(P0)，其中，所述第一路径和第二路径(P1，P0)被配置为使得当所述第一路径(P1)的所述第一开关(TG1)接通时，每个第一路径(P1)保持高于所述第二路径(P0)的优先级，以及其中，所述第二路径(P0)在所述光转换区域(PD)和所述第二节点(NPb)之间不包括开关。2.根据权利要求1所述的感光单元，其中，所述第二路径(P0)不包括晶体管。3.根据权利要求1所述的感光单元，其中，所述第二路径(P0)包括具有被配置为接收恒定偏置电压的栅极的晶体管。4.根据权利要求1所述的感光单元，其中，所述感光单元(3，3
’
)包括第一路径(P1)和第一节点(NP1)的单个组件，所述第一路径和第二路径(P1，P0)被配置为当所述第一开关(TG1)断开时将所有所述电荷从所述光转换区域(PD)转移到所述第二节点(NPb)。5.根据权利要求4所述的感光单元，其中，所述第一路径和第二路径(P1，P0)还被配置为当所述第一开关(TG1)接通时将所有所述电荷从所述光转换区域(PD)转移到所述第一节点(NP1)。6.根据权利要求4所述的感光单元，其中，所述感光单元(3，3
’
)还包括耦合到所述第一节点(NP1)的读出电路(R)。7.根据权利要求6所述的感光单元，其中，所述第二节点(NPb)被配置为接收用于复位所述光转换区域(PD)的电位(VRT)。8.根据权利要求4所述的感光单元，其中，所述感光单元(3，3
’
)还包括耦合到所述第二节点(NPb)的读出电路。9.根据权利要求8所述的感光单元(3，3
’
)，其中，所述第一节点(NP1)被配置为接收用于复位所述光转换区域(PD)的电位(VRT)。10.根据权利要求1所述的感光单元，其中，所述感光单元(3”)包括第一路径(P1；P2)和第一节点(NP1；NP2)的多个组件，所述第一路径和第二路径(P1，P2；P0)被配置为当所有所述第一开关(TG1；TG2)断开时将所有所述电荷从所述光转换区域(...

【专利技术属性】
技术研发人员：盖勒，
申请(专利权)人：原子能与替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：