一种免拆CVT一次接线自激法试验的介质损耗测量仪制造技术

本发明专利技术提供了一种免拆CVT一次接线自激法试验的介质损耗测量仪，包括介质损耗测量仪本体，还包括在仪器本体中，升压变压器经CVT隔离开关与标准电容Cn连接，还经过CVT隔离开关以及CVT倒线开关与测量电路连接；当仪器本体进行自激法测量时，升压变压器的CVT低压输出开关接通，CVT隔离开关断开，断开CVT倒线开关以测量电压互感器的主电容C1；接通CVT倒线开关以分压电容C2，此时主电容C1作标准电容；仪器本体通过将低压输出端子接到电压互感器的二次绕组，通过采集XL端的电流幅值和相位，实现免拆一次接线的自激法测量，从而避免登高作业带来的安全风险问题，同时避免拆线导致热镀锌螺丝热镀锌层磨穿被腐蚀。螺丝热镀锌层磨穿被腐蚀。螺丝热镀锌层磨穿被腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种免拆CVT一次接线自激法试验的介质损耗测量仪


[0001]本专利技术属于介质损耗测量仪
，具体涉及一种免拆CVT一次接线自激法试验的介质损耗测量仪。

技术介绍

[0002]目前变电站使用的110kV电压互感器大多数是110kV电容式电压互感器(即CVT)，均为单节结构。在交流电压的作用下，通过互感器内部绝缘介质的电流包括有功分量和无功分量，有功分量产生一定的能量损耗，即产生介质损耗。而在频率一定的情况下，介质损耗与介质损耗角正切值tanδ成正比。故需要通过试验测量tanδ来获知设备介质损耗的情况，从而判断绝缘介质的状态，及早发现设备受潮、劣化、漏油等缺陷。
[0003]测量tanδ的试验方法通常有正接法、反接法、反接屏蔽法、自激法、末端加压法等。其中只有自激法才能做到不解剖设备的前提下分别测量C1、C2的介损和电容量。然而，常规的使用一般的介质损耗测量仪自激法试验的前提是需要110kV电容式电压互感器顶部保持不接地的状态，由此带来一定的缺点。
[0004]对于110kV线路电容式电压互感器，由于线路对侧同时接地的原因，无法通过拉开地刀或者拆除地线的方式令顶部不接地，只能采用人员登高拆除一次接线的方法；对于110kV母线电容式电压互感器，由于只经单把刀闸，一旦拉开仅有的单侧地刀或拆除接地线，会使顶部产生感应电，人员距离来电侧风险高，故同样只能采用人员登高拆除一次接线的方法。电容式电压互感器本体较大，作业人员登高作业时栓绑安全带有一定的难度，很难达到安全带“高挂低用”的使用要求，容易发生高空坠落且耗费一定的作业时间。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术旨在解决现有采用一般的介质损耗测量仪自激法试验时，为了使110kV电容式电压互感器顶部保持不接地的状态，作业人员需登高拆除一次接线导致作业风险高的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供以下技术方案：
[0007]一种免拆CVT一次接线自激法试验的介质损耗测量仪，包括至少实现正接法、反接法和高电压介损测量的介质损耗测量仪本体，还包括：
[0008]在介质损耗测量仪本体中，升压变压器经CVT隔离开关与标准电容Cn连接，升压变压器还经过CVT隔离开关以及CVT倒线开关与测量电路连接；
[0009]当介质损耗测量仪本体进行自激法测量时，升压变压器的CVT低压输出开关接通，CVT隔离开关断开，断开CVT倒线开关以测量110kV电压互感器的主电容C1；接通CVT倒线开关以测量110kV电压互感器的分压电容C2，此时主电容C1作标准电容；
[0010]介质损耗测量仪本体通过将低压输出端子接到110kV电压互感器的二次绕组，通过采集XL端的电流幅值和相位，实现免拆一次接线的自激法测量。
[0011]进一步的，介质损耗测量仪本体具体包括：总电源、变频电源、升压变压器、测量电
路、标准电容器Cn、Cn电流检测、正接线电流检测、反接线电流检测和数字隔离通讯；
[0012]总电源、变频电源、升压变压器和测量电路实现介质损耗测量仪本体的高压输出和低压输出；
[0013]正接线电流检测和反接线电流检测用于在正接法或反接法时检测电流；
[0014]标准电容器Cn用于作为电路平衡的基准电容，Cn电流检测用于检测内部和/或外部的标准电容器电流；
[0015]数字隔离通讯用于将反接线电流信号送至测量电路。
[0016]进一步的，当介质损耗测量仪本体实现免拆一次接线的自激法测量时，介质损耗测量仪本体与110kV电压互感器的接线方式，具体为：
[0017]介质损耗测量仪本体的低压输出端接110kV电压互感器的二次绕组，高压芯线接悬空的N端，信号线Cx接悬空的XL端并通过仪器内部接地；
[0018]当测量主电容C1时，高压芯线采集分压电容C2的电流信号，信号线Cx采集XL端的电流信号。
[0019]进一步的，当介质损耗测量仪本体实现免拆一次接线的自激法测量时，主电容C1的电容量和介损的计算式如下：
[0020][0021]tanδ1＝ω
·
C4R4[0022]式中，C1为所述主电容C1的电容量，R3为内部电桥的可调电阻，R4为内部电桥的标准电阻，C
N
为标准电容器的电容；tanδ1为所述主电容C1的介质损耗因数，ω为线圈匝数，C4为内部电桥的可调电容。
[0023]进一步的，当介质损耗测量仪本体实现免拆一次接线的自激法测量时，分压电容C2的电容量和介损的计算式如下：
[0024][0025][0026]式中，C2为分压电容C2的电容量，tanδ2为分压电容C2的介质损耗因数。
[0027]综上，本专利技术提供了一种免拆CVT一次接线自激法试验的介质损耗测量仪，包括介质损耗测量仪本体，还包括在仪器本体中，升压变压器经CVT隔离开关与标准电容Cn连接，还经过CVT隔离开关以及CVT倒线开关与测量电路连接；当仪器本体进行自激法测量时，升压变压器的CVT低压输出开关接通，CVT隔离开关断开，断开CVT倒线开关以测量110kV电压互感器的主电容C1；接通CVT倒线开关以分压电容C2，此时主电容C1作标准电容；仪器本体通过将低压输出端子接到110kV电压互感器的二次绕组，通过采集XL端的电流幅值和相位，实现免拆一次接线的自激法测量。本专利技术在一次侧低压端XL采集一次电流幅值和相位，整个过程接线方便，避免登高作业带来的安全风险问题，同时避免拆线导致热镀锌螺丝热镀锌层磨穿被腐蚀，提高了工作安全性和工作效率。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0029]图1为本专利技术实施例提供的一种免拆CVT一次接线自激法试验的介质损耗测量仪的结构框图；
[0030]图2为本专利技术实施例提供的免拆CVT一次接线自激法试验的原理图；
[0031]图3为本专利技术实施例提供的免拆CVT一次接线自激法试验的接线图。
[0032]附图中，C1
‑
主电容，C2
‑
分压电容，N
‑
分压电容低压端，XL
‑
中间变压器一次侧低压端，A
‑
电容式电压互感器顶部，T
‑
中间变压器，Ia、In
‑
二次绕组，da、dn
‑
剩余绕组，Cx
‑
信号线，I
C1
‑
流经主电容的电流，I
C2
‑
流经分压电容的电流，I
XL
‑
流经中间变压器一次侧的电流。
具体实施方式
[0033]为使得本专利技术的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种免拆CVT一次接线自激法试验的介质损耗测量仪，包括至少实现正接法、反接法和高电压介损测量的介质损耗测量仪本体，其特征在于，还包括：在所述介质损耗测量仪本体中，升压变压器经CVT隔离开关与标准电容Cn连接，所述升压变压器还经过所述CVT隔离开关以及CVT倒线开关与测量电路连接；当所述介质损耗测量仪本体进行自激法测量时，所述升压变压器的CVT低压输出开关接通，所述CVT隔离开关断开，断开所述CVT倒线开关以测量110kV电压互感器的主电容C1；接通所述CVT倒线开关以测量110kV电压互感器的分压电容C2，此时所述主电容C1作标准电容；所述介质损耗测量仪本体通过将低压输出端子接到所述110kV电压互感器的二次绕组，通过采集XL端的电流幅值和相位，实现免拆一次接线的自激法测量。2.根据权利要求1所述的免拆CVT一次接线自激法试验的介质损耗测量仪，其特征在于，所述介质损耗测量仪本体具体包括：总电源、变频电源、升压变压器、测量电路、标准电容器Cn、Cn电流检测、正接线电流检测、反接线电流检测和数字隔离通讯；所述总电源、变频电源、升压变压器和测量电路实现所述介质损耗测量仪本体的高压输出和低压输出；所述正接线电流检测和反接线电流检测用于在正接法或反接法时检测电流；所述标准电容器Cn用于作为电路平衡的基准电容，所述Cn电流检测用于检测内部和/或外部的标准电容器电流；所述数字隔离通讯用于将反接线电流信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭永强，陈子辉，李显荣，朱文超，
申请(专利权)人：广东电网有限责任公司，
类型：发明
国别省市：