一种负电压转换器和半导体芯片制造技术

技术编号:37449492 阅读:27 留言:0更新日期:2023-05-06 09:21
本申请实施例提供一种负电压转换器和半导体芯片。该负电压转换器包括:控制电路、辅助控制电路、第一自举电容和电压转换电路,控制电路的控制端和辅助控制电路的第一控制端均电连接状态驱动信号,控制电路的第一端通过第一自举电容分别电连接辅助控制电路的第一端和电压转换电路的第一控制端,辅助控制电路的第二端电连接输入电压,控制电路的第二端电连接电压转换电路的第二控制端,控制电路的第三端电连接输入电压,电压转换电路的第一端电连接输入电压,电压转换电路的第二端接地,电压转换电路的第三端电连接电压输出端。该负电压转换器可以采用较小的自举电容,能够减小自举电容所占的面积,从而能够减小负电压转换器所占的面积。占的面积。占的面积。

【技术实现步骤摘要】
一种负电压转换器和半导体芯片


[0001]本申请实施例涉及负电压转换
,尤其涉及一种负电压转换器和半导体芯片。

技术介绍

[0002]负电压转换器可以将输入电压转换为负的输出电压,其中,输入电压一般来源于单节锂电池,且单节锂电池的电压一般在4V左右,输出电压的范围为

1V~

6V。负电压转换器中包括自举电容和驱动管,自举电容放电时可以向驱动管提供驱动电压,驱动电压的大小取决于自举电容与驱动管的栅极电容Cg的比值。
[0003]现有技术中通常采用电容值较大的自举电容,可以提高驱动管的驱动电压,确保驱动管充分导通。然而,较大的自举电容所占的面积较大,导致负电压转换器所占面积较大。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题,本申请实施例提供了一种负电压转换器和半导体芯片,可以采用较小的自举电容,能够减小自举电容所占的面积,从而能够减小负电压转换器所占的面积,有利于器件的小型化发展。
[0005]第一方面,本申请实施例提供了一种负电压转换器,包括:控制电路、辅助控制电路、第一自本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负电压转换器,其特征在于,包括:控制电路、辅助控制电路、第一自举电容和电压转换电路;所述控制电路的控制端和所述辅助控制电路的第一控制端均电连接状态驱动信号,所述控制电路的第一端电连接所述第一自举电容的第一极板,所述第一自举电容的第二极板和所述辅助控制电路的第一端均电连接所述电压转换电路的第一控制端,所述辅助控制电路的第二端电连接输入电压,所述控制电路的第二端电连接所述电压转换电路的第二控制端,所述控制电路的第三端电连接所述输入电压,所述电压转换电路的第一端电连接电压输入端,所述电压输入端外接所述输入电压,所述电压转换电路的第二端接地,所述电压转换电路的第三端电连接电压输出端;所述控制电路,用于在第一状态驱动信号的作用下,控制所述第一自举电容向所述电压转换电路的第一控制端提供子控制电压;所述辅助控制电路,用于在第一状态驱动信号的作用下,向所述电压转换电路的第一控制端提供所述输入电压;所述电压转换电路,用于在控制电压的作用下,将所述输入电压转换为输出电压;其中,所述控制电压为所述输入电压与所述子控制电压之和,所述输出电压为负电压。2.根据权利要求1所述的负电压转换器,其特征在于,所述辅助控制电路包括第一开关管和第二开关管;所述第一开关管的控制端电连接所述状态驱动信号,所述第一开关管的第一端电连接所述输入电压,所述第一开关管的第二端电连接所述第二开关管的第一端,所述第二开关管的第二端电连接所述电压转换电路的第一控制端,所述第二开关管的控制端电连接钳位电压。3.根据权利要求2所述的负电压转换器,其特征在于,还包括第二自举电容;所述第二自举电容的第一极板电连接所述第一自举电容的第一极板,所述第二自举电容的第二极板电连接所述辅助控制电路的第二控制端,所述辅助控制电路的第三端电连接所述电压输出端,所述控制电路的第四端接地;所述辅助控制电路,还用于在第二状态驱动信号的作用下,向所述电压转换电路的第一控制端提供所述输出电压;所述电压转换电路,还用于在所述输出电压的作用下,存储所述输入电压提供的电能。4.根据权利要求3所述的负电压转换器,其特征在于,所述辅助控制电路还包括反相器、第三开关管、第四开关管、第五开关管和第六开关管;所述反相器的输入端电连接所述状态驱动信号,所述反相器的输出端电连接所述第三开关管的控制端,所述第三开关管的第一端电连接所述输入电压,所述第三开关管的第二端电连接所述第四开关管的第一端,所述第四开关管的控制端电连接所述钳位电压,所述第四开关管的第二端电连接所述第五开关管的控制端和所述第六开关管的第一端;所述第五开关管的第一端电连接所述电压转换电路的第一控制端,所述第五开关管的第二端和所述第六开关管的第二端均电连接所述电压输出端,所述第六开关管的控制端电连接所述第二自举电容的第二极板。5....

【专利技术属性】
技术研发人员:陈鑫
申请(专利权)人:上海南芯半导体科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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