摄像装置制造方法及图纸

本公开的摄像装置具备第1电极、光电转换膜和第2电极。光电转换膜位于比第1电极更靠下。第2电极位于比第1电极更靠下。第2电极由多个层来构成。多个层包含含有氮化钽的第1层。多个层中的最上层包含金属氮化物。个层中的最上层包含金属氮化物。个层中的最上层包含金属氮化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置


[0001]本公开涉及摄像装置。

技术介绍

[0002]已知有层叠型的摄像装置。层叠型的摄像装置具有包含半导体基板及光电转换膜的层叠结构。层叠型的摄像装置的一个例子记载于专利文献1中。专利文献1的摄像装置的电极具有TiN/Ti结构即在钛层上配置有氮化钛(Titanium nitride)层的结构。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平03
‑
171769号公报
[0006]专利文献2：国际公开第2019/239851号

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]就专利文献1的电极而言，电极的外部来源的金属可能扩散。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]本公开的一个方案所述的摄像装置具备：
[0011]第1电极、
[0012]位于比上述第1电极更靠下的光电转换膜、和
[0013]位于比上述第1电极更靠下的第2电极。上述第2电极由多个层来构成。上述多个层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，其具备：第1电极、位于比所述第1电极更靠下的光电转换膜、和位于比所述第1电极更靠下的第2电极，所述第2电极由多个层来构成，所述多个层包含含有氮化钽的第1层，所述多个层中的最上层包含金属氮化物。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述最上层为不同于所述第1层的另外的第2层。3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述第2层包含氮化钛。4.根据权利要求2或权利要求3所述的摄像装置，其中，所述第1层比所述第2层薄。5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述最上层为所述第1层。6.根据权利要求1～5中任一项所述的摄像装置，其中，所述多个层中的最下层包含钽。7.一种摄像装置，其具备：第1电极、位于比所述第1电极更靠下的光电转换膜、和位于比所述第1电极更靠下的第2电极，所述第2电极包含电极主体和绝缘膜，所述第2电极的上表面的至少一部分由所述电极主体构成，所述第2电极的下表面的至少一部分由所述电极主体构成。8.根据权利要求7所述的摄像装置，其中，在与所述绝缘膜的厚度方向垂直的截面中，所述绝缘膜被所述电极主体包围。9.根据权利要求7或权利要求8所述的摄像装置，其进一步具备具有与所述第2电极连接的连接面、且包含金属的插塞。10.根据权利要求9所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶野俊介，留河优子，境田良太，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：