制造具有无机像素包封阻挡层的OLED面板的方法技术

本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。装置包括多个子像素，所述多个子像素的每个子像素由相邻像素限定层(PDL)结构限定，所述PDL结构具有设置在所述PDL结构上的无机悬垂结构，每个子像素具有：阳极；有机发光二极管(OLED)材料，所述OLED材料设置在所述阳极上；和阴极，所述阴极设置在所述OLED材料上。所述装置通过包括以下步骤的工艺制造：通过蒸发沉积沉积所述OLED材料和所述阴极；和沉积包封层，所述包封层设置在所述阴极之上。在所述阴极之上。在所述阴极之上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造具有无机像素包封阻挡层的OLED面板的方法


[0001]本文描述的多个实施方式一般涉及显示器。更具体地，本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。

技术介绍

[0002]包括显示装置的输入装置可用于多种电子系统中。有机发光二极管(OLED)是其中发射电致发光层是响应于电流而发射光的有机化合物的膜的发光二极管(LED)。如果发射的光穿过透明或半透明底部电极和在基板上制造面板的基板，则OLED装置被分类为底部发射装置。顶部发射装置基于从OLED装置发射的光是否穿过盖离开来进行分类，该盖在装置的制造之后添加。现今，OLED用于形成许多电子器件中的显示装置。现今的电子器件制造商正在推动这些显示装置的大小的缩小，而同时提供比几年前更高的分辨率。
[0003]OLED像素图案化目前基于限制面板大小、像素分辨率和基板大小的工艺。与其利用纯金属(fine metal)掩模，不如使用光刻技术(photo lithography)图案化像素。目前，OLED像素图案化要求在图案化工艺之后剥离有机材料。当被剥离时，有机材料留下破坏OLED性能的颗粒问题。因此，本领域中需要子像素电路和形成子像素电路的方法来增加每英寸像素并提供改善的OLED性能。

技术实现思路

[0004]在一个实施方式中，提供了一种装置。所述装置包括多个子像素，所述多个子像素的每个子像素由相邻像素限定层(PDL)结构限定，所述PDL结构具有设置在所述PDL结构上的无机悬垂结构，每个子像素具有：阳极；有机发光二极管(OLED)材料，所述OLED材料设置在所述阳极上；和阴极，所述阴极设置在所述OLED材料上。所述装置通过包括以下步骤的工艺制造：使用蒸发沉积在基板之上沉积所述OLED材料，所述OLED材料设置在所述阳极之上并且与所述阳极接触；使用蒸发沉积沉积阴极，所述阴极设置在所述OLED材料之上并且在与每个子像素相邻的所述无机悬垂结构之下延伸；和沉积包封层，所述包封层设置在所述阴极之上，所述包封层在所述无机悬垂结构的至少一部分之下且沿所述无机悬垂结构的侧壁延伸。
[0005]在另一个实施方式中，提供一种形成装置的方法。所述方法包括：提供基板，所述基板具有：阳极；相邻像素限定层(PDL)结构，所述相邻PDL结构设置在所述基板之上并且限定所述装置的子像素；和无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述PDL结构的上表面之上；使用蒸发沉积在所述装置的一个或多个子像素中沉积OLED材料；和在所述OLED材料之上沉积阴极，其中所述无机悬垂结构限定沉积角度，使得所述OLED材料和所述阴极都在所述无机悬垂结构下方延伸。
[0006]在又一个实施方式中，提供了一种形成装置的方法。所述方法包括：提供基板，所述基板具有：阳极；相邻像素限定层(PDL)结构，所述相邻PDL结构设置在所述基板之上并且
限定所述装置的子像素；和无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述PDL结构的上表面上，每个无机悬垂结构具有：下部分，所述下部分设置在所述PDL结构中的一个PDL结构的上表面上；以及上部分，所述上部分设置在所述下部分上，所述上部分包括延伸经过所述下部分的侧壁的下侧边缘。通过蒸发沉积将有机发光二极管(OLED)材料设置在所述阳极之上，所述OLED材料具有由所述上部分的所述下侧边缘限定的OLED边缘，使得所述OLED材料不接触所述下部分。通过蒸发沉积将阴极设置在所述OLED材料之上，所述阴极具有由所述上部分的所述下侧边缘限定的阴极边缘，使得在所述上部分之下延伸，并且阴极接触设置在所述下部分之下的辅助阴极或所述下部分的所述侧壁的部分中的一者或多者。
附图说明
[0007]为了可详细地理解本公开内容的上述特征，可参考多个实施方式来得到以上简要地概述的本公开内容的更特别的描述，多个实施方式中的一些例示在附图中。然而，需注意，附图仅仅例示了多个示例性实施方式，并且因此不应当被视为对本公开内容范围的限制，并且可允许其他多个等效实施方式。
[0008]图1A是根据多个实施方式的具有无插塞布置的子像素电路的示意性横截面图。
[0009]图1B是根据多个实施方式的具有插塞布置的子像素电路的示意性横截面图。
[0010]图1C是根据多个实施方式的具有点型架构的子像素电路的示意性顶截面图。
[0011]图1D是根据多个实施方式的具有线型架构的子像素电路的示意性横截面图。
[0012]图2是根据多个实施方式的子像素电路的无机悬垂结构的示意性横截面图。
[0013]图3是根据多个实施方式的用于形成子像素电路的按需(on
‑
demand)方法的流程图。
[0014]图4A
‑
4O是在根据多个实施方式的在用于形成子像素电路的方法期间基板的示意性横截面图。
[0015]图4P
‑
4W是在根据多个实施方式的在用于形成子像素电路的方法期间基板的示意性横截面图。
[0016]图5是根据多个实施方式的用于形成子像素电路的按需半色调(half
‑
tone)平板印刷方法的流程图。
[0017]图6是根据多个实施方式的用于形成子像素电路的一步方法的流程图。
[0018]图7A
‑
7L是在根据本文描述的多个实施方式的用于形成子像素电路的方法期间基板的示意性横截面图。
[0019]为了促成理解，已经尽可能使用相同的附图标记标示各图共有的相同元素。设想的是，一个实施方式中公开的元素可有益地用于其他多个实施方式上，而无需具体地陈述。
具体实施方式
[0020]本文描述的多个实施方式一般涉及显示器。更具体地，本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。在可与本文描述的其他多个实施方式组合的一个实施方式中，显示器是底部发射(BE)或顶部发射(TE)OLED显示器。在可与本文描述的其他多个实施方式组合的另一个实施方式中，显示器是无源矩阵(PM)或有源矩阵(AM)OLED显示器。
[0021]本文描述的多个实施方式的第一示例性实施方式包括具有点型架构的子像素电路。本文描述的多个实施方式的第二示例性实施方式包括具有线型架构的子像素电路。本文描述的多个实施方式的第三示例性实施方式包括具有点型架构的子像素电路，其中插塞设置在相应子像素的包封层上。本文描述的多个实施方式的第四示例性实施方式包括具有线型架构的子像素电路，其中插塞设置在相应子像素的包封层上。本文描述的多个实施方式的第五示例性实施方式包括用于制造第一示例性实施方式、第二示例性实施方式、第三示例性实施方式或第四示例性实施方式中的一者的子像素电路的按需方法。本文描述的多个实施方式的第六示例性实施方式包括用于制造第一示例性实施方式和第二示例性实施方式中的一者的子像素电路的按需半色调平板印刷方法。本文描述的多个实施方式的第七示例性实施方式包括制造第一示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，所述装置包括多个子像素，所述多个子像素的每个子像素由相邻像素限定层(PDL)结构限定，所述PDL结构具有设置在所述PDL结构上的无机悬垂结构，每个子像素具有：阳极；有机发光二极管(OLED)材料，所述OLED材料设置在所述阳极上；和阴极，所述阴极设置在所述OLED材料上，其中所述装置通过包括以下步骤的工艺制造：使用蒸发沉积在基板之上沉积所述OLED材料，所述OLED材料设置在所述阳极之上并且与所述阳极接触；使用蒸发沉积沉积阴极，所述阴极设置在所述OLED材料之上并且在与每个子像素相邻的所述无机悬垂结构之下延伸；和沉积包封层，所述包封层设置在所述阴极之上，所述包封层在所述无机悬垂结构的至少一部分之下且沿所述无机悬垂结构的侧壁延伸。2.如权利要求1所述的装置，其中所述无机悬垂结构中的每一者包括：下部分，所述下部分设置在所述PDL结构中的一个PDL结构的上表面上；和上部分，所述上部分设置在所述下部分上，所述上部分包括延伸经过所述下部分的侧壁的下侧边缘。3.如权利要求2所述的装置，其中所述无机悬垂结构中的每一者包括以下项中的一者：非导电无机材料的所述上部分和导电无机材料的所述下部分；所述导电无机材料的所述上部分和所述导电无机材料的所述下部分；所述非导电无机材料的所述上部分、所述非导电无机材料的所述下部分和设置在所述下部分之下的辅助阴极；或者所述导电无机材料的所述上部分、所述非导电无机材料的所述下部分和设置在所述下部分之下的所述辅助阴极。4.如权利要求3所述的装置，其中所述阴极在所述无机悬垂结构的所述部分之下延伸并且接触所述辅助阴极或所述下部分的部分中的一者或多者。5.如权利要求4所述的装置，其中：所述OLED材料由所述上部分的下侧边缘限定，使得所述OLED材料不接触所述下部分或所述辅助阴极；并且所述阴极由所述上部分的所述下侧边缘限定。6.如权利要求3所述的装置，其中：所述非导电无机材料包括无机含硅材料；并且所述导电无机材料包括含金属材料。7.如权利要求1所述的装置，其中每个子像素进一步包括插塞，所述插塞设置在所述包封层之上，所述插塞具有与所述OLED材料的OLED透射率匹配或实质上匹配的插塞透射率。8.如权利要求7所述的装置，其中所述插塞包括光刻胶、滤色器或光敏单体材料。9.如权利要求1所述的装置，其中所述装置包括点型架构或线型架构。10.如权利要求1所述的装置，其中所述基板是预图案化铟锡氧化物(ITO)玻璃基板。11.如权利要求1所述的装置，其中所述OLED材料包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)和电子传输层(ETL)。12.如权利要求1所述的装置，进一步包括整体钝化层，所述整体钝化层设置在所述无机悬垂结构和所述包封层之上。
13.一种形成装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑知泳，迪特尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：