耦合器电路及电子设备制造技术

技术编号:37440052 阅读:20 留言:0更新日期:2023-05-06 09:12
本发明专利技术提供一种耦合器电路和电子设备。耦合器电路包括:射频收发器,射频收发器包括射频信号发射端口、射频信号接收端口和反馈信号接收端口;射频信号处理模块,射频信号处理模块的输入端与射频信号发射端口相连接;天线;双向耦合器,双向耦合器与射频信号处理模块的输出端、天线和反馈信号接收端口均相连接;低噪声放大器,低噪声放大器的输入端与射频信号处理模块的输出端相连接,低噪声放大器的输出端与射频信号接收端口相连接。本发明专利技术的耦合器电路中,通过使用双向耦合器,无需额外的DPDT,结构简单,成本较低。成本较低。成本较低。

【技术实现步骤摘要】
耦合器电路及电子设备


[0001]本专利技术涉及射频
,特别是涉及一种耦合器电路及电子设备。

技术介绍

[0002]现有的耦合器电路需要具备ACL(Advanced Close Loop,高级闭环)功能,以使得其具有可以根据用户负载的变化自适应阻抗调谐,调整频偏,提升实际使用时候的天线性能。
[0003]现有的方案中,要么使用集成于模块内部的定向耦合和DPDT(Double Pole Double Throw,双刀双掷开关)相结合的方案,要么使用处于外部的定向耦合器和DPDT相结合的方案来实现ACL功能。
[0004]但现有的耦合器电路中,由于使用定向耦合器,需要额外的DPDT才能时间ACL功能,结构比较复杂,成本较高。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于,提供一种耦合器电路及电子设备,具有不需要额外的DPDT,结构简单,成本较低等优点。
[0006]为解决现有技术中的问题,第一方面,本专利技术提供一种耦合器电路,包括:
[0007]射频收发器,所述射频收发器包括射频信号发射端口、射频信号接收端口和反馈信号接收端口;
[0008]射频信号处理模块,所述射频信号处理模块的输入端与所述射频信号发射端口相连接;
[0009]天线;
[0010]双向耦合器,所述双向耦合器与所述射频信号处理模块的输出端、所述天线和所述反馈信号接收端口均相连接;
[0011]低噪声放大器,所述低噪声放大器的输入端与所述射频信号处理模块的输出端相连接,所述低噪声放大器的输出端与所述射频信号接收端口相连接。
[0012]可选地,所述射频信号处理模块包括:
[0013]功率放大器,所述功率放大器的输入端与所述射频信号发射端口相连接;
[0014]双工器,所述双工器的输入端与所述功率放大器的输出端相连接,所述双工器的输出端与所述低噪声放大器相连接,所述双工器的公共端与所述双向耦合器相连接。
[0015]可选地,所述射频信号包括低频射频信号、中频射频信号和高频射频信号;所述射频信号发射端口包括低频射频信号发射端口、中频射频信号发射端口和高频射频信号发射端口;
[0016]所述功率放大器包括第一输入端、第二输入端、第三输入端、低频输出端、中频输出端和高频输出端;所述功率放大器的第一输入端与所述低频射频信号发射端口相连接,所述功率放大器的第二输入端与所述中频射频信号发射端口相连接,所述功率放大器的第
三输入端与所述高频射频信号发射端口相连接;
[0017]所述低噪声放大器包括多频低噪声放大器,所述低噪声放大器的输入端包括低频输入端、中频输入端和高频输入端;
[0018]所述双工器包括低频双工器、中频双工器和高频双工器;所述低频双工器的输入端与所述低频输出端相连接,所述低频双工器的输出端与所述低频输入端相连接;所述中频双工器的输入端与所述中频输出端相连接,所述中频双工器的输出端与所述中频输入端相连接;所述高频双工器的输入端与所述高频输出端相连接,所述高频双工器的输出端与所述高频输入端相连接。
[0019]可选地,所述天线包括第一天线、第二天线和第三天线;
[0020]所述双向耦合器包括第一双向耦合器、第二双向耦合器和第三双向耦合器;所述第一双向耦合器、所述第二双向耦合器和所述第三双向耦合器依次级联;所述第一双向耦合器与所述低频双工器的公共端和所述第一天线相连接;所述第二双向耦合器与所述中频双工器的公共端和所述第二天线相连接;所述第三双向耦合器与所述高频双工器的公共端、所述第三天线和所述反馈信号接收端口均相连接。
[0021]可选地,所述耦合器电路还包括反馈接收开关,所述反馈接收开关的一端与所述第三双向耦合器相连接,另一端与所述反馈信号接收端口相连接。
[0022]可选地,所述耦合器电路还包括天线调谐器,所述天线调谐器与所述天线相连接。
[0023]可选地,所述天线调谐器包括:
[0024]第一天线调谐器,与所述第一天线相连接;
[0025]第二天线调谐器,与所述第二天线相连接;
[0026]第三天线调谐器,与所述第三天线相连接。
[0027]可选地,所述功率放大器包括:
[0028]第一切换开关,所述第一切换开关与所述功率放大器的第一输入端、所述功率放大器的第二输入端和所述功率放大器的第三输入端均相连接;
[0029]低频功率放大器,所述低频功率放大器的输入端与所述第一切换开关相连接,所述低频功率放大器的输出端与所述低频输出端相连接;
[0030]中频功率放大器,所述中频功率放大器的输入端与所述第一切换开关相连接,所述中频功率放大器的输出端与所述中频输出端相连接;
[0031]高频功率放大器,所述高频功率放大器的输入端与所述第一切换开关相连接,所述高频功率放大器的输出端与所述高频输出端相连接。
[0032]可选地,所述低噪声放大器包括:
[0033]低频低噪声放大器,所述低频低噪声放大器的输入端与所述低频输入端相连接;
[0034]中频低噪声放大器,所述中频低噪声放大器的输入端与所述中频输入端相连接;
[0035]高频低噪声放大器,所述高频低噪声放大器的输入端与所述高频输入端相连接;
[0036]第二切换开关,所述第二切换开关的一端均与所述低频低噪声放大器的输出端、所述中频低噪声放大器的输出端和所述高频低噪声放大器的输出端均相连接,所述第二切换开关的另一端与所述低噪声放大器的输出端相连接。
[0037]第二方面,本专利技术还提供一种电子设备,所述电子设备包括如第一方面中所述的耦合器电路。
[0038]如上所述,本专利技术的耦合器电路和电子设备,具有以下有益效果:本专利技术的耦合器电路中,通过使用双向耦合器,无需额外的DPDT,结构简单,成本较低。
附图说明
[0039]图1为本专利技术提供的耦合器电路的电路图。
[0040]图2及图3为本专利技术提供的耦合器电路的工作原理图。
[0041]标号说明:10、射频收发器;20、功率放大器;201、第一切换开关;202、低频功率放大器;203、中频功率放大器;204、高频功率放大器;301、低频双工器;302、中频双工器;303、高频双工器;401、第一双向耦合器;402、第二双向耦合器;403、第三双向耦合器;501、第一天线;502、第二天线;503、第三天线;601、第一天线调谐器;602、第二天线调谐器;603、第三天线调谐器;70、低噪声放大器;701、低频低噪声放大器;702、中频低噪声放大器;703、高频低噪声放大器;704、第二切换开关;80、反馈接收开关。
具体实施方式
[0042]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耦合器电路,其特征在于,包括:射频收发器,所述射频收发器包括射频信号发射端口、射频信号接收端口和反馈信号接收端口;射频信号处理模块,所述射频信号处理模块的输入端与所述射频信号发射端口相连接;天线;双向耦合器,所述双向耦合器与所述射频信号处理模块的输出端、所述天线和所述反馈信号接收端口均相连接;低噪声放大器,所述低噪声放大器的输入端与所述射频信号处理模块的输出端相连接,所述低噪声放大器的输出端与所述射频信号接收端口相连接。2.根据权利要求1所述的耦合器电路,其特征在于,所述射频信号处理模块包括:功率放大器,所述功率放大器的输入端与所述射频信号发射端口相连接;双工器,所述双工器的输入端与所述功率放大器的输出端相连接,所述双工器的输出端与所述低噪声放大器相连接,所述双工器的公共端与所述双向耦合器相连接。3.根据权利要求2所述的耦合器电路,其特征在于,所述射频信号包括低频射频信号、中频射频信号和高频射频信号;所述射频信号发射端口包括低频射频信号发射端口、中频射频信号发射端口和高频射频信号发射端口;所述功率放大器包括第一输入端、第二输入端、第三输入端、低频输出端、中频输出端和高频输出端;所述功率放大器的第一输入端与所述低频射频信号发射端口相连接,所述功率放大器的第二输入端与所述中频射频信号发射端口相连接,所述功率放大器的第三输入端与所述高频射频信号发射端口相连接;所述低噪声放大器包括多频低噪声放大器,所述低噪声放大器的输入端包括低频输入端、中频输入端和高频输入端;所述双工器包括低频双工器、中频双工器和高频双工器;所述低频双工器的输入端与所述低频输出端相连接,所述低频双工器的输出端与所述低频输入端相连接;所述中频双工器的输入端与所述中频输出端相连接,所述中频双工器的输出端与所述中频输入端相连接;所述高频双工器的输入端与所述高频输出端相连接,所述高频双工器的输出端与所述高频输入端相连接。4.根据权利要求3所述的耦合器电路,其特征在于,所述天线包括第一天线、第二天线和第三天线;所述双向耦合器包括第一双向耦合器、第二双向耦合器和第三双向耦合器;所述第一双向耦合器、所述第二双向耦合器和所述第三双向耦...

【专利技术属性】
技术研发人员:任元元肖森燚曹春龙程黎辉关亚东
申请(专利权)人:合肥龙旗智能科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1