一种MXene材料及其剥离方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种MXene材料的剥离方法和应用。本发明专利技术的MXene材料的剥离方法，包括以下步骤：将MAX粉末进行刻蚀，得到MXene沉淀；向MXene沉淀加水，并进行涡旋剪切剥离，得到MXene悬浮液；将MXene悬浮液进行离心，收集上清液；将上清液重复步骤S2～S3中涡旋剪切剥离、离心多次，即得MXene材料；本发明专利技术采用涡旋剪切剥离制备得到的MXene材料，产率可以达到90％左右，且电导率可以达到1.01

【技术实现步骤摘要】
一种MXene材料及其剥离方法和应用


[0001]本专利技术涉及MXene材料
，尤其涉及一种MXene材料的剥离方法和应用。

技术介绍

[0002]MXene是除石墨烯、氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片之外的新型二维材料，是指二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物。大量研究表明，MXene与其他二维纳米材料相比具有更优异的导电性、成膜性能和亲水性，而且比表面积大、机械强度高、延展性好。因此，MXene在光学、电子、储能、电磁屏蔽和生物医学等领域得到了广泛的研究和应用。目前研究人员已经发现了多种MXene的制备方法，主要包括氢氟酸蚀刻、水热蚀刻、路易斯酸盐蚀刻等，但这些方法的剥离效率普遍低于70％，且电导率低于8
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[0003]基于目前的MXene材料制备存在的剥离效率低、电导率的问题，有必要对此进行改进。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提出了一种MXene材料的剥离方法和应用，以解决或至少部分解决现有技术中存在的技术问题。
[0005]第一方面，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MXene材料的剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将MAX粉末进行刻蚀，得到多层MXene沉淀；S2、向所述多层MXene沉淀加水，并进行涡旋剪切剥离，得到MXene悬浮液；S3、将所述MXene悬浮液进行离心，收集上清液；S4、将所述上清液重复步骤S2～S3中涡旋剪切剥离、离心多次，即得MXene材料；其中，涡旋剪切剥离中转速为100～1000rpm、时间为5～100min。2.如权利要求1所述的MXene材料的剥离方法，其特征在于，所述MAX粉末包括Ti3AlC2、Ti2AlC、Ti2AlN、Ti3AlN2、Ti4AlN3、Ti3AlCN、V2AlC、V3AlC2、V4AlC3、Nb2AlC、Nb3AlC2、Nb4AlC3、Mo2AlC、Mo3AlC2、Ta2AlC、Ta3AlC2、Ta4AlC3、Cr2AlC、TiNbAlC、TiVAlC、Ti2VAlC2、Ti2NbAlC2、Ti2TaAlC2、Ti2Ta2AlC3、VNbAlC、VCrAlC、Mo2TiAlC2、Mo2Ti2AlC3、Mo3VAlC3、Mo2Ga2AlC3、Cr2TiAlC2、TiVNbMoAlC3中的至少一种。3.如权利要求1所述的MXene材料的剥离方法，其特征在于，将MAX粉末进行刻蚀，得到多层MXene沉淀，具...

【专利技术属性】
技术研发人员：何大平，司运发，郭剑楠，邢子健，
申请(专利权)人：武汉理工大学三亚科教创新园，
类型：发明
国别省市：